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World File Search System溶液
溶液是一种聚合物载体，增加了溶解度的生物利用度，各种剂型的溶解： - 概述。
被视为第四代固体分散体的成员，与传统的溶解度（例如Cremophore RH40和Solutol HS15）相比。从理论上讲，用作固体分散体配方的载体是一种有趣的聚合物。因为它是非离子和亲水性的，因此其溶解度不会像胃肠道系统那样改变。它表面略微活跃，可以在胃肠道中维持较差的可溶性药物过饱和的特性。有机溶液和水溶液都可以溶解溶液。由于其在挥发性有机溶剂中的溶解度，它可以用作喷涂干燥和溶剂蒸发的良好候选者来产生分散体。与另一个API一起创建稳定的解决方案，并且是一个很好的玻璃形成。
基于溶液的SB2SE3薄膜，用于微光子学
摘要。功能性墨西哥奶油蛋白酶光相变的开发对推进光学和光子学应用的有很大的希望。我们对SB 2 SE溶液处理的综合研究3薄膜呈现了一种从溶剂勘探到底物涂层的系统方法。通过采用表征技术，例如扫描电子显微镜，动态光散射，能量分散的X射线光谱，拉曼光谱和X射线衍射，我们揭示了对结构，组合和形态学特性的关键见解，以确保这些技术以及这些技术的选择，以确保这些技术的选择，以确保有必要的特征。与当前报道的沉积技术相比，我们的发现突出了解决方案沉积作为可扩展SB 2 SE 3膜处理的途径的潜力。
用于测试石墨烯氧化石墨烯膜在乙醇溶液中吸附EUCL3的中子反射率
这些官能团结合极性溶剂中的高特定表面积使得变得有效的各种有机和无机污染物的吸附剂。go被认为是一种非常有前途的材料，用于治疗放射性废物和自然水，因为它具有高分子的放射性核素能力。[3] GO还被广泛研究为吸附剂的各种污染物，包括例如染料，重金属和有机物。近年来，GO也被研究以吸附三价欧盟。[3A，4]在某些研究中，欧盟（III）被认为是核废料中其他三价灯笼和静脉的化学类似物。[5]因此，了解欧盟（III）的吸附特别有用，对于开发出更有效的吸附剂来用于核废料处理。应注意的是，近年来，与石墨烯相关材料的放射性核素和重金属的吸附相关的研究领域受到多次缩回的影响（例如，请参阅[6]）和广泛的校正。[7]因此，在以前的一些研究中，与GO吸附有关的一些研究受到了损害。通常仅使用GO分散体进行吸附研究，但不使用实心石墨氧化物或多层GO层压板进行。GO分散体可以沉积在合适的底物上（例如，通过自旋涂层[8]或滴铸造[9]），以制成多层薄膜。分散剂也可以被填充以制作根据预期的纸张命名的独立箔，作为论文[10]或膜。[11]多层组件是由不规则形状的和大小的go akes形成的，互相堆积了近似平行的平面内部方向。多层GO的吸附特性有望受到C-tattice中层间尺寸的影响，因为水或其他用于溶解的极性溶剂的肿胀
使用壳聚糖溶液的铬（III）和铬（VI）离子的吸附
摘要：在这项工作中，使用生物聚合物壳聚糖和天然粘土来获得复合材料。这项研究的总体目的是通过添加粘土来改善纯壳聚糖珠的性能（孔隙率，热稳定性和密度），并获得基于壳聚糖的复合材料，以使用蒙古资源从水溶液中吸附重金属，并使用蒙古资源来吸附重金属，并研究吸附机制。天然粘土用酸和热进行预处理以去除杂质。将壳聚糖和预处理的粘土以不同的比率（8：1，8：2和8：3）混合，以获得化学加工，以获得复合珠以吸附铬离子。研究了Cr（III）和Cr（VI）的吸附，这是溶液pH，时间，温度，铬溶液的初始浓度和复合珠的质量的函数。发现，从壳聚糖的混合物中获得的复合珠和质量比为8：1和8：2的粘土分别具有最高的吸附能力（23.5和17.31 mg·g -g -1），Cr（iii）和Cr（iii）和Cr（vi）的吸附能力分别为最佳条件。使用XRD，SEM -EDS，BET和TG分析研究了通过将壳聚糖和粘土混合为8：1和8：2的复合材料的性质。根据XPS分析结果讨论了吸附机制。可以证实，铬离子以其原始形式吸附，例如Cr（iii）和Cr（VI），而无需进行氧化或还原反应。此外，在吸附过程中，CR（III）和Cr（VI）与复合珠的羟基和氨基群有关。吸附过程的动力学，热力学和等温分析表明，壳聚糖/粘土复合珠与CR（III）和Cr（VI）离子之间的相互作用可以视为二阶入学热反应，因此可以使用langmuir iSotherm模型来评估吸附。可以得出结论，复合珠可以用作去除铬离子的吸附剂。
溶液处理的2D材料的传导调制
解决方案处理的2D材料对其可扩展应用有望。但是，通过离散网络通过离散网络的解决方案处理的纳米量和较差的渗透性传导的随机，零散的性质限制了启用设备的性能。为了克服该问题，通过Stark效应报告了解决方案处理的2D材料的传导调节。以液相去角质的钼二硫化（MOS 2）为例，从界面界面的局部领域证明了以> 10 5为> 10 5的非线性传导切换（VDF-TRFE）。通过密度功能理论的计算以及原位拉曼散射和光致发光光谱分析，该调制是由溶液处理的MOS 2中的电荷重新分布引起的。超过MOS 2，可以显示其他溶液处理的2D材料和低维材料的有效。调制可以打开其电子设备应用，例如，薄膜非线性电子和非挥发性记忆。
量子技术的未来：溶液处理的可调材料的超荧光
摘要：纳米晶体研究领域最近最重大和最令人惊讶的进展之一是从自组装胶体钙钛矿纳米晶体系统中观察到超荧光 [G. Rainò、MA Becker、MI Bodnarchuk、RF Mahrt、MV Kovalenko 和 T. Stöferle，“铅卤化物钙钛矿量子点超晶格的超荧光”，《自然》，第 563 卷，第 7733 期，第 671-675 页，2018 年]。超荧光是一种量子光特性，其中许多偶极子自发同步相位，产生具有更快寿命的集体协同光子发射。因此，在更不均匀的系统中观察到这种现象是令人惊讶的，因为溶液处理和胶体结构通常具有高光学退相干和非均匀尺寸分布。本文概述了胶体和溶液处理系统中超荧光演示的最新进展，并探讨了此类系统允许的化学和材料科学机会。创造明亮且可调的超荧光源的能力可以推动量子信息应用的变革性发展，并促进我们对量子现象的理解。
量子技术的未来：溶液处理的可调材料的超荧光
摘要：纳米晶体研究领域最近最重大和最令人惊讶的进展之一是从自组装胶体钙钛矿纳米晶体系统中观察到超荧光 [G. Rainò、MA Becker、MI Bodnarchuk、RF Mahrt、MV Kovalenko 和 T. Stöferle，“铅卤化物钙钛矿量子点超晶格的超荧光”，《自然》，第 563 卷，第 7733 期，第 671-675 页，2018 年]。超荧光是一种量子光特性，其中许多偶极子自发同步相位，产生具有更快寿命的集体协同光子发射。因此，在更不均匀的系统中观察到这种现象是令人惊讶的，因为溶液处理和胶体结构通常具有高光学退相干和非均匀尺寸分布。本文概述了胶体和溶液处理系统中超荧光演示的最新进展，并探讨了此类系统允许的化学和材料科学机会。创造明亮且可调的超荧光源的能力可以推动量子信息应用的变革性发展，并促进我们对量子现象的理解。
量子技术的未来：溶液处理的可调材料的超荧光
摘要：纳米晶体研究中最显着，最令人惊讶的发展之一是从一个自组装的，粘膜钙钛矿纳米晶体系统中观察到超级荧光[G. Rainò，M。A。Becker，M。I。Bodnarchuk，R。F。Mahrt，M。V。Kovalenko和T.Stöferle，“来自Halide Halide Perovskite量子点超级晶格的超级荧光”，《自然》，第1卷。563，否。7733，pp。671–675，2018]。超级荧光是一种量子光特性，其中许多偶极子自发同步在相位中创建一个集体，协同的光子发射，其寿命快得多。因此，在溶液处理的和胶体结构通常会遭受高光学脱碳和非均匀尺寸的分布时，在更多的不构态系统中观察到这一点是令人惊讶的。在这里，我们概述了在胶体和解决方案处理系统中超级流量演示的最新发展，并探索了此类系统允许的化学和材料科学机会。创建明亮和可调的超超流感来源的能力可以使量子信息应用中的变换发展并提高我们对量子现象的理解。
地塞米松磷酸钠溶液进行注射
4临床特征4.1治疗指示替代疗法 - 肾上腺皮质不足地塞米松主要具有糖皮质激素活性，因此在肾上腺皮质不足的情况下不是完全的替代疗法。地塞米松应补充盐和/或盐皮质激素，例如脱氧皮质酮。补充时，地塞米松在：急性肾上腺皮质功能不全 - 艾迪生氏病，双侧肾上腺切除术； 相对肾上腺皮质不足 - 延长肾上腺皮质类固醇的施用可产生肾上腺皮质的休眠状态。降低的分泌能力会导致相对肾上腺皮质功能不全的状态，该状态持续存在在治疗后的不同时间内。在减少分泌的时期（治疗停止后长达两年），如果患者应遭受突然的压力，类固醇输出可能不足。因此，应重新生效类固醇治疗，以帮助应对具有特定抗生素疗法的手术，创伤，烧伤或严重感染的压力； 原发性和继发性肾上腺皮质不足。
频率响应评估溶液门控晶体管中的石墨烯 - 电解质界面Leo Salgado a
c生物工程，生物材料和纳米医学（Ciber-BBN）的生物医学研究网络中心，Calle Monforte de Lemos 3-5，马德里，西班牙leo.salgado@csic.es leo.salgado@csic.es基于石墨烯基于求解的溶液基因菲尔德型现场效应晶体管（GSGFET）（GSGFFET）（图。1）在生物医学技术中变得重要。为其应用是对石墨烯 - 电解质界面行为的更好了解[1]。此接口可能会受到几个因素的影响，从而修改最终设备的性能。在第一种方法中，可以将其建模为电容（C INT），该电容与晶体管通道面积成反比[2]。这将其直接观察限制在某些尺寸以下，这主要是由于对连接轨道的寄生作用。在这里，我们已经制造了不同尺寸（50x50，100x100和300x300μm）的独立GSGFET，以测量电化学阻抗光谱谱（EIS），以直接评估界面互动的界面电容，以及通过频率响应的频率效应，通过分析（通过分析频率）进行频率效应（通过分析频率）（通过分析）进行了频率（通过分析）。即使我们期望在频率上具有恒定的电容性行为，EIS结果显示出两个不同的电容响应，由电阻过渡隔开（图2和3）。另外，对于GM结果也观察到了相同的行为，由于这两个不同的耦合能力，即使在较小的GSGFET处，在相同的频率下，有两个不同的收益出现在相同的频率下，在较小的GSGFET下，EIS受寄生效应的限制。最后，在两种方法中，都观察到频率过渡取决于pH（图4），促使以下假设：这种现象可以与GSGFET的SIO 2底物的末端组相互作用。所有这些结果证明，GM频率响应的采用是表征小型制造设备中C INT的有价值工具。使用这种方法获得的数据将非常有用，对于鉴定制造干扰物和改进用于分析GSGFET获得的生物学数据的校准方法。参考文献[1] R. Garcia-Cortadella et al。，Small，16（2020）1906640 [2] E. Masvidal-Codina等人，Nature Mater。，18（2019）280-288个数字