解决方案处理的2D材料对其可扩展应用有望。但是，通过离散网络通过离散网络的解决方案处理的纳米量和较差的渗透性传导的随机，零散的性质限制了启用设备的性能。为了克服该问题，通过Stark效应报告了解决方案处理的2D材料的传导调节。以液相去角质的钼二硫化（MOS 2）为例，从界面界面的局部领域证明了以> 10 5为> 10 5的非线性传导切换（VDF-TRFE）。通过密度功能理论的计算以及原位拉曼散射和光致发光光谱分析，该调制是由溶液处理的MOS 2中的电荷重新分布引起的。超过MOS 2，可以显示其他溶液处理的2D材料和低维材料的有效。调制可以打开其电子设备应用，例如，薄膜非线性电子和非挥发性记忆。