表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 表 3.机械特性 @ Vdd = 2.5 V,T = 25 °C,除非另有说明。。。。。。。。。。9 表 4.电气特性 @ Vdd = 2.5 V,T = 25 °C,除非另有说明。。。。。。。。。。。10 表 5.SPI 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 表 6.I2C 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 表 7.绝对最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 表 8.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 表 9.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 表 10.SAD+读/写模式。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 11.当主机向从机写入一个字节时传输。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 12.当主机向从机写入多个字节时传输:。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。19 表 13.当主机从从机接收(读取)一个字节的数据时传输: 。。。。。。。。。。。。。19 表 14.。主设备从从设备接收(读取)多个字节数据时的传输 。.......19 表 15。寄存器地址映射。...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。................23 表 16.CTRL_REG1 寄存器 .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24 表 17.CTRL_REG1 说明 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....24 表 18.功率模式和低功耗输出数据速率配置 .......................24 表 19.正常模式输出数据速率配置和低通截止频率 ........25 表 20.CTRL_REG2 寄存器 ..............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..............25 表 21.CTRL_REG2 描述 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................25 表 22.高通滤波器模式配置 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...26 表 23.高通滤波器截止频率配置 ...............................26 表 24.CTRL_REG3 寄存器 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。......................26 表 25.CTRL_REG3 描述 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.26 表 26.INT 1 和 INT 2 引脚上的数据信号 ..................。。。。。。。。。。。。。.........27 表 27.CTRL_REG4 寄存器 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................27 表 28.CTRL_REG4 描述 .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....................27 表 29.CTRL_REG5 寄存器 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...28 表 30.CTRL_REG5 描述 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>.........28 表 31.睡眠唤醒配置 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>............28 表 32.参考寄存器。....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 33.参考说明 ....< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 34.STATUS_REG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 35.STATUS_REG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 36.INT1_CFG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 37.INT1_CFG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 38.中断 1 源配置 ..........< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 39.INT1_SRC 寄存器 ....< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>...31 表 40.INT1_SRC 描述 .。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 41.INT1_THS 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 42.INT1_THS 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 43.INT1_DURATION 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 44.INT2_DURATION 说明。....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 45.INT2_CFG 寄存器 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.........32 表 46.INT2_CFG 描述 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...............32 表 47.中断模式配置。.......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33 表 48.INT2_SRC 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33
注释 1 V A 和 V B 表示检测到的正弦波的平均偏差 (MAD)。注意,为了使此传递函数线性表示正位移,LVDT 的 V A 和 V B 之和必须与行程长度保持不变。请参见“工作原理”。另请参见图 7 和图 12 中的 R2。 2 从 T MIN 到 T MAX ,仅由 AD598 引起的总误差由增益误差、增益漂移和失调漂移相结合决定。例如,AD598AD 从 T MIN 到 T MAX 的最坏情况总误差计算如下:总误差 = +25 ° C 时的增益误差(± 1% 满量程)+ –40 ° C 至 +25 ° C 之间的增益漂移(FS 的 50 ppm/ ° C × +65 ° C)+ –40 ° C 至 +25 ° C 之间的失调漂移(FS 的 50 ppm/ ° C × +65 ° C)= ± 1.65% 满量程。请注意,满量程的 1000 ppm 等于满量程的 0.1%。满量程定义为最大正输出和最大负输出之间的电压差。3 仅 AD598 的非线性,以满量程的 ppm 为单位。非线性定义为 AD598 输出电压与直线的最大测量偏差。直线由产生的最大满量程负电压与产生的最大满量程正电压连接而成。4 参见传递函数。5 该偏移指的是 (V A –V B )/(V A +V B ) 输入,跨越满量程范围 ± 1。[要使 (V A –V B )/(V A +V B ) 等于 +1,V B 必须等于零伏;相应地,要使 (V A –V B )/(V A +V B ) 等于
特性 JESD204B(子类 1)编码串行数字输出 通道速率高达 16 Gbps 总功耗:1300 MSPS 时为 1.00 W SNR:172.3 MHz 时为 65.6 dBFS(1.59 V p-p 模拟输入满量程) SFDR:172.3 MHz 时为 78 dBFS(1.59 V p-p 模拟输入满量程) 噪声密度 −153.9 dBFS/Hz(1.59 V p-p 模拟输入满量程) −155.6 dBFS/Hz(2.04 V p-p 模拟输入满量程) 0.95 V、1.8 V 和 2.5 V 电源操作 无丢失代码 内部 ADC 电压基准 灵活的差分输入电压范围 1.36 V p-p 至2.04 V p-p(典型值 1.59 V p-p) 2 GHz 可用模拟输入全功率带宽 幅度检测位,可实现高效的 AGC 实施 4 个集成数字下变频器 48 位 NCO 可编程抽取率 差分时钟输入 SPI 控制 整数时钟除以 2 和除以 4 灵活的 JESD204B 通道配置 片上抖动可改善小信号线性度
1 电容单位:1 pF = 10 −12 F;1 fF = 10 −15 F;1 aF = 10 −18 F。满量程 (FS) = 8.192 pF;满量程范围 (FSR) = ±8.192 pF。2 规格未经生产测试,但由产品初始发布时的特性数据支持。3 工厂校准。绝对误差包括工厂增益校准误差、积分非线性误差和系统失调校准后的失调误差,均在 25°C 下。在不同温度下,需要对增益随温度漂移进行补偿。4 可以使用系统失调校准消除电容输入失调。系统失调校准的精度受失调校准寄存器 LSB 大小 (32 aF) 或系统电容失调校准期间的转换器 + 系统 p-p 噪声限制,以较大者为准。为了最大限度地减少转换器 + 系统噪声的影响,应使用较长的转换时间进行系统电容失调校准。系统电容失调校准范围为 ±1 pF;可以使用 CAPDAC 消除较大的失调。5 规格未经生产测试,但由设计保证。6 增益误差在 25°C 时进行工厂校准。在不同温度下,需要对增益随温度漂移进行补偿。7 必须将 VT SETUP 寄存器中的 VTCHOP 位设置为 1,以实现指定的温度传感器和电压输入性能。8 使用外部温度传感二极管 2N3906,非理想因子 n f = 1.008,连接方式如图 37 所示,总串联电阻 <100 Ω。9 满量程误差适用于正满量程和负满量程。
注释:3.光学测量是使用发光二极管 (LED) 光源的小角度入射辐射进行的。4.470 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 470 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 35 nm,发光效率 = 75 lm/W。5.524 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 524 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 47 nm,发光效率 = 520 lm/W。6.565 nm 输入辐照度由具有以下特性的 GaP 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 565 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 28 nm、发光效率 = 595 lm/W。7.635 nm 输入辐照度由具有以下特性的 Al I nGaP 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 635 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 17 nm、发光效率 = 150 lm/W。8.辐照度响应度 R e 的特征范围为 0 至 5 kHz。9.饱和辐照度 = (满量程频率)/(辐照度响应度)。10.照度响应度 Rv 是使用注释 4、5 和 6 中所述的 LED 发光效率值并使用 1 lx = 1 lm/m 2 ,根据辐照度响应度计算得出的。11.非线性定义为 f O 与零点和满量程之间的直线的偏差,以满量程的百分比表示。
6.TB8-标准型号参考标准:EN 13190。标称范围:-50°C至+600°C。测量范围:-40°C至+500°C;从-40℃至500℃的连续测量。准确度等级:根据 EN 13190,测量范围为 1 级,过热:温度 ≤ 400°C 时为满量程值的 30%;限制过热,500°C。特殊过温(选项 F02):温度 ≤150°C 时为背景值的 100%;温度在 150 °C 至 300 °C 之间时为满量程值的 50%。环境温度:-40…+65℃。最大工作压力:15 bar(不含护套)。防护等级:IP 55 符合 EN 60529/IEC 529 标准。 过程连接:AISI 316 材质。 浸入:ø 6 毫米 (cod. 6 )、ø 6.4 毫米 (cod. 7 )、ø 8 毫米 (cod. 8 )、ø 9.6 毫米 (cod. 9 ),AISI 316 材质。