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World File Search System漏极和源
T 型栅极增强型 AlGaN/GaN MIS-HEMT 中寄生电容的不稳定性
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）或金属绝缘体半导体HEMT（MIS-HEMT），凭借优越的极化诱导高迁移率二维电子气（2DEG），因其高开关速度、低寄生参数和低导通电阻而受到广泛关注，并在高频射频和功率开关应用方面都取得了公认的成功[1-4]。通常在厚钝化电介质（如SiNx）上设置栅极和/或源极场板，以减轻栅极漏极区域的高电场并获得更高的击穿电压[5-7]。它们也有助于抑制表面态引入的电流崩塌[5，8]。然而，场板结构将引入额外的寄生电容，导致更高的VDS×IDS功率损耗和更长的开关持续时间。此外，钝化层还会引入钝化电介质/(Al)GaN界面态，甚至电介质本身的体态，它们的捕获/去捕获过程会引起寄生电容的动态漂移，导致实际应用中开关转换紊乱，dV/dt控制失效[9-11]。
欧洲点源和直接源二氧化碳的可用性...
执行摘要 4 1. 介绍 9 2. 现有的二氧化碳市场 11 2.1 现有需求 12 2.1.1 现有的二氧化碳需求预测 13 2.2 现有的供应 13 2.2.1 现有的二氧化碳供应预测 14 3. 潜在的未来二氧化碳市场 15 3.1 潜在的未来二氧化碳需求 15 3.1.1 电子燃料、化学品和塑料 15 3.1.2 建筑材料 18 3.1.3 园艺（温室） 18 3.1.4 新兴需求预测 19 3.2 潜在的未来二氧化碳来源 22 3.2.1 点源：化石燃料和工业过程 22 3.2.2 生物源 24 3.2.3 直接空气捕获（DAC） 26 4. 二氧化碳平衡 29 4.1 DAC 二氧化碳需求量与电子煤油需求量 30 5. 直接空气捕获规模扩大 32 5.1 短期：2025 年和 2030 年 32 5.2 长期：2035 年至 2050 年 33 5.2.1 专家观点 34 5.2.2 增长率 34 5.2.3 二氧化碳捕获的平准化成本 38 5.2.4 能源需求 41 6. 二氧化碳利用率（按来源） 44 6.1 基于捕获成本的最佳二氧化碳来源 44 6.2 基于温室气体排放的最佳二氧化碳来源45 6.3 二氧化碳利用的地理、经济和监管考虑因素
具有自适应机器学习和遗忘功能的生物启发式低功耗二维机器视觉
图 1. 生物启发式 2D 视觉系统。生物视觉神经网络的基本组成部分，a) 眼睛可实现生物视觉，b) 大脑中的视觉皮层可实现生物学习。c) 眼睛中的光感受器可实现光传导和适应。视杆细胞可实现暗视，而视锥细胞可实现明视。d) 突触增强或减弱以进行学习或遗忘，例如，当突触前神经元释放谷氨酸神经递质时，通过控制突触后神经元中的 AMPA 受体数量来实现学习或遗忘。e) 示意图和 f) 人工视觉系统的假彩色显微镜图像，该系统由集成有可编程背栅堆栈的 9×1 2D 光电晶体管阵列组成。该平台可实现光传导、视觉适应、突触可塑性、直接学习、无监督再学习以及利用遗忘在动态噪声下学习等功能。 g) 传输特性，即在黑暗环境中不同漏极偏压（𝑉𝑉 𝐷𝐷𝐷𝐷 ）下源极至漏极电流（𝐼𝐼 𝐷𝐷𝐷 ）随背栅极电压（𝑉𝑉 𝐵𝐵𝐵 ）变化的特性，h) 在蓝色发光二极管（LED）不同照明水平下的光转导，i) 光增强引起的学习或设备电导（𝐺𝐺 ）的增加，以及 j) 在代表性 2D 光电晶体管中，在 𝑉𝑉 𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0 V 时测得的电抑制引起的遗忘或 𝐺𝐺 的减少。
TMUX582F-SEP 耐辐射 +60V 保护，闩锁...
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围：+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能，源极关断漏电流（最大值）为 ±4.5nA，关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料，具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
偶极-偶极相互作用辅助量子点自组装用于高效发光二极管
当前最先进的量子点发光二极管的外部量子效率受限于较低的光子输出耦合效率。采用纳米棒、纳米片和点盘纳米晶体等取向纳米结构的发光二极管有利于光子输出耦合；然而，它们的内部量子效率往往会受到影响，因此实现净增益一直颇具挑战性。本文报道了各向同性形状的量子点，其特征是由纤锌矿相和闪锌矿相组成的混合晶体结构。纤锌矿相促进偶极-偶极相互作用，从而使溶液处理薄膜中的量子点定向，而闪锌矿相则有助于提升电子态简并度，从而实现定向光发射。这些特性的结合在不影响内部量子效率的情况下改善了光子输出耦合。制备的发光二极管的外部量子效率为 35.6%，并且可以在初始亮度为 1,000 cd m –2 的情况下连续运行 4.5 年，性能损失最小约为 5%。
应用说明
一个关键的设计考虑因素是器件处理不安全电流水平的能力。与现有的 HITFET ® 一样，过载保护（包括短路和过热保护）分阶段起作用。这意味着如果超过内部电流限制 I D(lim)，输出级不会立即关闭，但电流会限制为 I D(lim)，并设置相应的位组合（SPI 寄存器）（预警）。因此，器件在模拟区域内工作，漏极和源极之间的电压增加。由于功耗增加，这会导致芯片温度升高。为了防止超过最大结温，受影响通道的温度传感器会关闭输出级。因此，器件可以自我保护。2.1.1 驱动灯 对于具有电容行为的负载，例如开关灯时，浪涌电流可能是稳态值的八倍或十倍。TLE 62xx GP 设备非常适合此类应用，因为它具有内部电流限制，可延长灯的工作寿命。图 3 显示了标称电流约为 0.8 A 的灯的开关。此处的“浪涌电流”限制在 1.3 A 左右。
MoS2/WSe2 中局部电导的可视化......
摘要：范德华 (vdW) 材料的垂直堆叠为二维 (2D) 系统的研究带来了新的自由度。层间耦合强烈影响异质结构的能带结构，从而产生可用于电子和光电子应用的新特性。基于微波显微镜研究，我们报告了门控二硫化钼 (MoS 2 )/二硒化钨 (WSe 2 ) 异质结构器件的定量电成像，这些器件在传输特性中表现出有趣的反双极效应。有趣的是，在源漏电流较大的区域，n 型 MoS 2 中的电子和 p 型 WSe 2 段中的空穴几乎平衡，而异质结构区域的移动电荷则耗尽。局部电导的空间演变可以归因于沿 MoS 2 − 异质结构 − WSe 2 线的横向能带弯曲和耗尽区的形成。我们的工作生动地展示了新传输行为的微观起源，这对于充满活力的范德华异质结研究领域非常重要。关键词：范德华异质结构、微波阻抗显微镜 (MIM)、反双极效应、能带排列、耗尽区
肺切除术后气漏及胸管引流系统的评估
表 1：Thopaz 胸管拔除气流阈值 ...................................................................................... 12 表 2.患者特征 ...................................................................................................................... 26 表 3.主要结果 ...................................................................................................................... 27 表 4.数字系统的设置和调整 ............................................................................................. 38 表 5.常见警报和故障排除 ............................................................................................. 40
项目 2021-07 - 极寒天气...
– I2 发电资源（包括发电机端子）通过升压变压器的高压侧连接到 100 kV 或以上的电压：a) 单个总铭牌额定值大于 20 MVA。或者，b) 工厂/设施总铭牌额定值大于 75 MVA – I4 分散式发电资源，总容量大于 75 MVA（总铭牌额定值），并通过一个系统连接，该系统主要用于将这种容量输送到电压为 100 kV 或以上的公共连接点 o BES 定义中确定的黑启动资源，包含 I3 适用性部分未规定的排除