机构名称：
¥ 2.0
一个关键的设计考虑因素是器件处理不安全电流水平的能力。与现有的 HITFET ® 一样，过载保护（包括短路和过热保护）分阶段起作用。这意味着如果超过内部电流限制 I D(lim)，输出级不会立即关闭，但电流会限制为 I D(lim)，并设置相应的位组合（SPI 寄存器）（预警）。因此，器件在模拟区域内工作，漏极和源极之间的电压增加。由于功耗增加，这会导致芯片温度升高。为了防止超过最大结温，受影响通道的温度传感器会关闭输出级。因此，器件可以自我保护。2.1.1 驱动灯 对于具有电容行为的负载，例如开关灯时，浪涌电流可能是稳态值的八倍或十倍。TLE 62xx GP 设备非常适合此类应用，因为它具有内部电流限制，可延长灯的工作寿命。图 3 显示了标称电流约为 0.8 A 的灯的开关。此处的“浪涌电流”限制在 1.3 A 左右。
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