XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System点尺寸
Sandia National Laboratories融合材料和技术研发的功能
加速器：•HVE 6 MV串联：加速大多数元素从H到Au（1μm点尺寸），非常适合模拟材料中的辐射损害•NEC 3 MV pelletron：加速大多数气体，大多数气体，（150 nm）（150 nm）Rutherford scallford scattersing and Not oferative specting and bebs specter•HVE植入率（350 kV），1个•1°MM，•1 mm，•1 mm，•1 mm，•1 mm，1°MM，•1 mm，1°M。可用的涂层，沉积技术
自由空间高斯光束的表征...
为了最大限度地减少大范围无线光通信 (WOC) 应用中的发散并扩大潜在的链路范围，可以使用位于传输光纤端点焦距处的适当准直透镜对光束进行准直，以减少光束扩散的影响。使用靠近接收光纤端点的类似透镜将光束重新聚焦回光纤中。本报告深入探讨了与研究类似自由空间光通信系统相关的概念，并从理论上优化接收光束点尺寸以确保接收数据信号的最大效率。在研究真实系统时，考虑大气条件至关重要，因为它们具有重大影响。此外，本文还回顾并讨论了最近的进展和发展。
LSPWC中SLM印刷微型螺旋装备的微观结构和表面质量
摘要目前的工作描述了在没有涂层的情况下（LSPWC）对选择性激光熔化制造的中等尺寸（外直径≤10mm）螺旋齿轮的影响。使用200 MJ的能量进行了五次实验，最高为1 J，而点尺寸和重叠分别保持为1 mm和90％。的响应，并根据表面残留应力，表面粗糙度和LSPWC处理样品的微观结构进行比较。结果表明，在LSPWC处理后的螺旋齿轮的根部发展了显着的压缩残留应力，在那里它将状态从拉伸+45 MPa更改为压缩-421 MPa。表面粗糙度已显示出改善，而体积材料的峰值将降低降低了50％以上。微观结构研究是在表面和横截面上使用扫描电子显微镜和电子反向散射分析分析进行的。观察到谷物的修补和不良方向的变化，并确定塑性变形。
凸块尺寸对倒装芯片焊点电流密度和温度分布的影响
采用三维热电分析模拟了共晶SnAg焊料凸点在收缩凸点尺寸时的电流密度和温度分布。研究发现，对于较小的焊点，焊料中的电流拥挤效应显著降低。减少焊料时，热点温度和热梯度增大。由于焦耳热效应，凸点高度为144.7 lm的焊点最高温度为103.15℃，仅比基板温度高3.15℃。然而，当凸点高度降低到28.9 lm时，焊料中的最高温度升高到181.26℃。焊点收缩时会出现严重的焦耳热效应。较小焊点中焦耳热效应较强可能归因于两个原因，首先是Al走线的电阻增加，它是主要的热源。其次，较小凸块中的平均电流密度和局部电流密度增加，导致较小焊料凸块的温度升高。2009 年由 Elsevier Ltd. 出版。
相互作用的能量依赖于硅NS激光扫描中的脉冲宽度
摘要：在过去的几十年中，对半导体硅的激光消融进行了广泛的研究。在超短脉冲结构域中，无论是在FS尺度还是PS尺度上，硅的消融中的脉冲能量阈值都非常依赖于脉冲宽度。然而，在NS脉冲量表中，对脉冲宽度的能量阈值依赖性尚不清楚。这项研究阐明了NS NIR激光消融硅的相互作用能量依赖性。通过脉冲能量沉积速率确定消融或熔化的水平，该脉冲能量沉积速率与激光峰值成正比。较短的脉冲宽度高峰值功率可能会引起表面消融，而较长的脉冲宽度可能会诱导表面熔化。随着脉冲宽度从26增加到500 ns，消融阈值从5.63增加到24.84 j/cm 2。随着脉冲宽度从26增加到200 ns，熔化阈值从3.33增加到5.76 j/cm 2，然后一直保持恒定直至500 ns，最长的宽度。与较短的脉冲宽度不同，较长的脉冲宽度不需要较高的功率水平来诱导表面熔化，因为可以在较低的加热时间较长的脉冲宽度时诱导表面熔化。表面熔化的线宽度小于聚焦点尺寸；该线在缓慢的扫描速度下以连续线的形式出现，或者以高扫描速度以隔离点的形式出现。相比之下，从消融中的线宽度显着超过了聚焦的点大小。
边缘的晶圆和芯片级表征
n近年来，使用CMOS兼容的过程制造硅光子IC（SI PIC）已使具有光学和电函数性具有成本效益的硅芯片的开发。1 - 5）这项技术是光子学 - 电力融合的高性能平台，可在各种行业提供有希望的应用。6 - 9）为增强硅光子学的整合和功能密度，已提出异质和杂交整合方法，以将各种材料系统与单个包装中的各种材料系统相结合。10，11）但是，基于PIC的模块的总成本受到测试，组装和包装过程的影响，这可能占常规INP PIC模块的总成本的80％。12，13）仅产品测试可贡献总成本的约29％，14）对于较不发达的硅光子技术技术，该图可能会增加到约60％ - 90％。15）因此，减少测试，组装和包装成本对于降低基于SI PIC模块的整体成本至关重要。先前的研究采用了两种主要策略来降低测试成本：利用增强的测试结构，16）并增强了测试过程的自动化水平。14）在图片中，一种普遍的测试方法涉及信号通过具有不平衡分裂比的定向耦合器（例如99：1）。这种构造允许99％的信号正常通过波导，而1％的信号被击倒到测试分支。21）17）开发信号通常通过表面耦合器耦合到测试设备，从而促进了自动晶圆级测试系统用于原位和筛选测试的利用。18）然而，在组装和包装阶段，表面光栅耦合器（GCS）在带宽，极化和效率方面遇到限制。19）相比之下，利用点尺寸转换器（SSC）的边缘耦合提供了优点，例如带宽的带宽，降低极化敏感性和增强的耦合效率。20）然而，边缘耦合预先挑战，例如与SSC相关的较大足迹，固定的耦合位置，有限的对齐耐受性和耦合方面的严格规范。