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World File Search System点缺陷
石墨烯中的掺杂型过渡金属原子用于电子的原子尺度剪裁，
图2将Ni原子插入石墨烯晶格。a-b）HAADF-STEM图像显示了两个不同的宏伟概述的样品概述，显示了石墨烯表面形成的3-5 nm ni岛。在Ni岛之间还观察到单个Ni原子。c）石墨烯表面上的ni岛，经Ni L 23鳗鱼核心损失边缘证实。d- e）说明了梁拖动技术，其中电子束位于源材料上（d中的红色箭头的尾巴）），并拖动到原始的石墨烯（d中的红色箭头头））。此过程在ni原子附加到的石墨烯中创建点缺陷时，吐出了Ni源原子。iNSET在e）中显示了带有原子模型覆盖的主HAADF-STEM图像的傅立叶过滤版本，显示了Ni原子的位置。Ni原子位置表示单个和DI-VACACES的职业。f）几分钟的电子束暴露后，掺杂剂的较高分辨率图像。观察到的结构的原子模型被覆盖。g）-i）通过在Ni岛和原始石墨烯上扫描电子束来插入Ni原子的一个例子。最初，石墨烯的斑块没有掺杂剂；由于产生缺陷并将Ni原子从相邻的Ni岛散射到石墨烯上，Ni原子附着在缺陷位点上并掺入晶格中。随着越来越多的C原子从晶格中敲打，孔开始形成，Ni原子装饰边缘，i）。图像E-F）和H-I）使用PyCroscopicy中的原理分析过滤。60，61
纳米级应力局部化对 GaN 高迁移率晶体管辐射敏感性的影响
原子位移的高阈值能量（Ed）[5]、点缺陷的动态退火[6]以及没有传统的栅极绝缘体[7]，这些使得它们在辐射环境中也具有吸引力。GaN HEMT 中故意引起的应力场在整个通道中基本是均匀的。这可能是为什么局部应力的概念尚未在文献中研究的原因。另一个原因可能是局部应力的全局平均值很小；这似乎太小而无法影响任何特性。最后，以纳米级分辨率映射机械应力是一项艰巨的任务。所有这些因素使得 GaN HEMT 文献只能研究均匀应力场的作用。但是，关态偏置可能会在电场周围引起高度局部化的机械应力。[8] 器件制造和设计特征也会产生应力局部化。然而，目前还没有人齐心协力绘制机械应力的空间非均匀性图，以研究其对晶体管特性的影响。常用的实验技术，如悬臂[9]、三点弯曲[10]和四点弯曲[11]，都无法捕捉到应力局部化。衬底去除[12,13]也用于产生均匀的弯曲应力。本研究的动机来自应力约束效应提供的识别易受辐射区域的机会。我们假设纳米级约束应力（机械热点）可能决定辐射损伤（甚至是操作性能下降）的特定位置成核。例如，HEMT 的栅极漏电被归因于促进肖特基接触金属化相互扩散的局部应力强度。[14]只有少数研究试图控制固有应力以显示对辐射效应的明显影响。 [15,16] 有必要将这些研究扩展到特定类型的辐射和压力。
AMIR: M2 TUD HOST UNIVERSITY（二年级学生）
AMIR：M2 TUD HOST UNIVERSITY（二年级学生）秋季学期 代码名称 ECTS 注释 必修 11-01-4189 高级研究实验室（12）* 12 实验室工作 13-K3-M020 产品与系统的生命周期评估** 3 I&ENT 11-01-4104 功能材料 6 11-01-4105 表面与界面 5 选修课*** 11-01-7342 陶瓷材料：合成与特性。第二部分 4 11-01-2009 材料物理概念 6 11-01-7562 计算材料科学 5 11-01-7301 能源应用中的电化学 II： 4 11-01-8131 工程微结构 - 加工、特性和应用 4 11-01-2027 材料科学中的有限元模拟 4 11-01-9063 聚焦离子束显微镜：基础与应用 4 11-01-8202 现代表面科学的基础与技术 4 11-01-2016 界面 - 从润湿到摩擦 4 11-01-7892 扫描电子显微镜简介 1 11-01-2031 材料科学的机器学习 6 11-01-2001 磁性与磁性材料 4 11-01-7292 材料化学 4 11-01-7042 利用高能离子束进行材料研究 - 以及纳米技术 4 11-01-4404 可再生能源系统的材料科学 5 11-01-3018 材料科学中的数学方法 4 11-01-9332 陶瓷材料的力学性能 4 11-01-2006 金属的力学性能 4 11-01-4109 材料科学的微观力学 6 11-01-2026 有机功能材料：从液晶到分子电路 4 11-01-2036 离子固体中的点缺陷 4 11-01-3031 聚合物材料 6 11-01-2023 用于能源相关应用的多孔陶瓷 4 11-01-4004 材料科学的量子力学 6 11-01-8162 半导体界面 4 11-01-2035 智能设计和广告。下一代材料的加工 4 总计 30 春季学期论文 30 * 课程“ 高级研究实验室 (12)”可以由课程“ 高级研究实验室 (8) 11-01-4188”替换，需要 8 ECTS。 ** 课程“ 产品和系统的生命周期评估”不适用于第一年留在波尔多的学生。 *** 所有符合条件的“ 选修课程”均列在 TUCaN 系统的“ 选修课程 M. Sc. 材料科学 ”中。 没有材料科学或物理学学士学位的学生也可以根据要求使用课程“ 材料物理概念 (6 ECTS)”。 ° 模块“ 与导师讨论”是自愿的，但建议参加。
议程
x 9：00-10：00 AM全体谈话i Room Sh 305铁胶片薄膜用于旋转和光子学设备（纸张ID TFE22-18）Caroline Ross，马萨诸塞州技术研究所摘要：Ferromagnetic Insulutor薄膜在Ppentronic，Magnonic，Magnocic，Magnetpticts and Magnetpticter和Magnetpicter andece中提供独特的功能。yttrium铁石榴石具有非常低的磁阻尼，稀土离子的取代以及诸如抗岩石缺陷等点缺陷的引入允许调节各向异性，磁盘，补偿温度和光学特性。我们使用脉冲激光沉积来生产稀土石榴石的单晶膜，厚度为2.5 nm，约2个单位细胞。我们在石榴石/重金属双层中显示了有趣的磁性行为，包括旋转轨道扭矩驱动的域壁运动在室温下以超过4 km/s的速度，切换磁态。铁石榴石还表现出磁性活性和红外线的高透明度，我们展示了如何将硅上生长的石榴石用于集成的磁置隔离器中，以控制光子电路中的光流。Bio：Caroline Ross获得了博士学位。来自英国剑桥大学是哈佛大学的博士后，然后在1997年加入MIT之前在Komag Inc.开发了硬盘技术。。 她的兴趣包括磁性和多效薄膜和阻止共聚物自组装。 她是APS，MRS，英国物理研究所和IEEE的院士，并且是2011年磁性和磁性材料会议的主席。Bio：Caroline Ross获得了博士学位。来自英国剑桥大学是哈佛大学的博士后，然后在1997年加入MIT之前在Komag Inc.开发了硬盘技术。她的兴趣包括磁性和多效薄膜和阻止共聚物自组装。她是APS，MRS，英国物理研究所和IEEE的院士，并且是2011年磁性和磁性材料会议的主席。
无序 PbSbTe 硫族化物中的载流子跃迁
在过去十年中，许多晶体硫族化物由于其不寻常的物理特性和键合机制而引起了人们的关注。[1–6] 对于从相变存储器件[7–9]和光子开关[10–12]到热电器件[13–17]到利用拓扑效应的原型器件[18–20]的许多应用来说，通过改变化学计量或退火等方式来调整电传输的能力至关重要。 特别是，控制电荷载流子浓度和迁移率将非常有利。 例如，对于基于拓扑绝缘体的导电表面态的器件，通常重要的是消除不需要的体载流子源以抑制体传输。 对于热电装置，需要具有精确控制载流子浓度的 n 型和 p 型材料。这些方向的努力包括对一系列三元碲化物中载流子类型的化学调节[21,22]，以及在 GeSbTe (GST) 化合物（如 Ge 2 Sb 2 Te 5 ）和类似的无序硫族化物中通过热退火诱导的安德森跃迁的观察[23–27]。这些硫族化物位于 IV-VI 和 V 2 VI 3 材料之间的连接线上（例如，GST 中的 GeTe 和 Sb 2 Te 3 ）。在前一种情况下，[22] 化学计量变化用于诱导从电子到空穴占主导地位的电荷传输转变，而在后一种情况下，[23–27] 化学计量保持恒定，通过退火结晶相来调节无序水平，导致在增加有序性时发生绝缘体-金属转变。非晶态 GST 结晶为亚稳态、无序、岩盐状相，其中 Te 占据阴离子位置，Ge、Sb 和空位随机占据阳离子位置。通过进一步退火立方体结构可获得稳定的六方相。这三个相都是半导体，但由于自掺杂效应，即由于原生点缺陷导致导电的块状状态被空穴占据，并将费米能级移向价带最大值，因此结晶态显示出高浓度的 p 型载流子。这种现象导致非晶相和结晶相之间产生强烈的电对比，这在
https://doi.org/10.1038/s41560-023-01285-w
[1] R. He, G. Schierning, K. Nielsch, 热电器件：器件、架构和接触优化综述, 3(4) (2018) 1700256。[2] L. Yin, F. Yang, X. Bao, W. Xue, Z. Du, X. Wang, J. Cheng, H. Ji, J. Sui, X. Liu, Y. Wang, F. Cao, J. Mao, M. Li, Z. Ren, Q. Zhang, 一种用于发电的高性能热电模块设计的通用方法, Nature Energy (2023)。 [3] A. Sankhla, H. Kamila, H. Naithani, E. Mueller, J. de Boor, 论 Mg2(Si,Sn)中 Mg 含量的作用：通过原位表征和建模评估其对电子传输的影响并估算相宽度, Materials Today Physics 21 (2021) 100471。[4] Y. Zheng, XY Tan, X. Wan, X. Cheng, Z. Liu, Q. Yan, 用于热电应用的 Bi2Te3 基材料的热稳定性和机械响应, ACS Appl Energ Mat 3(3) (2020) 2078-2089。 [5] GQ Lu, JN Calata, G. Lei, X. Chen, 低温无压烧结技术在半导体器件高性能高温互连中的应用, 2007 年微电子和微系统热、机械和多物理模拟实验国际会议. EuroSime 2007, 2007, pp. 1-5. [6] R. Liu, Y. Xing, J. Liao, X. Xia, C. Wang, C. Zhu, F. Xu, Z.-G. Chen, L. Chen, J. Huang, S. Bai, 基于高性能半 Heusler 热电发电机的热惰性和欧姆接触界面, Nature Communications 13(1) (2022) 7738。[7] S. Tumminello, S. Ayachi, SG Fries, E. Müller, J. de Boor, 热力学计算在实际 TEG 设计中的应用：Mg2(Si0.3Sn0.7)/Cu 互连, Journal of Materials Chemistry A 9(36) (2021) 20436-20452。 [8] S. Ayachi、R. Deshpande、P. Ponnusamy、S. Park、J. Chung、S. Park、B. Ryu、E. Müller、J. de Boor，《点缺陷与接触电极选择的相关性：以 Ag 为例用于 Mg2(Si,Sn) 基热电发电机》，《材料今日物理》16 (2021) 100309。
CDSE量子点缺陷发射的光谱研究 通过氧化石墨烯作为成核剂 2D层次的双氢氧化物和过渡金属二核苷用于应用可再生氢的电化学生产 基因工程噬菌体作为新型纳米材料：抗菌剂以外的应用 USP44过表达通过表观遗传重编程驱动神经母细胞瘤中的MYC样基因表达程序
摘要：在这项工作中，使用硅烷偶联剂（IPTES）和聚合物块（ITP）成功合成了一种新型功能化的氧化石墨烯成核核定剂（GITP），以有效地改善PET的结晶和机械性能。为了全面研究官能化的GO对PET性质的影响，通过使用熔体混合方法将GITP引入PET矩阵来制备PET/GITP纳米复合材料。结果表明，与纯PET相比，PET/GITP具有更好的热稳定性和结晶性能，从而将熔化温度从244.1℃提高到257.1°C，并将其结晶度从595 s降低到201 s。此外，PET/GITP纳米复合材料的结晶温度从185.1℃至207.5℃升高，拉伸强度从50.69 MPa提高到66.8 MPa。本研究为官能化的GO提供了一种有效的策略，作为一种成核剂，可以改善PET聚酯的结晶和机械性能。
免疫疗法对I型糖尿病患者C肽水平的影响：对随机对照试验的系统评价 CDSE量子点缺陷发射的光谱研究 通过氧化石墨烯作为成核剂 2D层次的双氢氧化物和过渡金属二核苷用于应用可再生氢的电化学生产 基因工程噬菌体作为新型纳米材料：抗菌剂以外的应用 USP44过表达通过表观遗传重编程驱动神经母细胞瘤中的MYC样基因表达程序
总共包括11项研究，有1464名研究参与者。包括II期和III期试验。在纳入的研究中，四项研究评估了抗CD3单克隆抗体耳圆脂蛋白的干预措施。另一种抗CD3单克隆抗体Teplizumab被评估为四项研究的干预措施，而两项研究评估了抗CD20抗体利妥昔单抗，一项研究评估了Abatacept作为其介入药物。otelixizumab在较高剂量时表现出益处，但与Ebstein-Barr病毒重新激活和巨细胞病毒感染等不良反应有关，而在较低剂量下，C肽水平或糖基化血红蛋白（HBA1C）未能显示出显着差异。teplizumab在减少C肽丧失和外源胰岛素需求方面表现出了希望，并且与不良事件有关，例如皮疹，淋巴细胞减少症，尿路感染和细胞因子释放综合征。但是，这些反应仅与治疗起源有关，它们自行消退。利妥昔单抗改善了C肽反应，而Abatacept疗法表现出降低C-肽的损失，改善了C肽水平并降低了HBA1C。
CDSE量子点缺陷发射的光谱研究 基于CRISPR/CAS9的基因组编辑在植物生物学中的应用 矩阵映射和Schröder序列空间的紧凑型操作员 使用人工智能脑摄影（EEG）信号探索注意力缺陷多动障碍（ADHD）有症状的成年人的注意力差异 微电网的拓扑概述div> 通过事件相关的电信信号从变化的模拟成分和卷积神经网络方法检测肌萎缩性侧向硬化症 通过基因组编辑开发智能水果作物 基于MRI的基因组分析，使用三个途径深卷积掌网进行IDH分类 与男性发生性关系的男性蒙基毒疫苗的意识和可接受性
1。简介粉红色镉（CD-chal）量子点（QD）是自1990年代初以来一直在合成和探索的最早的量子点[1,2]。它们是具有荧光性能的半导体材料，具有独特的光物理和结构特性，例如高量子产率，高光稳定性，单个窄发射带，宽的吸收带，高摩尔灭绝系数，较小的尺寸（2-10 nm），半导体性质，半导体性质和可修饰的表面[1-4]。具有独特的特性，CD-chal QD已被广泛用于许多不同的技术，例如太阳能电池，LED，生物技术，军事和医学[5-11]。由于它们具有出色的光物理特性，因此经常用于LED和太阳能电池应用[8,9]，甚至高科技品牌（例如三星）都将QDS调整为其监视器系统[12,13]。