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World File Search System热磁性
可加热磁性纳米复合材料与 Fe3O4 纳米立方体
磁性自加热聚合物的开发是许多应用领域中备受关注的领域。磁性填料的固有磁性在这些纳米复合材料的最终加热能力中起着关键作用。因此，已经有报道称，与平均尺寸 1 相似的球形纳米粒子相比，Fe3O4 磁性纳米立方体的加热效率有所提高。该结果是由于磁各向异性的贡献，从而产生了更高的磁矫顽力，从而产生了更高的 SAR（比吸收率）值。在这项工作中，通过热分解过程合成了定义明确的 Fe3O4 纳米立方体，其平均粒径约为 70 纳米（TEM）（图 1）。通过测量交流电磁滞回线估算 SAR 值，纳米立方体分散在水中时的值约为 900 W/g，分散在琼脂（0.5% wt）中的值约为 350 W/g，频率为 403 kHz，场振幅为 30kA/m。在这种情况下，SAR 值的下降是由于介质中粒子的不动，因此是粒子的布朗运动。还描述了温度升高，与平均直径相似的球形纳米粒子相比，纳米立方体的加热性能明显增强（图 2）。最后，通过施加外部交流磁场和亥姆霍兹线圈（319 kHz、400A、约 200G，感应设备型号 EasyHeat Ambrell），研究了纳米复合材料（磁性纳米粒子重量占 30%）的加热能力。研究了聚合物圆盘厚度对最终温度的影响（厚度为 2 毫米和 4 毫米，直径为 30 毫米）。因此，厚度为 2 毫米和 4 毫米的纳米复合材料在 2 分钟后分别达到 100°C 或 250°C 的温度。
用嗜热链球菌CRISPR1-CAS9
使用HALBACH结构作为现场来源和第一阶的Lafesi磁电材料（MCM）的热磁性发生器（TMG）提出了一个活性物质。MCM悬挂在悬臂梁上的自我振荡在热源和散热器之间。与振荡相关的机械能被收集并使用压电材料转化为电。该系统在18°C的冷端和56°C的热源之间起作用（即在储层之间的温度差ΔTRES= 38°C之间的温度差，显示0.12 µW（MCM的每1 cm 3）的功率为0.12 µW。我们介绍并讨论了基于设备机制的热力学周期的详细分析，依赖于对工作原型的直接测量以及MCM的完整实验室表征。尽管我们的系统显示出最新的功率输出，但我们的分析为进一步的性能改进提供了有用的线索。
非重生电子和探测器的超导体 - 铁磁性杂种
常规的超导电子[1]依赖于超导电线和不同类型的弱环节的超电流和准粒子电流转移的相结合。这些组合可以实现各种功能性IES，例如磁力测定法[2]，电流或电压放大器[3]，电压标准标准[4]，以及基于电阻[5]的检测器或依赖于系统的非平衡状态的电感[6]。与他们的半导体库型相比，超导电子设备缺乏基本元素：非二极管设备，例如二极管或热电元素。不存在非股骨能力可以归因于超导状态的内在电子 - 孔对称性。然而，这种对称性可以使用磁和超导元件的组合[7，8]，从原则上讲，它可以实现强大的非重生或功绩的热电图。这些现象可用于创建超导旋转隧道二极管[9]，用于超导逻辑和低温记忆的构件，或诸如超导向器 - forromagnet热磁性检测器（Suptrops-Inctife in Astrackect in Astrocke in Astrops-Ickmicys）的新颖类型的检测类型，例如超过forromagnet theroeecnet theroelec-teric tric检测器[10] ]，例如，在安全成像中使用了Terahertz-radadiation感测[12]。非常明显，在SFTED中，吸收的辐射直接生成所需的测量信号，而无需单独的偏置电流或电压。
无机电气半导体设备
1。该亚类涵盖具有无机半导体体的电动半导体设备。这包括以下类型的设备：•无机半导体设备，专门适用于整流，放大，振荡或切换，例如晶体管或二极管； •具有潜在障碍的个体无机电阻或电容器； •单个电阻器，电容器或电感器没有潜在的障碍，并特别适合与其他半导体组件集成； •该子类覆盖的设备的半导体机构或其区域； •该子类覆盖的设备电极； •集成设备，例如cmos集成设备； •专门针对此类设备的制造或处理的工艺或设备。2。此子类不涵盖：•电子记忆设备，该设备由子类H10B覆盖； •半导体设备对红外辐射，较短波长或红细胞辐射的电磁辐射敏感，这些辐射被亚类H10F覆盖； •发光的半导体设备至少具有一个潜在的屏障，这些屏障被亚类H10H覆盖； •热电，热磁性，压电，电静脉，磁磁性，磁效应，超导或其他电固态设备，这些设备被亚类H10N覆盖； •除半导体机构或电极以外的构造细节，这些细节由H01L组23/00覆盖。3。在此子类中，所使用的周期系统是第c节（3）的元素周期表中指示的i至VIII组系统。