1。该亚类涵盖具有无机半导体体的电动半导体设备。这包括以下类型的设备：•无机半导体设备，专门适用于整流，放大，振荡或切换，例如晶体管或二极管； •具有潜在障碍的个体无机电阻或电容器； •单个电阻器，电容器或电感器没有潜在的障碍，并特别适合与其他半导体组件集成； •该子类覆盖的设备的半导体机构或其区域； •该子类覆盖的设备电极； •集成设备，例如cmos集成设备； •专门针对此类设备的制造或处理的工艺或设备。2。此子类不涵盖：•电子记忆设备，该设备由子类H10B覆盖； •半导体设备对红外辐射，较短波长或红细胞辐射的电磁辐射敏感，这些辐射被亚类H10F覆盖； •发光的半导体设备至少具有一个潜在的屏障，这些屏障被亚类H10H覆盖； •热电，热磁性，压电，电静脉，磁磁性，磁效应，超导或其他电固态设备，这些设备被亚类H10N覆盖； •除半导体机构或电极以外的构造细节，这些细节由H01L组23/00覆盖。3。在此子类中，所使用的周期系统是第c节（3）的元素周期表中指示的i至VIII组系统。