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近年来，传统的晶体管缩放率发生了急剧过渡。不是平面晶体管的相对简单收缩，而是重新设计了整个几何形状。垂直填料现在是一个全面的（GAA）晶体管设计，该设计允许从栅极偏置对通道区域进行更大的静电控制。也很明显，硅缩放量已经达到其末端，并且正在研究新材料，包括用于高级晶体管节点和广泛的专业应用（例如，宽带的功率设备的宽带隙半导体）。仅使用实验来评估设备制造的可行性非常昂贵且耗时，这就是为什么过程模拟在当今的微型和纳米电子设计周期中必不可少的原因。在本演讲中，我将介绍一个有效的多规模过程模拟框架VIENNAP，我们正在开发该框架，以满足现代半导体制造的需求。如今，必须从所有尺度上处理问题：从原子室到反应堆室本身。
标题：半导体设备制造的有效多尺度建模
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