在快速发展的半导体制造领域,多光束掩模版写入机 (MBMW) 已成为光掩模生产的重要工具。光掩模对于不断缩小的半导体元件的生产至关重要。 IMS Nanofabrication 的高性能计算 (HPC) 小组开发的 MBMW 模拟器对理解和改进掩模生产中的写入技术做出了重大贡献。然而,当前 MBMW 模拟方法的一个关键挑战是准确模拟电子背散射等大规模效应的能力有限,而这对于高精度掩模制造至关重要。这项工作通过在 MBMW 模拟器中开发和实施全面的多尺度建模来解决这一差距。主要目标是准确、有效地模拟背散射效应,从而提高模拟器对掩模写入过程中电子散射行为的预测能力。重点是开发一个模型来捕捉不同尺度(从纳米到微米尺度)的反向散射效应。设计模型的目标是模块化和可扩展性。这种灵活性确保了对未来技术发展的适应性和附加模拟模型的集成。实施过程从一维反向散射模拟开始,然后发展到更复杂的二维模型。这种循序渐进的方法不仅提供了对背散射动力学的基本理解,而且还允许对模型进行迭代细化和验证。接下来是错误分析,其中测试模型的能力。这里证明了多尺度方法的准确性和效率,特别是在后向散射起重要作用的场景中。综上所述,这项工作对半导体制造领域做出了重大贡献,特别是在多光束掩模版写入机写入过程的模拟领域。所开发模型的模块化和可扩展性不仅确保了当前的适用性,而且为该领域未来的发展奠定了基础。
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