机构名称：
¥ 13.0
芯片制造中使用的其他材料也适合使用 ICP-MS 进行分析，包括金属有机化合物，例如三甲基镓 (TMG)、三甲基铝 (TMA)、二甲基锌 (DMZ)、四乙氧基硅烷 (TEOS) 和三氯硅烷 (TCS)。此类化合物是用于在金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 和原子层沉积中生长薄金属膜或外延晶体层的前体。纯金属，例如 Al、Cu、Ti、Co、Ni、Ta、W 和 Hf，用作物理气相沉积 (PVD) 的溅射靶，以在晶圆表面形成薄金属膜。砷化氢气体 (AsH 3 ) 用作非硅半导体（例如 GaAs、AlGaAs 和 InGaAsN）的前体。高 k 介电材料包括 Zr、Hf、Sr、Ta 和稀土元素 (REE) 的氯化物和醇盐。这些材料中的每一种都有可接受的污染物水平限值，需要使用 ICP-MS 进行分析。
测量半导体制造中的无机杂质
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