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World File Search System电感器
铁氧体电感器与压粉芯电感器
电感器和变压器磁芯由软磁材料制成。“软”磁材料很容易磁化和消磁，并且只有在通过改变缠绕在其周围的绕组（或“匝”）中的电流来激发这些磁芯并产生电磁场时，才会出现磁场。术语“软”表示磁场不是永久的，当电流停止时磁场就会消失。这与我们通常所说的磁铁不同。“永久”磁铁通常用于拾取或将物体附着在含铁（铁质）金属上（例如冰箱磁铁），并且无需绕组或外部刺激即可产生永久磁场。
变压器和电感器 - Myrra
额定功率（VA） 本目录中指定的功率水平为次级功率水平，换句话说，即变压器带载时可提供的功率水平。它是 RMS 额定次级电压与 RMS 额定电流的乘积。如果变压器具有多个输出绕组，则额定功率表示 RMS 额定次级电压与 RMS 额定次级电流乘积的最大和。此额定功率是根据额定环境温度条件定义的。示例：P = 3,2 VA ta 70/B 变压器在最高环境温度（70°C）下可提供 3.2VA，负载由电阻负载组成，定义为 R（负载）= U（秒）2/P（指定的 U 秒和 P 值），发热不超过此结构中使用的 B 类组件的相关限值。
完全芯片电感器的概述
摘要。本文着重于被动设备的完全集成，尤其是使用图案化接地屏蔽（PGS）和完全集成的电容器的完全集成电感器的多层堆叠（MLS）结构。不同结构的比较集中在集成电感器的主要电参数上（例如诱导𝐿，电感密度𝐿𝐿，质量因子𝑄，最大质量因子的频率最大频率最大，自动恢复频率FSR和串联电阻𝑅DC）和其他非电力参数（例如，所需的区域，制造过程，权限等）在结构比较过程中同样重要。根据制造过程提出了过去几年报告的最显着结果的电感结构。最终的几何和电气特性是在大型元素中，以综合被动装置的制造过程。这项工作概述了集成电感器的概述和最先进的作品，以及用于制造的制造过程。本文的第二个目的是将我们先前工作中提出的结构插入过去7年中报告的其他结果中。使用拟议的解决方案，可以在标准技术中报道的类似的解决方案中获得最高的电感密度= 23.59 nh/mm 2和第二高质量的FACTOR𝑄= 10.09，该解决方案也适合在高级技术节点中生产的集成感应器。
使用忆电感器的神经形态计算
i。在国际单位制中，电感的单位是亨利 (H)。如图 1 所示，通过在线圈内添加由铁磁材料（例如铁）制成的磁芯，来自线圈的磁化通量会在材料中感应出磁化，从而增加磁通量。铁磁芯的高磁导率可以使线圈的电感比没有铁磁芯时增加数千倍 [1]。变形虫等生物表现出原始的学习以及记忆、计时和预测机制。它们的自适应行为可以通过基于忆阻器的 RLC 电路模拟 [2]。受这项工作的启发，我们将设计一种基于忆阻器的神经形态架构，该架构可根据外部刺激频率以自然的方式自行调整其固有谐振频率。与之前的研究相比，我们的创新之处在于，该架构使用独特的记忆电感器来增加其时间常数，然后降低其谐振频率以匹配刺激频率。我们的目的是利用这种架构来帮助更好地研究原始智能的细胞起源。这也是这类研究的意义所在，不仅可以理解原始学习，还可以开发一种新颖的计算架构。
使用忆电感器的神经形态计算
i。在国际单位制中，电感的单位是亨利 (H)。如图 1 所示，通过在线圈内添加由铁磁材料（例如铁）制成的磁芯，来自线圈的磁化通量会在材料中感应出磁化，从而增加磁通量。铁磁芯的高磁导率可以使线圈的电感比没有铁磁芯时增加数千倍 [1]。变形虫等生物表现出原始的学习以及记忆、计时和预测机制。它们的自适应行为可以通过基于忆阻器的 RLC 电路模拟 [2]。受这项工作的启发，我们将设计一种基于忆阻器的神经形态架构，该架构可根据外部刺激频率以自然的方式自行调整其固有谐振频率。与之前的研究相比，我们的创新之处在于，该架构使用独特的记忆电感器来增加其时间常数，然后降低其谐振频率以匹配刺激频率。我们的目的是利用这种架构来帮助更好地研究原始智能的细胞起源。这也是这类研究的意义所在，不仅可以理解原始学习，还可以开发一种新颖的计算架构。
采用全...设计和制造平面电感器
电子封装的小型化是一个持续的趋势。制造商正在增加封装密度以适应更复杂的设计和更高的工作频率。表面贴装器件 (SMD) 和当今的制造工艺开始成为这种小型化的限制因素。这些问题的解决方案是嵌入式无源器件和新的全加成制造工艺。在这项工作中，使用称为顺序构建 - 共价键合金属化 (SBU-CBM) 的全加成工艺制造平面电感器。测试了一种用于 CBM 工艺的新嫁接材料，但在 FR4 基板上测试时发现它比以前使用的材料更差。发现高电感和高 Q 因数的平面电感器的最佳设计是圆形螺旋电感器。使用 SBU-CBM 工艺成功制造了特征尺寸为 75 µm 的平面圆形螺旋电感器。
信函 TSV 电感器的交流电感和品质因数分析模型
片上电感是射频集成电路 (RFIC) 中的重要无源器件 [1]。利用硅通孔 (TSV) 的 3-D 封装技术开创了片上电感、电容、滤波器等无源元件的实现 [2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19]。与传统的 2-D 电感相比，基于 TSV 的 3-D 电感具有电感密度高、体积小的优势 [20、21、22、23、24]。一些研究主要针对基于 TSV 的电感的直流电感建模。基于 3-D 全波仿真获得的 Y 参数，提出了经验近似表达式 [25, 26]。但它很耗时并且在物理上不严谨。[27] 提出了一种基于 TSV 的螺旋电感直流电感的解析模型，该模型据称很简单，但用该模型确定电感是一项非常困难的任务，因为它需要至少 4 N + 2 C 2 N + 1 次计算才能获得 N 匝电感的电感，其中 C 2 N 表示组合，它取决于电感匝数。此外，据我们所知，尚无关于基于 TSV 的螺旋电感的交流电感和品质因数的解析模型的报道。在本文中，提出了基于 TSV 的螺旋电感的直流电感公式。基于该公式及等效电路模型，建立了TSV基螺旋电感的交流电感及品质因数的分析模型
超级电容器、超级电感器形式的超级元件
由无源元件组成的电路元件对于实现高能量和功率密度具有重要意义，并且电路的研究结果接近准确。本文阐明了在不同应用中实现高电导率、电感和电容值的可能方法，并讨论了它们的组合。主要目标是获得高电感、电容和电导值。超级电容器是一种适用于脉冲功率应用的脉冲装置，其技术已在各种应用中得到充分认可。然而，超级电感的概念很新，它可以为大量应用开辟可能性。本文旨在通过对超级电容器和超导体超级电感的分析方法，简要介绍和提供有关实现超级电感的可能性的信息，概述相对磁导率和电感值、优点和应用。
带装饰的食品变压器、开关电源变压器、功率铁氧体变压器、开关电源反激变压器系列、EMI 抑制共模电感器、环形电感器、EMI 抑制调光电感器、鼓芯电感器、电流变压器系列、脉冲变压器系列、电力线通信耦合变压器
I 反激变压器系列 I 变压器/控制电路交叉参考列表 I 1 至 9 W EE 16 74090 – 74091 – 74092 – 74093 – 74094 – 74095 I 1 至 6 W EE 16 74000 – 74001 – 74002 – 74003 I 6 至 12 W EE 16 74010 – 74014 – 74015 I 10 至 18 W EL 19 74020 – 74021 – 74023 I 12 至 24 W EF 20 74080 – 74081 – 74082 I 15 至 30 W EE 25 74030 – 74032 I 35 至 60 W ETD 29 74040 I 35 至 60 W ERL 28 74043 I 60 至 90 W ETD 34 74050 I 70 至 140 W ETD 39 74060 I 120 至 180 W ETD 44 74070