对于长传输电缆,由于 U(Ec) 的变化而导致的计时误差变化可能非常大。图 2 [5] 显示了几种半刚性同轴电缆随温度变化的典型变化。直径为 0.358 cm 的电缆的典型插入损耗在 5 MHz 时为 1 dB/30 m,在 100 MHz 时为 3 dB/30 m。对于 10°C 至 2OOC 的温度变化,采用固体聚四氟乙烯电介质的电缆(曲线 A)表现出较大的滞后现象(由于电介质和导体之间的热膨胀系数不匹配)。人们已经尝试通过减少聚四氟乙烯电介质的数量或加入补偿材料来生产具有较小温度敏感性的电缆(参见图 2 的曲线 B-E)。图 2 中的曲线 F显示了使用 SiO 粉末作为电介质的电缆的温度灵敏度。从 18.3”C 到 23.8OC 的相位变化在 30 m 内小于 _+OS ps,而插入损耗在 100 MHz 时为 3.2 dB130 m。这通常满足距离高达约 100 m 的计时要求。这种电缆的主要缺点是成本。除非温度变化很大,
近年来,聚合物纳米复合电介质由于结合了纳米粒子的高介电常数和聚合物基质的高电击穿强度而提高了介电性能,在电能存储应用中引起了越来越多的关注。本文回顾了电介质储能建模和基于模型的聚合物纳米复合电介质合理设计的最新进展。还讨论了聚合物纳米复合电介质的合成策略和介电性能行为。特别是,本综述重点介绍了显着提高复合电介质能量密度的关键策略和分析模型,包括界面设计、微结构工程和新型高介电填料。通过将机器学习技术与分析模型结合使用,出现了新的设计。为了展示聚合物纳米复合电介质的实际应用,总结了一些最近在电动汽车、脉冲武器系统和电力电子中大规模生产储能装置的实例。最后,讨论了聚合物纳米复合电介质的挑战和新的应用机会。
了解 Si(001) 上替代高 K 电介质的外延生长:应用于氧化镨。《真空科学与技术杂志》美国真空学会 B 官方杂志,微电子处理与现象,2003 年,21,1765。
在 BJT 中,TID 对氧化物电介质的损坏会导致:• 基极电流过大(通过与陷阱的复合增强和 β 退化)• 由于发射极面积增加(通过 N ot 的表面反转)导致 npn 器件中的集电极电流增加• 由于 CB 结中的载流子生成增加(通过陷阱),导致从集电极到基极 (CB) 的反向漏电流增加
• 根据高斯定律,平行板电容器的最大电荷面积密度由 ε r E b 决定。ε r 和 E b 都是电介质的性质。E b 也称为电介质完整性。• 在半导体和器件物理学中,我们使用的单位系统主要是 SI,但长度用 cm 代替 m。
本研究致力于脉冲直流反应磁控溅射氧氮化铪 (HfOxNy) 薄膜的技术和优化。采用田口正交表法优化 HfOxNy 薄膜的制备工艺,以获得具有最佳电气参数的材料。在优化过程中,通过对以氧氮化铪为栅极电介质的 MIS 结构的电气特性监测介电薄膜的参数。还检查了制备的 HfOxNy 层的热稳定性。结果显示,热处理后制备的薄膜的电气参数有所改善。即,我们观察到有益的平带电压 (Vfb) 值、CeV 特性的频率色散消失、有效电荷 (Qeffi/q) 降低以及所检查的 MIS 结构界面陷阱 (Dit) 密度降低。然而,与参考样品相比,介电常数值略低。证明了 HfO x N y 层在高达 800 °C 的温度下具有优异的稳定性。尽管观察到层体中结晶相的显著增加,但未发现电气性能或表面形貌的恶化。本研究的结果使所研究的采用脉冲直流反应磁控溅射制备的 HfO x N y 成为 MIS 结构和器件中栅极电介质的可能候选者。
相比之下,IRRAS在氧化物和二元组中的应用通常不那么发达了。虽然广泛可用的氧化物粉末吸附剂的实验性IR数据,但这些材料的宏观单晶的10,11 IRRAS数据受到限制。10–13此限制源于电介质的特定光学特性,并阻碍了直到最近氧化物上IRRAS数据的实验记录。金属和半导体之间的关键区别是通过金属电子对电场进行筛选,影响总红外反射率,并引起所谓的表面选择规则,管理金属表面上的IRRAS。2,14该规则规定,对于金属,通常仅具有过渡偶极矩的成分的振动
当透射电子显微镜 (TEM) 中的光或电子束与金属纳米粒子相互作用时,可以产生适用于光催化的等离子体。等离子体能量取决于金属类型、粒子大小和金属粒子嵌入的化合物的介电性质。这项活动的主要目的是了解等离子体能量如何受到周围介电介质的影响,因为这些信息对于优化选择性 CO2 转化至关重要。博士候选人将专注于合成定义明确的模型材料,并使用 TEM 和光谱测量金属纳米粒子和无机化合物(介电介质)之间的等离子体相互作用。材料合成将包括金属纳米粒子,以及可能的钙钛矿基氧化物和金属有机骨架 (MOF)。
摘要 — 增材制造为创新天线和微波元件提供了新的可能性。为了充分发挥其潜力,必须充分利用 3D 打印技术提供的功能。3D 打印结构化电介质目前在这方面受到广泛关注。然而,表征这种晶体结构的介电性能并不容易,而且经常需要对这种性能做出假设。本文展示了在具有不同填充率的简单立方 (SC) 和面心立方 (FCC) 晶体几何中,增材制造结构化电介质的介电常数和损耗角正切的表征。将测量结果与 Maxwell-Garnett 有效介质近似预测的值以及从长波长极限的三维平面波展开法 (PWEM) 中提取的有效折射率进行了比较。