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在 BJT 中,TID 对氧化物电介质的损坏会导致:• 基极电流过大(通过与陷阱的复合增强和 β 退化)• 由于发射极面积增加(通过 N ot 的表面反转)导致 npn 器件中的集电极电流增加• 由于 CB 结中的载流子生成增加(通过陷阱),导致从集电极到基极 (CB) 的反向漏电流增加
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