XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System基极
乌迪内大学 - UNIUD
在过去十年中，石墨烯因其独特的电气特性（如高电子迁移率和高饱和速度 [1]）而备受关注。遗憾的是，由于没有带隙，石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中，传统的 MOSFET 结构（如石墨烯场效应晶体管 (GFET)）能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2]，但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降，因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因，最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念，如石墨烯基晶体管 (GBT, [4])，利用通过薄电介质的量子隧穿，如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成（图1 中的插图），其中石墨烯片用作控制电极，即基极 (B)，位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体（分别为 EBI 和 BCI）与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中（即正基极-发射极偏压，V BE > 0 和正集电极-基极偏压，V CB > 0），电子隧穿 EBI，垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极，然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度，
用于低频噪声测量的 FET 输入电压放大器
低频噪声测量仪器 (LFNM) 是用于表征各种设备的工具 [1]。它应用于许多技术，例如半导体 [2, 3]、微电子材料 [4–10]、电化学设备 [11]、光电探测器 [12–18] 以及其他材料 [19–21]。在本研究中，一些特殊放大器 (超低噪声放大器 - ULNA) 被广泛使用。它们的性能还用于检测技术 [22, 23]（作为传感器信号调节中的前置放大器）或其他低噪声仪器的特性分析 [24–27]。然而，这种放大器的设计需要对其组件进行噪声分析并选择无源和有源元件的配置。首先，应该在双极结型晶体管 (BJT) 和场效应晶体管 (FET) 技术之间进行选择。 BJT 的特点是电压噪声较低，电流噪声较高，这是由高基极电流引起的 [26]。在这种情况下，BJT 输入电流噪声随着基极电流的增加而增加，基极电流是将晶体管的工作点设置在有源区并获得高增益所必需的（电流增益系数也取决于基极电流）。使用这种技术，可以获得较低的放大器输入阻抗。然而，这些放大器需要在交流电中使用不稳定的电解电容器
辐射缓解技术（针对混合信号电路）
在 BJT 中，TID 对氧化物电介质的损坏会导致：• 基极电流过大（通过与陷阱的复合增强和 β 退化）• 由于发射极面积增加（通过 N ot 的表面反转）导致 npn 器件中的集电极电流增加• 由于 CB 结中的载流子生成增加（通过陷阱），导致从集电极到基极 (CB) 的反向漏电流增加
多晶硅发射极双极晶体管
由于高发射极掺杂的影响，传统发射极双极晶体管的电流增益受到限制。理论上，通过使用非常小的基极宽度和高发射极掺杂密度，传统发射极晶体管可以获得更高的增益。然而，增加发射极掺杂会降低带隙并增加少数载流子复合 [1]。结果是发射极注入效率降低，电流增益没有实际改善 [2]。增加发射极掺杂还会产生有害影响，降低发射极-基极击穿电压 (BVebo) 并增加发射极-基极结电容 [3]。与传统发射极相关的另一个问题是缩放。当发射极结深度低于 0.2 微米时，少数载流子扩散长度变得大于发射极，这进一步降低了电流增益 [4]。使用多晶硅作为发射极是避免这些问题的一种方法。
宇虹微电子有限公司-网站
发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO IE =10uA, IC =0 5 V 集电极截止电流 I CBO V CB =30V, IE =0 100 nA 发射极截止电流 I EBO V EB =5V, IC =0 100 nA h FE(1) V CE =2V, IC =5mA 40 h FE(2) V CE =2V, IC =150mA 63 250 直流电流增益 h FE(3) V CE =2V, IC =500mA 25 集电极-发射极饱和电压 V CE(sat) IC =500mA, IB =50mA 0.50 V 基极-发射极电压 V BE V CE =2V, IC =500mA 1.00 V 转换频率 f TV CE =5V, IC =10mA,f=100MHz 130 MHz h 的分类FE(2) 等级 BCX54 BCX55 BCX56
Mil Std 教程 - EEE 零件 101 培训 - 2024 年 4 月
• 它代表了封装技术的进步，提高了功能密度并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC)，采用非密封倒装芯片结构，采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来实现信号完整性，并使用通风封装来实现热管理。（例如 Xilinx Virtex-4 FPGA）
MIL-PRF-38535 标准微电路密封和非...
o 它代表了封装技术的进步，提高了功能密度，并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC)，采用非密封倒装芯片结构，采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来保证信号完整性，并使用通风封装来进行热管理。（例如 Xilinx Virtex-4 FPGA）
AB 类运算放大器：低 Iq 音频解决方案
以下是 Quan 电路的摘要：该电路通过感测电压使输出晶体管放大器的静态集电极电流保持恒定，该电压是在与输出晶体管集电极串联的电阻上产生的。采用差分放大器产生代表该电压的第一信号，该信号由通过对放大器输出电压敏感的零电压交叉检测器控制的电路采样和保持。采样和保持的信号相对于可调参考电压反转和积分，产生第二信号。该第二信号控制通过分压器网络中连接的晶体管的电流，为输出晶体管提供基极偏置电压。
E7 用户手册 - 欧姆龙欧洲
输入端子功能 ................................................................................................6-52 � 在数字操作器和控制电路端子之间临时切换操作 .............................................................................................. 6-52 � 阻止逆变器输出（基极阻止命令） ...................................................................................... 6-53 � 多功能模拟输入 A2 禁用/启用 ............................................................................................. 6-53 � 驱动器启用/禁用 ............................................................................................................. 6-54 � 旁路驱动器启用 ............................................................................................................. 6-54 � 停止加速和减速（加速/减速斜坡保持） ............................................................................................. 6-54 � 使用数字输入信号提高和降低频率参考（UP/DOWN） ............................................................................................. 6-55 � 微调控制功能 ............................................................................................................. 6-58 � 模拟频率参考采样/保持 ............................................................................................. 6-59 � 将操作源切换到通信选件卡......................................... 6-60 � 将操作源切换为 MEMOBUS 通信 ......................