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温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
伽玛射线对双极结特性的影响
本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响，以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管（BJT）的类型为（BC-301）（npn）硅，晶体管用60 Co源以不同剂量（1、2、3、4和5）KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明，由于晶体管增益下降和硅电阻率增加，双极结型晶体管的饱和电压V CE（sat）降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流，电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言
内部运算放大器电路
第二级 第二级或中间级由 Q 16 、 Q 17 、 Q 13 B 和两个电阻器 R 8 和 R 9 组成。晶体管 Q 16 充当射极跟随器，从而使第二级具有高输入电阻。这最大限度地减少了输入级的负载并避免了增益损失。此外，添加具有 50kΩ 发射极电阻的 Q 16（类似于 Q 7 和 R 3 ）可增加第一级的对称性，从而提高其 CMRR。晶体管 Q 17 充当共射极放大器，发射极中带有 100Ω 电阻。其负载由 pnp 电流源 Q 13 B 的高输出电阻与输出级的输入电阻并联组成（从 Q 23 的基极看）。使用晶体管电流源作为负载电阻（有源负载）可以获得高增益，而无需使用大电阻，因为大电阻会占用很大的芯片面积并需要很大的电源电压。
基于 TFET - 乌迪内大学 - UNIUD
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件，因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时，漏极和源极保持在相同的电位，该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围，以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比，证明了电荷泵浦装置的正确性 [20]，[21]。因此，即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触，由于源极和漏极具有相反的掺杂类型，我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果，栅极由 500 kHz 方波驱动，其边沿时间为 100 ns，幅度为 1.5 V，基准电平为 0 V，脉冲占空比为 50%。
探索用于燃料电池应用的基于石墨烯的阴极材料的最新发展：全面的概述
摘要：燃料电池位于现代能源研究的最前沿，基于石墨烯的材料作为绩效的关键增强剂。此概述探讨了用于燃料电池应用的石墨烯基底盘材料的最新进步。石墨烯的较大表面积以及出色的电导率和机械强度使其非常适合在不同的固体氧化物燃料电池（SOFC）以及质子交换膜燃料电池（PEMFC）中使用。本评论涵盖了各种形式的石墨烯，包括氧化石墨烯（GO），氧化石墨烯还原（RGO）和掺杂的石墨烯，突出了它们的独特属性和催化贡献。它还研究了结构修饰，掺杂和功能组积分对基于石墨烯基极的电化学特性和耐用性的影响。此外，我们解决了高SOFC工作温度下石墨烯衍生物的热稳定性挑战，这表明潜在的解决方案和未来的研究方向。该分析强调了基于石墨烯的材料在推进燃料电池技术方面的变革潜力，旨在提高效率，具有成本效益和耐用的能源系统。
基础电子学的目标
单元 1：组件 14 小时 组件简介 – 无源组件和有源组件 – 电阻器、标准化、颜色编码技术、电阻器类型 – 电容器、电容器类型 – 电感器、电感器类型、特性和规格、变压器、变压器类型。 二极管 - 原子理论 – 硅和锗的结构 – 导体、半导体、绝缘体的能带图 – 本征和非本征半导体 – PN 结二极管 – 正向和反向偏置 PN 结的特性。 单元 2：特殊二极管及其应用 8 小时 特殊二极管 – 齐纳二极管 – 发光二极管 (LED) – 光敏二极管 (LDR)。 整流器 – 半波和全波（桥式和中心抽头）整流器 – 纹波系数 – 整流器的效率和滤波电路。第 3 单元：晶体管和偏置方法 17 小时 双极结型晶体管 – 晶体管结构 – PNP 和 NPN 晶体管 – 工作模式 – 共基极配置 (CB)、共发射极配置 (CE)、共集电极配置 (CC) – 晶体管参数 – α 和 β 之间的关系 – 偏置方法 – 固定偏置 – 集电极-基极偏置 – 发射极偏置场效应晶体管 – FET 的分类 – BJT 和 JFET 的比较研究 – FET 的优点和缺点 – JFET 的结构 – JFET 特性 – MOSFET（增强和耗尽）
Mohamed, A.、Wagner, M.、Heidari, H. 和 Anders, J. (2022) 带有 2.2 pA/√Hz 低噪声电流源的磁阻传感器前端。IEEE So
许多新兴的生物传感应用 [1]、[2] 以及增强现实应用的人机界面 [3] 都依赖于巨磁电阻 (GMR) 传感器，因为它们具有良好的灵敏度和低 1/f 噪声。作为替代方案，隧道磁电阻 (TMR) 传感器由于其更高的磁阻 (MR) 比可以提供比 GMR 传感器更好的灵敏度。然而，如此高的 MR 比对接口电子设备提出了严格的要求，因为它们的基极电阻变化很大。这种变化会导致放大器输入端出现较大的电压偏移，从而减小放大器的动态范围，在最坏的情况下，如果不进行补偿，会导致前端饱和。消除放大器输入直流偏移的一个可能解决方案是使用斩波电容耦合仪表放大器 (CCIA) 与直流伺服环路 (DSL) [4]，参见图 1a。然而，这种方法需要在放大器的输入参考电压噪声和 DSL 可以补偿的最大偏移之间进行权衡。更具体地说，可以通过增加 C DSL 来补偿更高的输入偏移，而这又会增加 CCIA 的输入参考电压噪声 [5]。作为一种替代方案，图 1b 显示了使用跨阻放大器 (TIA) 处理产生的电流 [2] 的可能性。在这种方案中，通常需要辅助电阻
迈向TOPCon的工业化制造
简介在过去的五年中，光伏行业见证了转换效率不断提高的发展势头。长期以来，该行业的主力一直是铝背面场 (BSF) 太阳能电池，但现在它正被钝化发射极和背面电池 (PERC) 所取代，PERC 可使生产中的转换效率超过 21%，在临近生产环境中的转换效率高达 23.6% [1]。对这些太阳能电池的详细损耗分析表明，金属/半导体触点处的少数电荷载流子复合是主要的损耗机制 [2]。通常采用两种策略来减轻复合损耗：(1) 通过扩散或合金化（例如选择性发射极或铝背面场）在金属触点下方形成重掺杂的 c-Si 区域，以减少界面处的少数电荷载流子；(2) 减少金属化面积分数。后一种策略的一个主要例子是 PERC 结构，其特点是具有局部 Al 接触的介电背面钝化，从而不仅增加了开路电压 (V oc )，而且还增加了短路电流密度 (J sc )（因为改善了红外光的背面反射）。然而，必须通过调整背面接触线（或点）的间距和基极电阻率来仔细平衡 V oc 增益和填充因子 (FF ) 损失。因此，克服这一限制的更好策略是钝化接触，它可以抑制少数电荷载流子复合并实现有效的多数电荷载流子传输。最著名的例子是 a-Si:H/c-Si 异质结（通常称为 HIT、HJT、SHJ）太阳能电池，
CD6靶向的抗体 - 药物结合物作为T细胞介导的疾病的潜在疗法
引言致病性T细胞引起许多疾病，包括大多数自身免疫性疾病和移植物与宿主疾病（GVHD）（1）。在保留正常T细胞和其他组织的同时选择性地靶向这些致病性T细胞是现代医学中治疗性开发的圣杯。到目前为止，泛免疫抑制药物（例如皮质类固醇）用于控制T细胞相关的炎症条件，临床功效不令人满意和许多严重的不良反应（2）。可以很好地确定，一旦被自动或同种抗原激活的致病性T细胞开始迅速生命，从而导致组织损伤，而其他正常T细胞保持静止。单独离开静态T细胞的同时选择性地靶向生命的T细胞，将是开发新药的有效策略，用于致病性T细胞介导的疾病。有丝分裂毒素选择性地杀死主动分裂细胞，并已成功地用于治疗癌症，因为肿瘤细胞通常会积极生长（3）。由于正常的组织细胞（如毛囊和肠上皮细胞）在生理条件下也会增殖，因此这些正常细胞也受到影响，在这些化学疗法中常见的不良反应中表现出来（4，5）。为了有选择地消除致病性增殖T细胞，需要将化学治疗性有丝分裂毒素直接递送到T细胞中。抗体 - 药物结合物（ADC）正在成为有前途的癌症治疗。这些癌细胞和致病性T细胞具有一个共同的特征 - 两者都在积极增殖。通过将有效的毒素结合到针对癌细胞表面抗原特异性的单克隆抗体（MAB）上而开发，该毒素在与表面抗原结合后，通过MAB选择性地输送到靶癌细胞中，并被内化地化为癌细胞而没有对其他组织的癌细胞杀死癌细胞（6）。单甲基极氨基蛋白E（MMAE）是一种有效的有丝分裂毒素，是几个FDA批准的ADC中的有效载荷，它通过迅速诱导细胞凋亡而杀死了主动分裂的癌细胞（7）。因此，已证明的ADC方法