本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响,以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管(BJT)的类型为(BC-301)(npn)硅,晶体管用60 Co源以不同剂量(1、2、3、4和5)KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明,由于晶体管增益下降和硅电阻率增加,双极结型晶体管的饱和电压V CE(sat)降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流,电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言