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World File Search System硅电阻
ATLAS 内轨硅条传感器中多晶硅电阻的特性——辐射前后的温度函数
1 捷克科学院物理研究所，Na Slovance 2，18221 布拉格 8，捷克共和国 2 查理大学数学与物理学院，V Holesovickach 2，布拉格，CZ18000，捷克共和国 3 伯明翰大学物理与天文学院，伯明翰 B152TT，英国 4 国立微电子中心（IMB-CNM，CSIC），UAB-Bellaterra 校区，08193 巴塞罗那，西班牙 5 粒子物理研究所，IFIC/CSIC-UV，C/Catedrático José Beltrán 2，E-46980 帕特尔纳，瓦伦西亚，西班牙 6 约瑟夫·斯特凡研究所实验粒子物理系，Jamova 39，SI-1000 卢布尔雅那，斯洛文尼亚 7 圣克鲁斯大学粒子物理研究所 (SCIPP)加利福尼亚大学圣克鲁斯分校，CA 95064，美国 8 TRIUMF，4004 Wesbrook Mall，温哥华，BC V6T 2A3，加拿大 9 西蒙弗雷泽大学物理系，8888 University Drive，本那比，BC V5A 1S6，加拿大 10 筑波大学纯粹与应用科学研究所，1-1-1 Tennodai，筑波，茨城 305-8571，日本 11 多伦多大学物理系，60 Saint George St.，多伦多，安大略省 M5S1A7，加拿大 12 高能加速器研究组织 (KEK) 粒子与核研究所，1-1 Oho，筑波，茨城 305-0801，日本 ∗ 主要作者，电子邮件：vera.latonova@cern.ch，† 替补演讲人，电子邮件：jiri.kroll@cern.ch
薄型和矩形芯片粘合拾取机制...
芯片贴装是集成电路 (IC) 封装工艺中最关键的工艺之一。过去几年，芯片厚度越薄，漏源导通电阻 RDS(on) 越小，顶部金属和焊盘之间的硅电阻越低，散热性能越好，堆叠封装厚度越薄，重量越轻，这些要求就越高。这种三维技术代表了封装创新的下一波浪潮，并将在未来几年内实现大幅增长 (Ibrahim 等人，2007 年)。这些趋势对现有的电子封装技术（主要是芯片拾取工艺）提出了相当大的挑战。必须特别注意处理更薄芯片的工艺，以确保半导体产品的可靠性和质量 (Huiqiang 等人，2015 年；Carine 等人，2014 年)。