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World File Search System电子激发
A理论上改性的地面状态反应 - via- ...
我们提供了一种简单而直观的理论，可以解释分子与光腔的耦合如何通过利用轻质 - 强度相互作用的固有量子行为来改变地面态化学反应性。使用最近开发的极化Fock状态代表，我们证明，由于具有偏振液体的重叠的糖尿病电子耦合的缩放，因此实现了地面电势的变化。我们的理论预测，对于质子转移模型系统，当腔频率在电子激发范围内时，可以通过光物质相互作用来修饰基态屏障高度。我们的简单理论解释了一些最近发现相同效果的计算研究。我们也表明，在光和物质的深厚耦合极限下，极化的地面和第一个激发的特征态成为Mulliken-Hush的绝热状态，后者是偶极子操作员的本征态。这项工作提供了一个简单但功能强大的观念框架，以了解分子和腔之间的强耦合如何修改基态重复性。
基于织物的柔性热电发电机
从载体 - phonon相互作用的角度讨论了氧化钨氧化钨（WO 3）的结构变化（WO 3），这是一种有希望的可见光响应性光催化剂。高速时间分辨X射线吸收光谱在光激发后立即观察到的前边缘峰的增加归因于由于Fröhlich-Polaron通过与光学纵向纵向音子的相互作用而产生的局部晶格失真。双分子重组可以通过双丙酸酯状态的形成来抑制，并且预期光催化中的高内部量子产率。双极状态在电子激发状态下是不稳定的状态，并通过声子 - 呼应相互作用放松到电子激发态中的稳定结构。在稳定的结构中，发现过渡偶极矩几乎为零，表明非辐射型过渡到电子基态，并且在电子激发态中的寿命很长。
EMRP 模板（文档）
单电子量子光学在量子计量中的潜力和实用性：目前，没有足够的实验数据来确定不同单电子量子光学技术的局限性和优势。在本项目中，将仔细研究不同技术在计量中的应用。结果用于按需单电子量子光学传感和状态层析成像的半导体器件组件该项目将开发优化和新组件，以在广泛的电子激发能量（10 µeV – 100 meV）和两种材料系统（传统半导体砷化镓和有前景的新材料石墨烯）中实现基于单电子波包的计量。现有的按需单电子波包源设计和控制方案将得到改进，以应用于传感和状态层析成像。将开发用于在不同能量范围内检测单波包的器件组件。不同的设备组件将集成到单电子波包量子电路中，用于传感和断层扫描。
脉冲场电离探测里德堡镁原子
为了实现这一目标，必须检测并选择性地处理不同的里德堡态。这是使用脉冲场电离实现的。本论文中描述的镁里德堡原子是使用双光子激发产生的。换句话说，285 nm 激光将电子从 3 s 2 1 S 0（基态）激发到 3s 3p 1 P 1 态。接下来，375 nm 将同一个电子激发到 3s ns 1 S 0 或 3s nd 1 D 2 态，这取决于选择规则。里德堡原子在磁光阱 (MOT) 中制备，通过电场脉冲电离并使用微通道板 (MCP) 检测。这使得选择性检测里德堡态成为可能。使用量子缺陷理论，将实验发现的状态分配给它们特定的状态。此外，为了实现选择性电离检测，还进行了飞行时间测量，并测量了不同状态的寿命。
施加到扭曲过渡的低缩放GW算法 -
1。物质中的电子激发在各种物理现象中起关键作用，包括光吸收和运输。这些激发的特征受宿主材料的强烈影响。激子是绑定的电子 - 孔对，在过去十年中出现的低维半导体中表现出出色且异常强的电子 - 孔结合。1当彼此堆叠两个原子薄的半导体时，两层之间的原子比对可以表现出周期性的变化，从而导致一种新型的平面超级晶格，称为Moire Super晶格。Moire ́结构最近引起了极大的关注2-12，其中包括由于Moire的电势，2个Interlayer，5、6和内部电荷电荷转移而引起的空间限制。9此外，Moire的电子特性́晶格可以通过频带比对和层之间的扭曲角度调节，从而使Moire ́结构具有巨大的希望，是在未来十个十年中探测电子和光子量子现象的令人兴奋的平台。12
纳米谱诱导的手性反转的线性和非线性光学特性的物理机制
摘要：基于密度功能理论（DFT）和波函数分析，紫外和可见的分光光度计（UV-VIS）光谱和1-Meso的Raman光谱以及通过手性纳米矩阵的手性分离获得的1-Meso和1-RAC。通过过渡密度矩阵（TDM）和电荷密度差（CDD）图研究了1-MESO和1-RAC的电子激发特性。基于基于赫希菲尔德分区（IGMH）的非独立梯度模型，讨论了分子间相互作用。使用静电电势（ESP）研究了1-MESO和1-RAC与外部环境的相互作用，并根据外部磁场下的磁诱导电流研究了1-MESO和1-RAC的电子定位度。通过1-RAC的手性分离，两个对映异构体，1-（p，p）和1-（m，m）。通过分析1-Meso，1-Meso，1-（P，P）和1-（P）和1-（M，M），过渡电动偶极矩（TEDM）和过渡磁性二极管矩（TMDM）的电子圆二色（ECD）光谱来揭示分子的电磁相互作用。发现，由于结构的反转，1-（p，p）和1-（m，m）具有相反的手性特性。
在滑动铁电
先前的实验提供了分别在二维材料中滑动铁电性和光激发层间剪切位移的证据。在这里，我们发现通过激光照明，在H -BN双层中令人惊讶的0.5 ps中可以实现垂直铁电的完全逆转。综合分析表明，铁电偏振转换源自激光诱导的层间滑动，这是由多个声子的选择性激发触发的。从上层n原子的P z轨道到下层B原子的P z轨道的层间电子激发产生所需的方向性层间力，激活了平面内光学TOTO TOTO TOS TOTO to-1和LO-1声音声模式。由TO-1和LO-1模式的耦合驱动的原子运动与铁电软模式相干，从而调节了动态势能表面并导致超快铁电偏振反转。我们的工作为滑动铁电的超快偏振转换提供了一种新颖的微观见解。
用于计算分子激发能，电离电位和电子亲和力的量子自符合方程式方法
用于估计嘈杂的中间量子量子（NISQ）ERA设备上的分子基态性能，基于变异的量子本特征（VQE）算法的算法已获得流行，因为它们相对较低的电路深度和对噪声的弹性。9,10这导致了一系列成功的演示，涉及当今量子设备和模拟器上小分子的分子基态能量的计算。4,6,11 - 22然而，仅对分子基态能量的估计不足以描述许多有趣的化学过程，这些化学过程涉及某种形式的电子激发。23，例如，化学现象的准确建模，例如光化学反应，涉及过渡金属复合物，光合作用，太阳能电池操作等的催化过程等。需要对分子地面和激发态进行精确模拟。这种系统的电子激发态通常密切相关，因此需要使用复杂的量子化学理论来准确描述。在过去的几十年中，在这方面已经开发了许多方法。24 - 32最初由Stanton和Bartlett开发的运动方程耦合群集（EOM-CC）26方法是一个流行的示例，通常用于计算分子激发剂，例如激发能量
用于计算分子激发能，电离电位和电子亲和力的量子自符合方程式方法
用于估计嘈杂的中间量子量子（NISQ）ERA设备上的分子基态性能，基于变异的量子本特征（VQE）算法的算法已获得流行，因为它们相对较低的电路深度和对噪声的弹性。9,10这导致了一系列成功的演示，涉及当今量子设备和模拟器上小分子的分子基态能量的计算。4,6,11 - 22然而，仅对分子基态能量的估计不足以描述许多有趣的化学过程，这些化学过程涉及某种形式的电子激发。23，例如，化学现象的准确建模，例如光化学反应，涉及过渡金属复合物，光合作用，太阳能电池操作等的催化过程等。需要对分子地面和激发态进行精确模拟。这种系统的电子激发态通常密切相关，因此需要使用复杂的量子化学理论来准确描述。在过去的几十年中，在这方面已经开发了许多方法。24 - 32最初由Stanton和Bartlett开发的运动方程耦合群集（EOM-CC）26方法是一个流行的示例，通常用于计算分子激发剂，例如激发能量
BF 和 BF2 的电子散射研究 - 伦敦大学学院发现
BF、BF 2 、BF 3 和正离子种类如B + 、BF + 、BF + 2 、BF + 3 。此类碰撞过程还控制等离子体的稳定性和放电平衡。等离子体中产生的种类和自由电子会引起各种碰撞过程，了解这些碰撞过程对于模拟 BF 3 等离子体非常重要。因此，等离子体中所有离子和中性粒子的可靠电子碰撞截面是准确进行等离子体放电模拟的重要数据。碰撞截面数据是等离子体模拟的重要输入，此类模拟的准确性与输入数据的可靠性直接相关。在 (3 ∼ 100 eV) 范围内的碰撞截面数据对于低温等离子体 (3 ∼ 5 eV) 很重要，其中电子的能量可分布高达 100 eV。弹性散射是大多数等离子体放电中的主要过程，因为与其他反应相比，该过程的碰撞截面较大；弹性散射有助于使电子热化。另一方面，对于电子激发过程，电子激发阈值低于电离阈值，因此当电子温度较低时，该反应可能很重要。在实验中，散射和激发截面可用于分析电子加热机制 [5, 6]。即使在这种情况下，也需要至少 25 eV 的数据，但最高可达 100 eV。此外，由于这些自由基难以制备、反应性强且具有强腐蚀性，因此对 BF 和 BF 2 等自由基的实验研究既困难又罕见；因此目前没有可用的实验数据。理论计算在提供全面能量范围内的数据方面的重要性已得到充分证实 [7]。电子与中性 BF 3 分子的碰撞研究在理论和实验上都得到了相当大的关注 [4, 8–17]。文献中也有一些关于正 BF x 离子的各种碰撞过程的电子碰撞研究 [1, 18, 19]。然而，还没有对自由基 BF 和 BF 2 中的电子诱导碰撞过程进行系统研究，而这种碰撞过程在任何含 BF 3 的等离子体中都起着重要作用。我们最近使用 R 矩阵方法对 BF 3 分子的电子散射截面进行了研究[17]，结果表明其与实验数据高度一致，这促使我们对 BF 和 BF 2 进行类似的计算。这是本研究的主要动机之一。文献中唯一可用的研究是 Kim 等人[10]的工作，他们使用二元相遇 Bethe (BEB) [20] 方法提供了 BF 和 BF 2 的电离截面。因此，在本研究中，我们提供了 BF 和 BF 2 的一组重要截面，如弹性、激发、微分截面（DCS）和动量转移截面（MTCS）以及总电离截面，并与 BEB 数据进行比较 [10]。使用 R 矩阵和球面复光学势 (SCOP) 方法，采用完整活性空间配置 (CAS-CI) 和静态交换 (SE) 模型进行计算。CAS-CI 计算随着目标状态数量的增加而进行，直到获得收敛结果。我们使用两种理论方法在不同的能量范围内进行计算。在低能区（<10eV），从头算 R 矩阵方法可以很好地表示电子-分子