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World File Search System电子陷阱
新电子陷阱可能有助于量子计算机
克里斯·梦露（Chris Monroe）曾与基于离子的Qubits合作从事量子计算设备，他说，这项工作是“引人注目的”，但强调，在成为可行的技术之前，“未来还有很多剩余的挑战”。电子只有一个内部的“旋钮”（他们的旋转），而不会像离子状态一样，用激光束进行读写操作，无法通过激光束进行操纵。但是，哈夫纳说，为此而不是激光使用基于芯片的磁性操作实际上可以简化技术。Monroe补充说，将电子系统的元素与被困离子的元素结合在一起意味着电子量子位“希望可以采用两者中最好的”。
通过陷阱预层与半导体聚合物之间的缓慢三重接触形成电子陷阱
摘要 早在 2012 年，Blom 等人就报道 (Nature Materials 2012, 11, 882) 半导体聚合物中的一般电子陷阱密度约为 3 × 10 17 cm −3 ，中心能量为低于真空度 ≈3.6 eV。有人提出，陷阱具有外部来源，水-氧复合物 [2(H 2 O)-O 2 ] 是可能的候选者，因为它具有电子亲和力。然而，缺乏进一步的证据，通用电子陷阱的起源仍然难以捉摸。本文在聚合物二极管中研究了可逆电子陷阱的温度依赖性，该陷阱在偏置应力下在数分钟内缓慢发展到 2 × 10 17 cm −3 的密度，中心能量为低于真空度 3.6 eV。陷阱形成动力学遵循 3 阶动力学，与陷阱通过三个扩散前体粒子相遇形成的理论一致。通用陷阱和缓慢演化的陷阱之间的一致性表明，半导体聚合物中的一般电子陷阱是通过氧和水分子之间的三重相遇过程形成的，该过程形成了建议的 [2(H 2 O)-O 2 ] 复合物作为陷阱起源。
基于单离子的电流和电容标准...
1. 引言单电子隧穿 (SET) 器件提供了一种操控单个电子并以极高的精度检测这些电子运动的方法。它们对计量和基本常数的潜在影响早在 20 世纪 80 年代该领域的发展中就已被认识到。到 20 世纪 90 年代初，几种 SET 器件已证明能够检测比 e 小得多的电荷并将单个电荷从一个电极转移到另一个电极。在过去几年中，这些器件的性能已提升到基本标准和高精度测量所需的水平：SET 静电计可以在 1 Hz 带宽内检测到 ~ 10 –5 e；电子陷阱可以将单个电荷存储数小时；电子泵可以传输数亿个单个电子，不确定度约为 10 –
氟化物化学中的卤化物钙钛矿中的化学
将氧化成SN IV物种，通过电子陷阱的不良形成和材料的P掺杂导致性能大幅下降。[6]先前的研究报道了这种氧化的许多起源，例如溶剂[7,8]处理条件[9]，甚至是通过在锡贫乏环境中占比例的。[10]停止这种氧化是实现高效且稳定的锡卤化物PSC的要求之一。因此，已经进行了几项试验，以应对SN II的氧化。这些包括使用新的溶剂系统来避免二甲基硫氧化物（DMSO）氧化[11]，[11]使用还原剂消除SN IV的含量，例如金属sn粉[12]或下磷酸[13]或介入添加剂来减轻诸如Snn IV的形成，snf snf，snf，snf snf snf snf snf。[6,14]
超低温度LA2O3/ ... div>的实验研究
在本文中，提出了一个LA 2 O 3 /HFO 2双层偶极 - 偶极 - 第一（DF）工艺，并通过超低温度PVD PVD介电层压板进行了研究，以实现较低的栅极有效工作功能（EWF），以实现整体岩石3D-IC（M3D）应用。全面研究了超低温度LA-偶极子对EWF调制和界面特性的影响。发现平移电压（V FB）用较低的1nm La 2 O 3厚度呈60 mV，这提供了满足SI传导带边缘EWF调制的有效方法。此外，LA 2 O 3 /HFO 2 BI-LAYER DF工艺抑制了电子陷阱 /逐渐陷阱密度（非）和界面陷阱密度（DIT），以提高设备性能。这些结果在低热整合中表现出有希望的双层DF工艺，用于高级IC技术。
氧空位对铁电氧化铪电场循环行为的影响
摘要 —基于密度泛函理论（DFT）计算，提出了一种关于HfO 2 基铁电器件中氧空位（Vo）的新机制。在该机制中，除了已知的o相HfO 2 之外，m相HfO 2 中的Vo不仅作为电子陷阱而且也表现出铁电性。而“唤醒”过程中剩余极化的增加主要归因于这部分Vo-m相HfO 2 铁电单元。基于新机制，开发了动力学蒙特卡罗（KMC）模拟器来量化在HfO 2 基铁电器件中观察到的典型电场循环行为，包括唤醒、疲劳、分裂和击穿效应。这种新的认识建立了Vo与循环行为之间的关系，并进一步揭示了掺杂剂与HfO 2 基铁电器件唤醒特性之间的联系。
β-GA2O3 Schottky的可靠电性能...
大小（2×2 mm 2）β -GA -GA 2 O 3 Schottky屏障二极管（SBD）的电气和陷阱特性已有50至350 K报道。理想因素（n）从1.34降低到几乎统一，随着温度从50 K上升到350 K，表明近乎理想的肖特基特征。低温温度（100 k）处的泄漏电流被显着抑制，表明在低温下的状态堵塞性能出色。载体浓度（N S）和Schottky屏障高度（φB）的温度依赖性弱依赖于β -GA -GA 2 O 3 SBD的稳定电特性。应力电流密度 - 电压（J-V）和即时测量结果揭示了在恶劣的低温条件下可靠的动态性能。通过深层瞬态光谱法（电子陷阱）与低频噪声光谱中的动态性能不稳定性和Lorentzian驼峰有关，在低频噪声光谱中被揭示了β-GA-GA 2 O 3 Epilayer。这项研究揭示了在极端温度环境中利用大型β -GA -GA 2 O 3 SBD的巨大潜力。
NEPP 任务：固体钽电容器浪涌电流测试的可靠性影响
固体钽电容器广泛用于太空应用，以过滤电源电路中的低频纹波电流并稳定系统中的直流电压。根据军用规格 (MIL-PRF-55365) 制造的钽电容器是可靠的元件，D 级或 S 级每 1000 小时的故障率低于 0.001%（故障率低于 10 FIT），因此这些部件属于可靠性最高的电子元件。尽管如此，钽电容器确实会发生故障，一旦发生，可能会对系统造成灾难性的后果。这是由于短路故障模式，可能会损坏电源，也是由于在低阻抗应用中发生故障时，带有锰阴极的钽电容器具有自燃能力。在此类故障中，钽颗粒与过热的氧化锰阴极产生的氧气发生放热反应，释放出大量能量，不仅会损坏部件，还会损坏电路板和周围元件。与陶瓷部件相比，钽电容器的一个特点是电容值相对较大，在当代小尺寸芯片电容器中电容值达到数十和数百微法拉。这可能会导致电路板首次通电时部件出现所谓的浪涌电流或开启故障。这种故障被认为是钽电容器中最常见的故障类型 [1]，是由于电路中电压 dV/dt 的快速变化，在电路中电流不受限制时产生高浪涌电流尖峰，I sp = C×dV/dt。这些尖峰电流可以达到数百安培，并导致系统发生灾难性故障。浪涌电流故障的机理尚未完全了解，相关文献中讨论了不同的假设。其中包括持续闪烁击穿模型 [1-3]；电感相对较高的电路中的电振荡 [4-6]；阴极局部过热 [5, 7, 8]；MnO 2 晶体撞击导致的五氧化二钽电介质机械损伤 [2, 9, 10]；或电流尖峰期间产生的电磁力引起的应力诱导电子陷阱生成 [11]。然而，我们的数据显示闪烁击穿电压明显高于浪涌电流击穿电压，因此仍不清楚为什么没有闪烁的部件在浪涌电流测试 (SCT) 期间会在相同电压下失效。关于浪涌电流故障的一个普遍接受的解释是，在浪涌电流条件下，如果电流供应不受限制，钽电容器中的自愈机制不起作用，如果电流受到限制，那么本来会是一个轻微的闪烁尖峰，但到了部件上就会变成灾难性的故障 [1, 12]。电子元件（尤其是钽电容器）的使用风险可以定义为故障概率和后果（例如，表示为返工、重新测试、重新设计、项目延误等成本）的乘积。在这方面，钽电容器可以被视为具有高应用风险的低故障率部件。为了降低这种风险，有必要进一步开发筛选和鉴定系统，特别注意现有程序中可能存在的缺陷。