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大小（2×2 mm 2）β -GA -GA 2 O 3 Schottky屏障二极管（SBD）的电气和陷阱特性已有50至350 K报道。理想因素（n）从1.34降低到几乎统一，随着温度从50 K上升到350 K，表明近乎理想的肖特基特征。低温温度（100 k）处的泄漏电流被显着抑制，表明在低温下的状态堵塞性能出色。载体浓度（N S）和Schottky屏障高度（φB）的温度依赖性弱依赖于β -GA -GA 2 O 3 SBD的稳定电特性。应力电流密度 - 电压（J-V）和即时测量结果揭示了在恶劣的低温条件下可靠的动态性能。通过深层瞬态光谱法（电子陷阱）与低频噪声光谱中的动态性能不稳定性和Lorentzian驼峰有关，在低频噪声光谱中被揭示了β-GA-GA 2 O 3 Epilayer。这项研究揭示了在极端温度环境中利用大型β -GA -GA 2 O 3 SBD的巨大潜力。
β-GA2O3 Schottky的可靠电性能...
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