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World File Search System电感
完全芯片电感器的概述
摘要。本文着重于被动设备的完全集成，尤其是使用图案化接地屏蔽（PGS）和完全集成的电容器的完全集成电感器的多层堆叠（MLS）结构。不同结构的比较集中在集成电感器的主要电参数上（例如诱导𝐿，电感密度𝐿𝐿，质量因子𝑄，最大质量因子的频率最大频率最大，自动恢复频率FSR和串联电阻𝑅DC）和其他非电力参数（例如，所需的区域，制造过程，权限等）在结构比较过程中同样重要。根据制造过程提出了过去几年报告的最显着结果的电感结构。最终的几何和电气特性是在大型元素中，以综合被动装置的制造过程。这项工作概述了集成电感器的概述和最先进的作品，以及用于制造的制造过程。本文的第二个目的是将我们先前工作中提出的结构插入过去7年中报告的其他结果中。使用拟议的解决方案，可以在标准技术中报道的类似的解决方案中获得最高的电感密度= 23.59 nh/mm 2和第二高质量的FACTOR𝑄= 10.09，该解决方案也适合在高级技术节点中生产的集成感应器。
NIDA 公司计算机辅助...
MOD 6 - 交流电路简介. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 MOD 7 - 交流测试设备. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 模块 8 — 电感和 RL 电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..................................................................................................................................................................................................................................................................12 MOD 11 - 共振........................................................................................................................................................................................................................................................................................12 MOD 12 - 变压器........................................................................................................................................................................................................................................................................12 MOD 12 - 变压器.................................................................................................................................................................................................................................................................. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 型号 13 - 继电器和开关. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 型号 1403 - 模拟电路
传感器和仪器仪表 - I
测量仪器的广义配置和功能描述：仪器的功能元件、测量误差：粗大误差和系统误差、绝对误差和相对误差、测量仪器和仪器系统的 I/O 配置 - 干扰和修改输入的校正方法。08 小时仪器的广义性能特征：静态特性：静态校准的含义、准确度、精密度和偏差、静态灵敏度、线性度、阈值、分辨率、滞后和死区。刻度可读性、跨度、广义静态刚度和输入阻抗、动态特性基础。06 小时电阻、电感、电容和 Q 因数的测量：惠斯通电桥、灵敏度分析、局限性、开尔文双电桥、麦克斯韦电桥、西林电桥、源和探测器、电桥屏蔽、Q 计。08 小时位移测量：位移测量原理、电阻电位器、电阻应变计、可变电感和可变磁阻拾音器、LVDT、电容拾音器、激光位移传感器。 06 小时
移动电极阻抗光谱，以精确的电导率测量腐蚀性离子介质
对于此类高级应用，使用高精度的电导率测量单元，能够在广泛的电导率范围内进行测量并且对广泛的腐蚀性离子介质具有抵抗力是有益的。最常见的是，使用了两种类型的电导率传感器：基于电极的传感器和电感传感器。电极传感器适用于低电导率和中等电导率，电导率的精度在2×10-8至0.65 s cm -1的范围内±3％至5％。14，15在通用设备中，由于这些传感器的紧凑设计，尤其是针对更高的电导率，准确性降低了。此外，在反应性介质中，电极结垢可以改变细胞常数，并对测量精度产生负面影响。电感传导率传感器特别适用于苛刻的化学环境，因为只有惰性和耐热材料（例如PEEK和PTFE）与样品接触。但是，这些传感器缺乏电极型对应物的灵敏度，并且需要较大的样品体积。16后者在实验室应用中不利，例如，当空间有限或
采用分布式 LLC 谐振转换器抑制高压 VR-on-Package 的 EMI
摘要 — 更高的片上电流需求会导致供电网络的功率效率降低，这是由于电流路径内的分布损耗造成的。高压电源架构和封装内稳压器 (VR) 拓扑可以通过减少分布损耗来提高系统功率效率。然而，由于高压注入和与敏感电子设备的距离很近，电磁干扰 (EMI) 可能是一个重大挑战。本文介绍了一种具有分布式拓扑的新型基于变压器的电感、电感、电容 (LLC) 谐振转换器，用于负载点直流-直流转换。与具有相同降压比的单分支 LLC 谐振转换器相比，分布式拓扑的 EMI 降低了 3 倍以上。已经开发出封装内 VR 的原型。实验结果证明其与 EMI 分析具有良好的相关性。由于这种分布式转换器系统的 EMI 较低，因此适合应用于系统级封装、无线设备和物联网。
科学期刊
毫特斯拉至特斯拉级别的单片强磁感应为物理、化学和医疗系统提供了基本功能。当前的设计选项受到三维 (3D) 结构构造、电流处理和磁性材料集成方面的现有能力的限制。我们在此报告通过气相自卷膜 (S-RuM) 纳米技术将大面积和相对较厚 (~100 至 250 纳米) 的 2D 纳米膜几何转换为多圈 3D 空芯微管，并结合通过毛细力对磁流体磁性材料进行后卷集成。设计和测试了蓝宝石上的数百个 S-RuM 功率电感器，最大工作频率超过 500 MHz。单个微管电感器在 10 kHz 时实现了 1.24 H 的电感，相应的面积和体积电感密度分别为 3 H/mm 2 和 23 H/mm 3 。在 10 MHz 时，在制造的器件中模拟的磁感应强度达到数十毫特斯拉。
TM200CE24T -RS组件
最大开关电流继电器输出电阻负载上的最大开关输出R1C，COS PHI = 1：3 A在250 V AC中继输出电阻载荷上的输出R1C，电阻载荷，COS PHI = 1：3 A在30 V DC DC中继输出电感载荷上输出r1c，COS PHI = 0.4 = 0.4 = 0.4和L/R = 7 m- s：2 AT 250 V Ac cos in = 7 m- 2 a在30 V DC中继输出电阻载荷时输出R2C，COS PHI = 1：5 a在250 V AC继电器输出电阻载荷时输出R2C在电阻载荷上，COS PHI = 1：5 a在30 V DC DC中继输出电感载荷上，COS PHI = 0.4和L/R = 0.4和L/R = 7 m- s：2 AT 250 V Ac cos lage = 7 m- s：2 a cos in cos lag/c cos cos cos cos cos lay phi = 0. 2 A在30 V DC
AP1313 - 芯朋科技
AP1313 需要适当的输入电容来在阶跃负载瞬变期间提供电流浪涌，以防止输入电压轨下降。因为从电压源或其他大容量电容到 VIN 引脚的寄生电感限制了浪涌电流的斜率，所以寄生电感越大，输入电容就越大。超低 ESR 电容（如陶瓷芯片电容）和低 ESR 大容量电容（如固体钽电容、POSCap 和铝电解电容）都可以用作 VIN 的输入电容。对于大多数应用，建议的 VIN 输入电容至少为 10µF。但是，如果不关心输入电压的下降，输入电容可以小于 10µF。输出电容 AP1313 专门设计用于与低 ESR 陶瓷输出电容配合使用，以节省空间。建议使用电容至少为 4.7µF 且 ESR 大于 1mΩ 的陶瓷电容。大输出电容可以降低噪音并改善负载瞬态响应。图 2 显示了允许的 ESR 范围与负载电流和输出电容的关系。
通过自卷起的单片 mTesla 级磁感应......
毫特斯拉至特斯拉级别的单片强磁感应为物理、化学和医疗系统提供了基本功能。当前的设计选项受到三维 (3D) 结构构造、电流处理和磁性材料集成方面的现有能力的限制。我们在此报告通过气相自卷膜 (S-RuM) 纳米技术将大面积和相对较厚 (~100 至 250 纳米) 的 2D 纳米膜几何转换为多圈 3D 空芯微管，并结合通过毛细力对磁流体磁性材料进行后卷集成。设计和测试了蓝宝石上的数百个 S-RuM 功率电感器，最大工作频率超过 500 MHz。单个微管电感器在 10 kHz 时实现了 1.24 H 的电感，相应的面积和体积电感密度分别为 3 H/mm 2 和 23 H/mm 3 。在 10 MHz 时，在制造的器件中模拟的磁感应强度达到数十毫特斯拉。