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World File Search System电流密度
在感应磁场存在下热源/热沉对充满纳米流体的通道中 MHD 自然对流的影响：一种分析方法
摘要 尝试研究热源/热汇对具有感应磁场的垂直通道中磁流体力学自然对流的相关性。在统一热边界条件（等温和等通量边界条件）下，通过扰动法获得了能量方程微分方程组的解析解，针对小热泳动和布朗扩散参数。通过在 Maple 软件中引入 RKF45 还获得了流动方程的数值解。详细描述并讨论了主动参数如哈特曼数（ Ha ）、磁普朗特数（ Pm ）、热源/热汇参数（± S ）、浮力比（ Br ）、布朗运动（ Nb ）和热泳参数（ Nt ）对速度、感应磁场、感应电流密度、纳米颗粒浓度、温度和表面摩擦的影响。结果表明，布朗运动参数 ( Nb ) 和浮力比 ( Br ) 增加可增强剪切应力，而哈特曼数 ( Ha ) 和热泳参数 ( Nt ) 则相反。结果还表明，哈特曼数 ( Ha ) 和热泳参数 ( Nt ) 可增强感应电流密度，而热沉参数 ( − S ) 则相反。最后，随着布朗运动参数 ( Nb ) 和热源参数 ( + S ) 的增加，纳米流体的温度可以升高。
对二氧化碳电还原碳平衡的洞察 - ...
在本研究中，严格分析了流动电解槽中高速率 CO 2 还原过程中的碳平衡。由于电化学还原和与电极-电解质界面处的 OH - 反应，气体扩散电极上的 CO 2 消耗导致流出电解槽的气体体积流量大幅降低，尤其是在使用高碱性电解质和高电流密度时，这主要是由于阴极/电解质界面处的 pH 值升高。如果不考虑 CO 2 消耗，在高电流密度 CO 2 还原条件下，特别是在高 pH 值电解质的情况下，主要气体产物的法拉第效率可能会被显著高估。此外，通过两步程序阐明了详细的碳平衡路径，即 CO 2 与阴极/电解质界面处的 OH - 反应，然后由于阳极附近 pH 值相对较低而在阳极/电解质界面处生成 CO 2。基于提出的两步碳平衡路径，对阳极电解液中释放的气体进行系统探索，揭示了 HCO 3 - 或 OH - 阴极电解液向 CO 3 2- 阴极电解液的转变，并通过 pH 测量进一步证实了这一点。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
多晶阴极非均匀热电子发射的物理模型
开发了一种新的基于物理的模型，该模型可以准确预测从温度限制 (TL) 到全空间电荷限制 (FSCL) 区域的热电子发射发射电流。对热电子发射的实验观测表明，发射电流密度与温度 (J − T) (Miram) 曲线和发射电流密度与电压 (J − V) 曲线的 TL 和 FSCL 区域之间存在平滑过渡。了解 TL-FSCL 转变的温度和形状对于评估阴极的热电子发射性能（包括预测寿命）非常重要。然而，还没有基于第一原理物理的模型可以预测真实热电子阴极的平滑 TL-FSCL 转变区域，而无需应用物理上难以证明的先验假设或经验现象方程。先前对非均匀热电子发射的详细描述发现，3-D空间电荷、贴片场（基于局部功函数值的阴极表面静电势不均匀性）和肖特基势垒降低的影响会导致从具有棋盘格空间分布功函数值的模型热电子阴极表面到平滑的TL-FSCL过渡区域。在这项工作中，我们首次为商用分配器阴极构建了基于物理的非均匀发射模型。该发射模型是通过结合通过电子背散射衍射（EBSD）获得的阴极表面晶粒取向和来自密度泛函理论（DFT）计算的面取向特定的功函数值获得的。该模型可以构建阴极表面的二维发射电流密度图和相应的 J-T 和 J-V 曲线。预测的发射曲线与实验结果非常吻合，不仅在 TL 和 FSCL 区域，而且在 TL-FSCL 过渡区域也是如此。该模型提供了一种从商用阴极微结构预测热电子发射的方法，并提高了对热电子发射与阴极微结构之间关系的理解，这对真空电子设备的设计大有裨益。
可调激光应用的砷化加仑光子集成电路平台
摘要 - 在1030 nm波长附近的运行的主动循环集成技术已在炮码（GAAS）光子集成电路平台上开发。该技术利用量子井（QW）稍微垂直从波导的中心偏移，然后在上覆层再生之前有选择地去除以形成主动和被动区域。活性区域由砷耐加仑（INGAAS）QWS，砷耐磷化物（GAASP）屏障，GAAS单独的配置异质结构层和铝铝（Algaas）甲板组成。Fabry Perot激光器具有各种宽度和表征，表现出98.8％的高注射效率，内部活跃损失为3.44 cm -1，内部被动损失为3 µm宽波导的4.05 cm -1。3 µm，4 µm和5 µm宽的激光器在100 MA连续波（CW）电流（CW）电流和阈值电流低至9 mA时显示出大于50 MW的输出功率。20 µm宽的宽面积激光器在CW操作下显示240 MW输出功率，35.2 mA阈值电流，低阈值电流密度为94 A/cm 2，长2 mm。此外，这些设备的透明电流密度为85 A/cm 2，良好的热特性具有T 0 = 205 K，Tη= 577K。
使用原位3D显微镜
无法控制的树突生长与不均匀的反应环境密切相关。但是，缺乏探测局部电化学环境（LEE）的理解和分析方法。在这里，我们研究了LEE的影响，包括局部离子浓度，电流密度和电势，对金属电镀/剥离动力学和树突最小化的影响。开发了一种新型的原位三维（3D）显微镜，以对3D Zn-MN阳极上的Zn Plating/剥离过程的形态动力学和沉积速率进行成像。使用多平台重建框架创建了高质量的3D形态图。使用原位3D显微镜，我们直接成像反应期间的电极形态变化，并在不同时间点获得了Zn沉积速率图。我们发现反应动力学与Lee和电极形态高度相关。为了进一步量化Lee效应，采用了数字双胞胎技术，使我们能够准确计算电化学环境，例如局部离子浓度，电流密度和电势，这是无法直接从实验中测量的。发现3D电极表面的曲率将确定LEE并显着影响反应动力学。这为我们提供了一种新的策略，可以通过设计和优化电极的3D几何形状来控制Lee，以最大程度地减少树突形成。
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摘要 - 我们使用碳钢浴（MS）底物上的硫酸盐浴对锌 - 尼克利合金的电沉积。使用船体细胞实验来优化浴室组成和工作条件。硫酸（SA）用作涂料的添加剂。浴室表现出异常的共沉积，更多的锌被沉积在贵族镍上。研究了涂层中温度和电流密度对涂层厚度，硬度，耐腐蚀性和重量％的影响。使用降低的动力学极化和电化学阻抗光谱方法研究了涂层锌 - 奈克合金膜（wt。％3.5）溶液中涂层的腐蚀行为。通过比色法确定涂料中的镍含量，并通过能量色散X射线光谱（EDX）技术进行验证。原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）技术用于确定涂层的表面粗糙度和表面地形。结果表明，在最佳电流密度（3A dm -2）下，锌 - 尼克涂层具有最高的耐腐蚀性（0.213 mm y -1）。因此，由于它们的优势耐腐蚀性，Zn-Ni涂层已被主要用于保护许多行业中的碳钢组件，包括汽车，军事和航空航天部门。