上面显示的CH32V003评估委员会带有以下资源。主板-CH32V003EVT 1。主控制MCU:CH32V003F4P6 2。mcu i/o端口:i/o主控制MCU的插口接口3。电源开关S2:用于断开或连接外部5V电源或USB电源4。USB接口:仅电源,不使用USB功能5。按钮S1:重置按钮,用于主MCU的外部手动重置,需要将用户选择Word寄存器的rst_mode位为非111B,以打开重置功能。6。LED:LED通过LED行引脚连接到主芯片I/O端口(P4)7。调试接口:用于下载,模拟调试,单线通信,只需要SWDIO即可连接PD1 8。pa1和pa2作为水晶引脚,因此R4,R5电阻不会违约,P1行会导致PA1和PA2引脚功能,如果您需要将PA1和PA2引脚用作普通的I/O,则需要焊接自己的PA1和PA2引脚,而需要卸下Y1,C7,C7,C8。
摘要:电源开关系统的重要特征之一是使用快速开关电源半导体设备。MOSFET用于快速开关应用程序,包括无线电源传输开关系统。基于热时间常数的热模型对于准确预测MOSFET设备功率耗散和特性是必要的。文献中讨论的许多热模型都是基于线性近似的,而不是旨在结合动态MOSFET特性和散热器模型。在本文中,我们介绍了现有热模型的文献调查。为MOSFET R DS(ON)开发了一个模型,以及平均功率计算,散热器温度和连接至案例温度。使用LT Spice Simulation工具将R DS(ON)的瞬态热模型(ON)合并到完整的桥梁谐振模型中。计算半导体装置内的MOSFET功率耗散和连接温度。提出的模型具有动态功能,根据模拟时间调节设备电阻。因此,该模型非常适合根据流经设备的谐振电流预测MOSFET连接温度。通过模拟结果,我们提供了连接温度升高和平均功率耗散的估计,从而验证了拟议方法的有效性。索引项 - MOSFET,可靠性,LT香料,功率,温度,高压。
•如果橙色高压电缆或高压盖已损坏并裸露的接线或端子,请不要触摸这些暴露的零件。另外,如果您不确定裸露的电线还是端子是高压零件,请不要触摸它们。无意的接触可能会导致严重的伤害或死亡,导致严重的烧伤或电击!•当不可避免地接触或潜在接触高压电缆或高压组件的裸露部分时,请始终戴绝缘防护设备[绝缘手套,安全眼镜和绝缘鞋]。即使在高压断开后,通过断开连接的高压零件暴露也可能导致严重的伤害或由于严重的烧伤或电击而导致死亡!•请勿断开任何尚未部署的安全气囊或尚未停用的安全带支撑器。安全气囊和安全带支撑器配备高压气体发生器,如果断开连接,可能会造成严重伤害或死亡。•请勿断开任何尚未部署的安全气囊或尚未停用的安全带支撑器。安全气囊和安全带支撑器配备高压气体发生器,如果断开连接,可能会造成严重伤害或死亡。•在断开安全气囊系统之前,始终允许至少3分钟的时间,因为在关闭电源开关或断开12 V电池后,系统继续运行3分钟。但是,如果所有安全气囊都已经部署,这不是问题。•使用液压切割机或其他不产生火花的设备,以避免由于火花引起的点火而造成严重伤害的风险。
•如果橙色高压电缆或高压盖已损坏并裸露的接线或端子,请不要触摸这些暴露的零件。另外,如果您不确定裸露的电线还是端子是高压零件,请不要触摸它们。无意的接触可能会导致严重的伤害或死亡,导致严重的烧伤或电击!•当不可避免地接触或潜在接触高压电缆或高压组件的裸露部分时,请始终戴绝缘防护设备[绝缘手套,安全眼镜和绝缘鞋]。即使在高压断开后,通过断开连接的高压零件暴露也可能导致严重的伤害或由于严重的烧伤或电击而导致死亡!•请勿断开任何尚未部署的安全气囊或尚未停用的安全带支撑器。安全气囊和安全带支撑器配备高压气体发生器,如果断开连接,可能会造成严重伤害或死亡。•请勿断开任何尚未部署的安全气囊或尚未停用的安全带支撑器。安全气囊和安全带支撑器配备高压气体发生器,如果断开连接,可能会造成严重伤害或死亡。•在断开安全气囊系统之前,始终允许至少3分钟的时间,因为在关闭电源开关或断开12 V电池后,系统继续运行3分钟。但是,如果所有安全气囊都已经部署,这不是问题。•使用液压切割机或其他不产生火花的设备,以避免由于火花引起的点火而造成严重伤害的风险。
摘要本文提出了改进的升级升级DC-DC系统,以及用于智能家庭应用程序的三输入和四输出。在这种配置中,已经将两个单重新电源端口识别为输入电源和一个用于省电元件的双向功率端口,可以用作双向转换器,以使混合车辆在相关结构中排放。该系统可用于结合可再生能源,例如光伏(PV),燃料电池,电池和混合动力汽车(HV),以准备远程智能房屋的电源。通过使用此系统,可以使用不同电压范围从高压到超低电压的不同载荷,还可以实现电池电荷和电池电量和电池充电和储能方法的排放。在此系统中,已经假定所有可能的低压负载和高压负载条件的状况。在这种结构中,已经使用了九个电源开关,其中所有这些开关都可以控制独立和依赖的占空比。通过使用这些循环,也可以从PV来源,公交电压调节和电池电源控制中获得最大功率。在此拓扑中,根据环境条件,已经确定了五种情况。要在构建之前证明系统的功能,需要一些有效的模拟。在这项研究中,建议的系统已使用电源系统辅助设计/电磁瞬变(包括DC(PSCAD/EMTDC))模拟。
Cimetrix 创新工厂自动化软件,包括 CIMConnect、SECSConnect、HostConnect、TestConnect、CIM300、CIMPortal、CIMTester、ECCE Plus、EDAConnect、CIMControlFramework Cyberlink FaceMe 面部识别 SDK Dexerials ACF/粘合剂/表面贴装型保险丝/导热片 Dosilicon SPI NOR、SPI/SLC NAND、MCP、DDR、KGD Eggtronic AC/DC PWM IC、无线 PWM IC Egis 指纹打印机 ELATEC RFID 系统,具有多频(LF+HF+NFC+蓝牙 LE)/多应答器/多认证 Eleven Engineering SKAA™、专有协议/音频无线发射器模块 Enovix 电池(包括定制和非定制) ESMT eMMC、eMCP、LPDDR、DRAM IC、NOR Flash、SLC Flash 快速 SiC SiC MOSFET、SiC肖特基二极管和 SiC 模块、SiC 裸片 Fitipower DC/DC 转换器、LDO、电源开关 FocalTech 触摸屏控制器、LCD 驱动器 IC、In-cell IC Framos 摄像头模块、深度摄像头模块和 ISP 调试服务 FURUNO GNSS 接收器模块和芯片 GCT 4G LTE、NB-IoT 和 Sigfox 基带和 RF GigaDevice DDR3 和 DDR4 DRAM 芯片 GlobalTech MOSFET、LDO、肖特基二极管、TVS 二极管 GoMore 健身/健康算法和 AI 教练解决方案提供商 GP(Goldpeak)电池
介绍最近,人们对暴露于极低频率(ELF)电磁场(EMF)导致有害健康影响的可能性非常关注。首先报道了由EMF暴露引起的健康影响的首次报道起源于1960年代苏联。苏联的研究人员报告说,在高压电源开关码中工作的人中有许多不同的健康问题。1977年,美国能源部开始研究EMF,以应对对公用事业工人安全的担忧。 Wertheimer和Leeper在1979年进行了一项研究,该研究表明,居住在丹佛地区电力线附近的儿童中白血病的风险略有增加。 未复制Wertheimer和Leeper研究的结果。 自从Wertheimer和Leeper研究以来,已经进行了许多流行病学和生物学研究,以确定EMF是否对人类健康构成了重大威胁,但迄今为止,尚未提供任何具体证据来证明或证明由EMF造成的有害健康影响的可能性。1977年,美国能源部开始研究EMF,以应对对公用事业工人安全的担忧。Wertheimer和Leeper在1979年进行了一项研究,该研究表明,居住在丹佛地区电力线附近的儿童中白血病的风险略有增加。未复制Wertheimer和Leeper研究的结果。自从Wertheimer和Leeper研究以来,已经进行了许多流行病学和生物学研究,以确定EMF是否对人类健康构成了重大威胁,但迄今为止,尚未提供任何具体证据来证明或证明由EMF造成的有害健康影响的可能性。
● 桌子、显示器或笔记本电脑的放置位置必须确保学生与屏幕保持至少 18 英寸的距离。 ● 计算机会产生大量热量。空调和均匀的气流对于防止不安全情况和计算机故障至关重要。 ● 除非是监督教学的一部分,否则必须使用锁或适当的家具禁止学生进入学生工作站计算机、打印机和其他外围设备内部。笔记本电脑/电子设备推车可以提供额外的安全保障。 ● 激光器、曝光装置、工作室照明和类似设备会发出可能对眼睛有害的强光。使用发光设备时必须采取预防措施以防止眼睛受伤。这些预防措施必须包括放置警告标志、指导设备的正确使用、学生安全测试以及适当放置电源开关。 ● 必须在所有计算机实验室环境中检查和遵循基本人体工程学原则,以提高工作场所绩效。请参阅 ErgoPlus 网站 ( http://ergo-plus.com/fundamental-ergonomic- principles/ ) 了解八项基本原则。 ● 根据需要,在标牌制作机、复印设备周围区域和其他区域提供适当的通风和/或排气。 ● 避免携带过多的物品或堆叠的物品,以免影响视力和/或拉伤背部。 ● 将所有尖锐物品存放在非玻璃的不易破碎的容器中,尖端朝下。 ● 工作时,请将尖锐的尖端/边缘远离自己和他人,并将尖锐的器具交给他人时,尖端应远离接收者。 ● 确保切纸机配有安全防护装置。
基本功率电子设备:二极管,晶闸管,双极连接晶体管,金属 - 氧化物 - 氧化物 - 高症导体效应晶体管,绝缘栅极双极晶体管,超级电容器。电源开关,驾驶员电路,电压和当前传感机制的特征,数据表。Power Converters Control : Steady state converter analysis, Steady state modeling of the power converters, DC transformer model, loss modeling, Dynamic modeling of the power converters, AC modeling of converters, state-space averaging, Linearization, Designing of the close loop control of a power converter, Transfer functions and frequency domain analysis, Extra Element Theorem, Pulse Width Modulation (PWM) control of power converters SPWM, SVPWM etc.,控制器的模拟和数字实现,应用于电力电子转换器的高级分析和控制技术。DC/DC转换器:DC – DC转换器的基本原理,降压(BUCK)转换器,升压(Boost)转换器,降压式转换器,孤立的DC – DC转换器,四方次DC – DC – DC转换器,反馈控制设计,电压模式和电流模式控制。整流器和逆变器:单相和三相二极管整流器,多相二极管整流器,主动前端整流器,整流器回路中的过滤系统,高频二极管二极管电路。单相和三相电压源逆变器,当前源逆变器,逆变器的闭环操作,逆变器的再生,多阶段逆变器。实验室工作:开放环和闭环,PWM控制技术,驾驶员电路的设计等,DC-DC和AC-DC单向和双向转换器的建模和仿真等。
• 具有实时可变驱动强度的双输出驱动器 – ±15A 和 ±5A 驱动电流输出 – 数字输入引脚 (GD*),用于在没有 SPI 的情况下调整驱动强度 – 3 个电阻设置 R1、R2 或 R1||R2 – 集成 4A 有源米勒钳位或可选外部驱动器用于米勒钳位晶体管 • 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持 • 内部和外部电源的欠压和过压保护 • 驱动器芯片温度感应和过温保护 • 短路保护: – 对 DESAT 事件的响应时间为 110ns – DESAT 保护 – 最高 14V 的选择 – 基于分流电阻的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护 – 可配置的保护阈值和消隐时间 – 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流 • 集成 10 位 ADC – 能够测量电源开关温度、DC Link 电压、驱动器芯片温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压 –可编程数字比较器 • 高级 VCE/VDS 钳位电路 • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 提供文档以帮助符合 ASIL D 标准的 ISO 26262 系统设计 • 集成诊断: – 保护比较器的内置自检 (BIST) – 用于功率器件健康监测的栅极阈值电压测量 – INP 至晶体管栅极路径完整性 – 内部时钟监控 – 故障报警和警告输出 (nFLT*) – ISO 通信数据完整性检查 • 基于 SPI 的器件重新配置、验证、监控和诊断 • 150V/ns CMTI • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下: – 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度