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摘要：电源开关系统的重要特征之一是使用快速开关电源半导体设备。MOSFET用于快速开关应用程序，包括无线电源传输开关系统。基于热时间常数的热模型对于准确预测MOSFET设备功率耗散和特性是必要的。文献中讨论的许多热模型都是基于线性近似的，而不是旨在结合动态MOSFET特性和散热器模型。在本文中，我们介绍了现有热模型的文献调查。为MOSFET R DS（ON）开发了一个模型，以及平均功率计算，散热器温度和连接至案例温度。使用LT Spice Simulation工具将R DS（ON）的瞬态热模型（ON）合并到完整的桥梁谐振模型中。计算半导体装置内的MOSFET功率耗散和连接温度。提出的模型具有动态功能，根据模拟时间调节设备电阻。因此，该模型非常适合根据流经设备的谐振电流预测MOSFET连接温度。通过模拟结果，我们提供了连接温度升高和平均功率耗散的估计，从而验证了拟议方法的有效性。索引项 - MOSFET，可靠性，LT香料，功率，温度，高压。
Power MOSFET可靠性：基于LTSpice的交界处...
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