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硅MOS电容器中的低压AC电致发光
低功率硅的光源和检测器在易于过程集成的情况下对芯片光子电路具有吸引力。然而，常规的硅发光发射二极管发射光子，该光子在带边缘附近的能量，相应的硅光dectors缺乏响应性。另一方面，先前报道的使用反向偏置二极管的热载体电发光硅设备需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下运行的硅金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化载体电容。在每个电压瞬变期间，在源接触的边缘创建大能带弯曲，远大于稳态下可实现的要素。结果，将电子和孔从单个源对相应的电压瞬变处的硅通道进行效率注入，然后它们随后经过影响电离电离和声子辅助的侧带重组。值得注意的是，我们通过使用20 nm厚的高j门电介质显示低压操作至2.8 V。我们可以通过减少栅极介电厚度来显示进一步的电压缩放，从而为硅光电集成电路提供一个低压平台。
用多色电致发光线发光的纺织品
电致发光线（适用于编织或针织）的进步为发光纺织品的开发打开了大门，推动了柔性和可穿戴显示器市场的增长。虽然直接在这些纺织品上绣上定制的设计和图案可以带来很大的好处，但机器刺绣的严格要求对这些线的完整性提出了挑战。在这里，我们展示了可刺绣的多色电致发光线（蓝色、绿色和黄色），它们与标准刺绣机兼容。这些线可用于将装饰图案缝制到各种消费织物上，而不会影响其耐磨性或发光能力。演示包括在消费产品上点亮特定信息或设计，并在头盔衬里上发出物理危害的紧急警报。我们的研究提供了一个全面的工具包，用于将发光纺织品集成到时尚的定制工艺品中，以满足各种柔性和可穿戴显示器的独特要求。
基于尺寸的高性能电致色素设备 -
摘要：由于层间间层之间的牢固键合，很难通过从整体WO 3进行直接去角质来获得超薄二维（2D）三维（2D）钨（WO 3）纳米片。在此，使用Sonication和温度合成了3个具有可控尺寸的纳米片和可控尺寸的纳米片。由于层间距离的插相和膨胀，可以成功去除插入的WO 3，以在Sonication下在N-甲基-2-吡咯酮中产生大量的单个2D WO 3纳米片。剥落的超薄量3纳米片在电化装置中表现出比WO 3粉末和无插入的exfoliated Wo 3表现出更好的电致造性能。尤其是，准备好的小WO 3纳米片表现出出色的电致色谱性能，在700 nm时在700 nm时具有41.78％的大型光学调制，而漂白的快速切换行为时间为9.2 s，颜色为10.5 s。此外，在1000个周期之后，小的WO 3纳米片仍然保持其初始性能的86％。
超薄AL2O3保护层，以稳定无定形WOX薄膜的电致变色转换性能
尽管人口不断增长，并且主要能源需求的增加，但为了抵消全球气候变化，对节能和能够维持的技术的需求是增加优先级。[1,2]由于它们的多样性和多功能性，过渡金属氧化物在能源相关的应用中起着核心作用[3-7]，例如锂离子电池，超级电容器，照相和电含量和电载体或电元素或电代理（EC）设备。[8-17]为了稳定氧化物针对不希望的侧反应，可以使用薄的惰性保护层，如所示，例如，用于锂离子蝙蝠中的阴极材料。[18–21] EC设备具有在建筑业节能中发挥关键作用的潜力，该建筑业占欧洲能源征服的42％。[22,23]为此，电铬效应用于所谓的智能窗口。电色素是基于外部电压刺激的光吸收的可逆变化，这会导致（脱）对EC材料中电位的（例如H +，Li +或Na +）的（例如H +，Li +或Na +）的氧化还原反应。结果，材料中发生的着色或漂白过程。通常，EC材料可以分为两种不同类型。一种类型由所谓的阳极EC材料表示，其中离子的去分离会导致着色。其中包括Ni或IR的氧化物。[24]另一种类型是由阴极EC材料表示的。它们在离子插入时表现出着色。典型的代表是MOO 3或WO 3。氧化钨氧化物可以被视为最概述的EC材料，从那以后，它一直受到密集研究。[25–27]其阴极EC机制在离子插入时产生强烈的着色。因此，光态调节从不透明到深蓝色。根据
硅 MOS 电容器中的低压交流电致发光
低功耗硅基光源和探测器因其易于工艺集成而对片上光子电路具有吸引力。然而，传统的硅发光二极管发射的光子能量接近能带边缘，而相应的硅光电探测器缺乏响应度。另一方面，以前报道的利用反向偏置二极管的热载流子电致发光硅器件需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下工作的硅金属氧化物半导体电容器中的热载流子电致发光。在每个电压瞬变期间，源接触边缘都会产生较大的能带弯曲，远大于稳定状态下可实现的能带弯曲。因此，电子和空穴在相应的电压瞬变下从单个源接触有效地注入硅通道，随后它们在那里经历碰撞电离和声子辅助带间复合。值得注意的是，我们通过使用 20 nm 厚的高 j 栅极电介质展示了低至 2.8 V 的低压操作。我们表明，通过减少栅极电介质厚度可以进一步实现电压缩放，从而为硅光电集成电路提供低压平台。
有机电致变色储能材料及器件设计
在不影响储能器件电化学性能的同时，将电致变色等多功能特性集成到储能器件中，可以有效促进器件多功能化的发展。与无机电致变色材料相比，有机材料具有制备简便、成本低、颜色对比度大等显著优势，其中大部分聚合物材料表现出优异的电化学性能，可广泛应用于储能器件的设计和开发。本文重点介绍有机电致变色材料在储能器件中的应用，详细讨论了不同类型有机物的作用机理、电化学性能以及有机电致变色材料在相关器件中的不足之处。
viologen -Immobilized 2D聚合物膜，为太阳能智能窗口启用高效的电致色素设备
在智能窗口/镜子，电池充电传感器和显示器中的应用。[1]特别是，随着对有效能源使用的需求不断增长，使用EC智能窗口省电的建筑物吸引了最大的关注。这是因为EC智能窗口能够在潜在偏见下调节可见光和近红外光的传输，从而使建筑能源使用节省高达40％。[1A，2]为了满足此应用的需求，开发高效的ECD的需求是很大的需求。到目前为止，近年来已经探索了各种各样的EC材料，包括金属氧化物（WO 3，V 2 O 5和NIO），[3]金属络合物（Prussian Blue），[4]小痣（Viologen及其衍生物），[5]和电导聚合物（polypypyrypyrole，多酚，硫酚，多酚，多酚和多酚）。[6]通常，由于其出色的稳定性，快速开关速度，高色素对比度和低能消耗，因此WO 3已被广泛研究为已知的无机EC材料。[7]在过去几十年中，性能的显着改善是产生无定形和纳米结构的WO 3的结果
太阳能光伏电致发光图像中的人工智能辅助电池级故障检测和定位
随着全球范围内太阳能的日益普及，人们对开发有助于提高制造和持续运营效率的系统产生了浓厚的兴趣。由于各种现实条件和流程，太阳能电池板在制造和运营过程中会出现故障。这项工作的目标是建立一个端到端故障检测系统，以根据太阳能电池板的电致发光 (EL) 成像来检测和定位太阳能电池板中的故障。如今，大多数故障检测都是通过手动检查 EL 图像进行的。为此，我们建议设计和实施一个端到端系统，该系统首先将太阳能电池板分成单个太阳能电池，然后将这些电池图像通过分类 + 检测管道，以识别故障类型并定位电池内的故障。我们提出了一种混合架构，其中包含多个 CNN 模型架构的集合，用于分类和检测。该集合能够服务于单晶和多晶太阳能电池板。所提出的系统有助于显著提高太阳能电池板的效率并降低保修和维修成本。我们使用开放的 EL 图像数据集展示了所提系统的性能，其电池级故障预测准确率达到 95%，召回率也很高。所提算法适用，并可扩展到使用 RGB、EL 或热成像技术的其他太阳能应用。
通过电致发光
在此，提出了一种通过电发光（EL）用于硅太阳能电池进行晚期串联抗性成像的方法。Haunschild等人的著名方法。被重新审视。由于较大的少数荷载载流子扩散长度和更薄的太阳能电池，因此显示扩散长度和EL信号之间线性关系的富崎假设不适用于硅设备。在这里使用Breitenstein得出的一种新关系。与Haunschild的原始方法相比，基于两个EL图像的串联电阻和饱和电流成像的更新方法表明，对比度的分离远远超过60％。使用高级方法，用于样品单元上突出特征的高级方法，由电阻图像中重组引起的不需要信号的对比度从0.89降低到0.44。由于电阻引起的对比度保持在同一水平。深色饱和电流密度图像在重组活动区域显示出20％的峰值，低5％。
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自半导体二极管激光的演示和基于SI的晶体管技术的高度流行以来，硅的激光构成了硅光子学的长期目标。1的基于SI的激光的显着优势应是由高收益制造工艺产生的，以便在高量的情况下允许低成本，但还可以从光子集成电路中启用低成本的光子系统。实现基于SI的频带间激光器的主要问题是IV组材料的间接带隙，这导致辐射推荐率较差。已经开发了几种溶液来实现硅的激光作用。2–6在Quantum级联结构中采用suber子带过渡是一个令人兴奋的选择，因为此类过渡与带隙的性质无关。到目前为止，量子级联激光器（QCL）7仅在Polar III – V复合半导体材料