在生物医学应用中聚乙烯乙二醇(PEG)的广泛使用导致了抗PEG抗体的出现,抗PEG抗体加速了全身性清除率并破坏了包括纳米医学(纳米医学)的pe节制系统的性能。抗体识别通常涉及疏水性PEG末端,强调需要对替代性最终功能化策略,从而增强亲水性的同时保持隐形特性。在这里,我们使用硫磺和五肽作为末端修饰引入了一种新颖的卵概念。将这些ylide-peg(ypegs)共轭物作为模型系统整合到聚合物纳米颗粒中,表明Ylide官能化维持关键的物理化学特性,例如ζ电位和防污行为。至关重要的是,具有单克隆IgM和IgG抗PEG抗体的抗体结合测定表明,Ylide末端可显着降低主链和特异性抗PEG抗体的识别。来自MPEG免疫化小鼠的多克隆抗PEG抗体的实验表明,增加Ylide末端的化学复杂性具有高度极性(但总体电荷中性的)有效预防的抗原性,可以防止抗原性延伸到终极,最终降低了PEG特定的识别。这种模块化且可扩展的策略为工程隐形功能化聚合物提供了新的范式,对纳米医学,生物材料和表面涂层具有广泛的影响。
材料中的费米能通常由电荷中性决定。只要材料是纯净的并且完全符合化学计量,就可以实现电荷中性。如果添加掺杂剂或材料变为非化学计量,则会产生电荷。阴离子位点的非化学计量取决于气体气氛。样品处理过程中的阳离子非化学计量可能是由于物种的挥发性或固体溶液形成过程中的不同溶解度造成的。无论如何,目标相的合成都依赖于材料补偿其加工过程中产生的电荷的能力。例如,可以通过在价带或导带中添加电子电荷来建立电荷中性。这并不总是可能的,例如在绝缘体中。在氧化物的情况下,材料可以与周围大气交换氧气。在
Georg Pabst Graz金属离子是蛋白质功能和稳定性的众所周知的辅助因子。在整合膜酶Ompla(外膜磷脂酶A)的情况下,活性二聚体被钙离子稳定。我们研究了OMPLA中的脂质水解动力学,并用对称或不对称的跨贝贝脂质分布进行电荷中性和带电的膜。在电荷中性膜中,由于膜小叶之间的较低差异曲率应力,OMPLA在对称双层中更为活跃。令人惊讶的是,这种行为在带电的双层中完全逆转。测量结果表明,加入钙后,带电脂质的内在分子形状变化。这有效地减少了带电不对称膜的差异曲率应力,导致蛋白质活性增加。在添加钠离子时观察到的类似效应进一步支持了这一结论,这也改变了脂质的形状,但与蛋白质没有特别相互作用。其他脂质 - 蛋白质相互作用可能会导致这种现象。我们的发现表明,离子辅助因子不仅与膜蛋白直接相互作用,而且还通过改变带电脂质物质的有效分子形状而间接调节蛋白活性。星期一16/12/2024 10:50-11:10
电极界面是电子和电化学设备不可或缺的组成部分。它们在工作条件下的稳定性对于无数应用至关重要,例如电池、非易失性存储器、忆阻器、压电换能器和电容器。[1–5] 众所周知,材料的热力学稳定性受限于其成分的化学势(活性)的固定范围。[6] 例如,只有当与氧分压相关的氧化学势高于氧化物的形成焓时,氧化物才是稳定的。除了(原子)成分的化学势之外,通过电荷中性条件决定材料中费米能的电子化学势也必须保持在一定范围内。相关的电化学不稳定性可以通过两种方式引起:i)通过形成自补偿缺陷;[7] ii)通过
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体(CMOS)后端(BEOL)兼容设备的兴趣,用于整体3维(3D)集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体,至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积(ALD)氧化二颗粒(在2 O 3中)的性能卓越,例如高驱动电流,高迁移率,陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中,使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT,表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级,可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态(DOS)的高尺寸(DOS),这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力,因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
摘要:光电电池是一种带有光敏电极的电池,最近被提出作为一种在单个设备中同时捕获和存储太阳能的方法。尽管有报道称可以使用多种不同的电极材料进行光充电,但其整体运行机制仍不太清楚。在这里,我们使用原位光学反射显微镜研究 Li x V 2 O 5 电极中的光诱导充电。我们在三种条件下对电极进行单粒子成像:(a) 有闭路和光但没有电子电源(光充电),(b) 在有光的恒电流循环过程中(光增强),以及 (c) 有热但没有光(热)。我们证明光确实可以驱动 Li x V 2 O 5 中的锂化变化,同时保持电荷中性,可能是通过单个粒子中发生的法拉第效应和非法拉第效应的组合。我们的研究结果为光电电池机械模型提供了补充,强调了基于插层的充电和锂浓度极化效应都有助于提高光充电容量。关键词:光学显微镜、光电电池、氧化钒、原位成像
图2带电荷中性尖端的ZLL的点光谱。(a)栅极可调sts的假颜色图显示-2 <𝜈 <2填充范围中的ZLL激发光谱,箭头指向-2 <𝜈 <-1(b)缩放光谱近2/3 = -2/3中的haldane sash特征。使用GAP的门范围测量FQH间隙。虚线跟踪A | DVG/DE | = 1个斜率在y轴上移动以与数据对齐。(c)图显示了绿色中STS DAT中的峰位置以及隧道间隙(δT),热力学间隙(δ)和库仑间隙(δC)之间的关系。(d)单个风味量子霍尔系统的精确对角线计算获得的状态密度。(e)(d)的linecuts在选定的填充物处显示光谱(F)使用Lorentzian拟合的电子激发峰提取的间隙,从而形成-2 <𝜈 <-1范围(蓝色)和-1 <𝜈 <0范围(红色)中的Haldane Sash特征。从精确的对角度模拟中提取的类似差距以灰色显示。(g)(a)的linecuts,在恒定填充处显示光谱特征,以与理论(d)进行比较。
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体,提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道,原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能,例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中,使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT,表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟,证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS),这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力,因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
摘要:DNA折纸结构为具有纳米精度的单个生物分子的组织提供了灵活的Sca效果。当他们发现对多种生物应用的增加使用时,在定义的化学计量,高产量和保护蛋白质功能下的蛋白质的功能化仍然具有挑战性。在这项研究中,我们将单分子荧光显微镜与细胞生物学功能测定结合使用,以系统地评估DNA折纸结构特异性装饰的不同策略,重点介绍了效率,稳定量表,稳定量表和蛋白质功能。使用T细胞受体(TCR)的激活配体作为感兴趣的蛋白质,我们发现两种常用方法在化学计量和蛋白质功能方面表现不佳。While strategies employing tetravalent wildtype streptavidin for coupling of a biotinylated TCR-ligand yielded mixed populations of DNA origami structures featuring up to three proteins, the use of divalent (dSAv) or DNA-conjugated monovalent streptavidin (mSAv) allowed for site-speci fi c attachment of a single biotinylated TCR-ligand.通过共价DNA结合,最直接的装饰策略导致配体效力降低了3倍,这可能是由于电荷介导的蛋白质功能受损所致。在配体共轭物中,用电荷中性肽核酸(PNA)代替DNA作为耦合策略,在我们的研究中具有最佳的整体性能,因为它产生了最高的产率,没有多价DNA折纸结构和完全保留的蛋白质功能。在我们的研究中,我们旨在为静态定义的,定义的,特定于位置的DNA折纸结构的蛋白质,具有可供选择的蛋白质,可用于广泛的生物学应用。关键字:DNA折纸,DNA纳米结构,蛋白质结合,功能化,单分子荧光显微镜,T细胞活化D