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World File Search System电路故障
具有有限容量能量队列的多类能量数据包网络
摘要综合电路的可靠操作可能会受到环境变化的影响，例如多频电磁（EM）干扰和温度变化。本文比较了两个振荡器电路的性能，即恒定的电压控制的振荡器和一个集成到芯片中的环振荡器，这是在对多电源直接功率注入的情况下，而在热应力影响下。目的是通过测量方法来证明测试芯片中多电极EM扰动引起的协同作用，与常规的单色调EM扰动相反。此外，在极端温度偏差下分析了具有不同架构但功能相似功能的集成块的多节免疫力水平。贝叶斯网络（BN）被应用，以可视化由于多节扰动和温度影响而引起的电路故障的概率。此外，还实施了嘈杂的或改进的自适应回复 - 核（I-arnor）概率模型以识别因果相互作用的类型（即抑制和正因果关系）多节障碍和分别预测由于高阶多型多型扰动而导致的失败概率。
耐变异感测放大器电路的设计
摘要 在 DRAM 和 SRAM 等深亚微米存储器中，准确感测位线电压变得非常具有挑战性，因为制造工艺的固有变化导致晶体管特性失配，这带来了严重的挑战，导致电路故障和产量下降。本文解决了这些问题，并将补偿方案应用于各种感测放大器的原理图，从而对工艺引起的变化具有很高的容忍度。使用 DGFinFET 设计的原理图利用增强的自补偿技术来克服物理晶体管特性的差异。使用蒙特卡罗技术重建晶体管失配（阈值电压，V t ），表明即使在 40-50mV 的严重 V t 失配下，所提出的 CCLSA 原理图也能正确运行。将这些结果与文献中报道的相应电路进行了速度、面积和产量的比较。与未补偿的设计相比，该设计还提供了高达 20-30% 的产量，并且降低了电路和性能的复杂性。这些电路在 45nm 和 32nm 技术节点上很容易实现。关键词：补偿、工艺变化、DRAM、FinFET 感测放大器、稳健性
DTC124T 系列：晶体管 - ROHM 半导体
2.ROHM 的产品设计和制造均遵循严格的质量控制体系。但是，半导体产品可能会以一定的概率发生故障或失灵。请务必自行负责实施适当的安全措施，包括但不限于针对因我们的产品发生故障或失灵而可能造成的人身伤害、财产损失的故障安全设计。以下是安全措施的示例： [a] 安装保护电路或其他保护装置以提高系统安全性 [b] 安装冗余电路以减少单个或多个电路故障的影响 3.我们的产品并非在任何特殊或异常环境或条件下设计的，如下所示。因此，对于因在任何特殊或异常环境或条件下使用任何 ROHM 产品而造成的任何损害、费用或损失，ROHM 概不负责。如果您打算在任何特殊或异常环境或条件下使用我们的产品（如下所示），您在使用前必须对产品性能、可靠性等进行独立验证和确认：[a] 在任何类型的液体中使用我们的产品，包括水、油、化学品和有机溶剂 [b] 在户外或产品暴露于直射阳光或灰尘的地方使用我们的产品 [c] 在产品暴露于海风或腐蚀性气体的地方使用我们的产品，包括 Cl 2 、 H 2 S、 NH 3 、 SO 2 和 NO 2 [d] 在产品暴露于静电或电磁波的地方使用我们的产品 [e] 在靠近产热组件、塑料线或其他易燃物品的地方使用我们的产品 [f] 用树脂或其他涂层材料密封或涂覆我们的产品 [g] 在未清除助焊剂残留物的情况下使用我们的产品（即使您使用免清洗型助焊剂，也建议清除助焊剂残留物）；或用水或水溶性清洗剂清洗焊接后的残留物 [h] 在容易结露的场所使用产品 4.产品不属于防辐射设计。5.使用产品时，请验证并确认最终产品或安装产品的特性。6.特别是，如果施加瞬态负载（在短时间内施加大量负载，例如脉冲。），强烈建议在板上安装后确认性能特性。7.8.9.2.避免施加超过正常额定功率的功率；超过稳定负载条件下的额定功率可能会对产品性能和可靠性产生负面影响。根据环境温度 (Ta) 降低功耗 (Pd)。在密封区域使用时，请确认实际环境温度。确认工作温度在产品规格中规定的范围内。ROHM 对在本文件定义的异常条件下引起的故障不承担任何责任。安装/电路板设计注意事项 1.使用高活性卤素（氯、溴等）助焊剂时，助焊剂残留物可能会对产品性能和可靠性产生负面影响。原则上，表面贴装产品必须使用回流焊接方法，通孔贴装产品必须使用流动焊接方法。如果表面贴装产品需要使用流动焊接方法，请提前咨询 ROHM 代表。详情请参阅 ROHM 贴装规范