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事实说明书：尼古丁小袋-CT.GOV
介绍于2023年7月14日，康涅狄格州理事会（委员会）从耐力能力（耐力证）的请愿书中，根据康涅狄格州一般法规（CGS）（CGS）§4-176和§16-50K进行声明性裁决，以建造和维护4.9 megawatt（MW）替代（MW）的（MW）零件（MW）的构造和维护（AC），ACTONY（MW），AC AC TAURKDONY（AC AC AC TARMECT），AC AC ACTARDENDONE（AC AC ACTOINE），AC AC TAURKDONE（AC AC STACENOYERSINE） Meriden，Connecticut和相关的电连接（请愿或项目）。 根据康涅狄格州机构（RCSA）§16-50J-40在2023年7月14日左右，耐力证通知了拟议项目的毗邻财产所有人和梅里登（城市）官员，州官员，州官员和机构。 未收到评论。 2023年7月17日，理事会向城市发出了书信，指出理事会已收到请愿书，并邀请该市在2023年8月13日之前与理事会联系。。介绍于2023年7月14日，康涅狄格州理事会（委员会）从耐力能力（耐力证）的请愿书中，根据康涅狄格州一般法规（CGS）（CGS）§4-176和§16-50K进行声明性裁决，以建造和维护4.9 megawatt（MW）替代（MW）的（MW）零件（MW）的构造和维护（AC），ACTONY（MW），AC AC TAURKDONY（AC AC AC TARMECT），AC AC ACTARDENDONE（AC AC ACTOINE），AC AC TAURKDONE（AC AC STACENOYERSINE） Meriden，Connecticut和相关的电连接（请愿或项目）。根据康涅狄格州机构（RCSA）§16-50J-40在2023年7月14日左右，耐力证通知了拟议项目的毗邻财产所有人和梅里登（城市）官员，州官员，州官员和机构。未收到评论。2023年7月17日，理事会向城市发出了书信，指出理事会已收到请愿书，并邀请该市在2023年8月13日之前与理事会联系。未收到评论。另外，根据RCSA§16-50J-40的2023年7月17日，理事会通知了其中列出的所有州机构，请求有关拟议项目的评论，请在2023年8月13日之前提交理事会。响应理事会的邀请，康涅狄格机场当局于2023年7月19日就现场2的起重机使用了评论。理事会于2023年9月26日和2023年11月14日向耐力证发出了询问。耐力证分别于10月20日和2023年11月29日对理事会的审讯提交了回应。根据《统一行政程序法》的CGS§4-176（e），行政机构必须在收到后60天内就宣告性裁决的请愿书提起诉讼。在CGS§4-176（e）的2023年8月31日举行的常规公开会议上，理事会投票决定设定对请愿书的决定的日期，为2024年1月10日，这是CGS§4-176（i）的最终决定的180天的法规截止日期。
在微电伏硫托系统中集成锂离子电池
阳台光伏（PV）系统，也称为Micro-PV系统，是一个小型PV系统，该系统由一个或两个太阳能模块组成，其输出为100 - 600 WP，以及相应的逆变器，使用标准插头将可再生能源馈入房屋网格。在本研究中，我们证明了将商业锂离子电池整合到商业微电视系统中。我们首先以第二次分辨率显示了一年的模拟，我们用来评估电池和光伏大小对自我消费，自给自足和每年节省的影响。然后，我们使用两个不同的架构将电池集成到Micro-PV系统中，开发和操作实验设置。在被动混合体系结构中，电池是与PV模块的平行电连接。在活动混合体系结构中，使用了其他DC-DC转换器。两个架构都包括衡量模块逆变器对电池的最大功率点跟踪的措施。在实际太阳辐照度条件下，在连续运行中测试了带有300 wp PV和555 WH电池的PV/电池/逆变器系统。两个架构都能够保持稳定的操作，并证明了从白天到夜晚的光伏能量的转移。观察到与没有电池的参考系统相当的系统效率。因此，这项研究证明了主动和被动耦合体系结构的可行性。
聚酰亚胺薄膜工艺设备资质
关键词：非光定义聚酰亚胺、固化、C&D Track、CascadeTek 烤箱、互连和 GaAs。摘要 化合物半导体行业使用多种材料来制造用于金属互连的层间电介质薄膜。这些材料包括 BCB、聚酰亚胺和硅电介质。在本文中，我们讨论了在 BAE 系统微电子中心 (MEC) 制造工厂的新加工设备上进行的聚酰亚胺薄膜工艺鉴定。这项工作包括对用于聚酰亚胺涂层的新涂层轨道和用于固化聚酰亚胺涂层薄膜的新固化烤箱的鉴定。引言聚酰亚胺薄膜具有低介电常数、高模量和相对较高的热稳定性、化学稳定性和机械稳定性 1, 2 。这些特性使其成为众多半导体和微电子处理应用的有吸引力的候选者。这些应用包括使用聚酰亚胺薄膜作为倒装芯片封装中的钝化层、印刷电路板的基板、多芯片模块沉积电介质封装中的基板、多层金属互连中的电介质夹层等。3 本文讨论了将聚酰亚胺薄膜用于金属互连，因为其介电常数低，可以降低寄生电容。金属互连将集成电路 (IC) 的各个部分电连接起来。互连结构对于现代 IC 制造至关重要。图 1 显示了典型互连结构的横截面。互连由交替的金属层和电介质层制成。这些层经过图案化，形成连接电路 1、2、4 的各个组件的电通路。
初步数据表 SGP30 - Rutronik
SGP30 的电气规格如表 3 所示。电源引脚必须用 100 nF 电容去耦，该电容应尽可能靠近引脚 VDD - 参见图 7 。所需的去耦取决于连接到传感器的电源网络。我们还建议将 VDD 和 VDDH 引脚短路。SCL 用于同步微控制器与传感器之间的通信。SDA 引脚用于与传感器之间传输数据。为了安全通信，必须满足 I 2 C 手册 4 中定义的时序规范。SCL 和 SDA 线都是开漏 I/O，带有连接至 VDD 和 VSS 的二极管。它们应连接到外部上拉电阻。为避免信号争用，微控制器必须仅将 SDA 和 SCL 驱动为低电平。需要外部上拉电阻（例如 R p = 10 kΩ）将信号拉高。确定电阻尺寸时，请考虑总线容量和通信频率（有关更多详细信息，请参阅 NXP I 2 C 手册第 7.1 节 4）。应注意，上拉电阻可能包含在微控制器的 I/O 电路中。芯片焊盘或中心焊盘与 GND 电连接。因此，电气考虑不会对芯片焊盘的布线施加限制。但是，为了保证机械稳定性，建议将中心焊盘焊接到 PCB 上。
通过高速X射线成像和热分析探索锂离子电池中的热失去传播：细胞化学和电动
电池安全设计非常重要，要考虑从单个锂离子电池到宏观系统的水平。在宏观层面上，一个单元格中的故障会导致热失控的传播，并迅速将整个电池组放在火上。可能影响传播结果的因素，例如细胞模型/化学和电连接，在这里使用测量组合进行了研究。进行了几项滥用测试，结合了两个不同的细胞模型（Molicel P42A和LG M50，均为21700）和平行连接（每次配置16个测试）。总体而言，从32次进行的测试中测量了56％的传播结果，最低温度为150℃以启动传播，并且在123 s中发生了最快的传播。温度测量在串联连接的细胞中较高，引发了对细胞化学的讨论以及对此作用的内部耐药性。串联和平行连接中热失控期间电流流的差异，以及如何进一步讨论这会影响温度演化。X射线射线照相的时空映射使我们得出电池内部热失控演变的速度，并表明串联连接的电池，尤其是P42A的发生速度更快。进一步观察到，仅在P42AS中仅在相应的指甲穿过的细胞中发生了跨侧壁行为，例如温度诱导的漏洞和压力诱导的破裂。
大脑计算机界面
英国研究人员卡顿（1）在1875年设法测量了兔子和猴子大脑中的自发电活动，1924年，德国神经精神病学家汉斯·伯格（Hans Berger）首次通过人头皮肤获得了贝伊（Bey）的电记录。汉斯·伯杰（Hans Berger）于1929年发表了这项研究（2）。Hans Berger在第一批记录中定义了Alpha（8-13 Hz）和Beta（15-30 Hz）的波，并将此电气记录称为“脑电图”（EEG）。大脑中的神经细胞与电连接相互通信，并且在获取细胞记录时，可以测量突触后的抑制剂，退出器突触电位后出口并最终导致动作电位。当有效电极连接到头骨上并作为第二电极中的参考电极连接时，测量该电极下神经细胞的所有电气集体活性。这些记录在大脑头皮上拍摄的记录是不正确的复杂信号。这些信号取决于人类的瞬时大脑活动，时间，频率和拓扑差异。汉斯·伯格（Hans Berger）表明，即使在第一次记录期间，枕骨闭嘴，大脑的视觉区域，阿尔法波也有所增加。在Alpha和Beta波之后，1936年，Walter（3）定义了Delta（0.5-3.5 Hz）和TETA（4-7 Hz）波，所有频带在1938年被命名为Gamma波（4）。今天，在许多书籍中，这些频带已成为任务说明
下一代共包装的光学技术在数据中心和其他计算应用程序中训练和运行生成AI模型John Knickerbocker
4 IBM T. J. Watson Research Center，1101 Kitchawan Rd，Yorktown Heights，NY 10598简介需要快速管理大量数据，有效地促进了对数据中心中高速数据传输的需求。 生成AI的出现进一步推动了对高速数据传输的需求，因此数据中心的近四分之三居住在数据中心中[1]。 Traffim的增长加速了对下一代网络设备的需求，以支持更高的端口密度。 但是，用于数据传输的传统铜电缆受到长距离信号降低的限制。 这又推动了大规模部署高速光学元件的要求，以连接网络设备的各个层。 今天，数据中心在很大程度上依赖于光学，但不用于短到中间（<2m）的互连。 传统的可插入光学带宽的增加速度要比数据中心的速度慢得多，并且应用要求和常规可插入光学的功能之间的差距不断增加，这一趋势是无法实现的。 共包装光学（CPO）是一种破坏性的方法，可通过通过高级包装和电子设备和光子学的优化来大大缩短电连接长度，从而提高互连带宽密度和能量效率。 计算性能的进步从摩尔的定律缩放中有益，并且在过去20年中的性能高达60000倍，如图1所示。 但是，在同一时间范围内，I/O带宽仅增加了30倍。4 IBM T. J. Watson Research Center，1101 Kitchawan Rd，Yorktown Heights，NY 10598简介需要快速管理大量数据，有效地促进了对数据中心中高速数据传输的需求。生成AI的出现进一步推动了对高速数据传输的需求，因此数据中心的近四分之三居住在数据中心中[1]。Traffim的增长加速了对下一代网络设备的需求，以支持更高的端口密度。但是，用于数据传输的传统铜电缆受到长距离信号降低的限制。这又推动了大规模部署高速光学元件的要求，以连接网络设备的各个层。今天，数据中心在很大程度上依赖于光学，但不用于短到中间（<2m）的互连。传统的可插入光学带宽的增加速度要比数据中心的速度慢得多，并且应用要求和常规可插入光学的功能之间的差距不断增加，这一趋势是无法实现的。共包装光学（CPO）是一种破坏性的方法，可通过通过高级包装和电子设备和光子学的优化来大大缩短电连接长度，从而提高互连带宽密度和能量效率。计算性能的进步从摩尔的定律缩放中有益，并且在过去20年中的性能高达60000倍，如图1所示。但是，在同一时间范围内，I/O带宽仅增加了30倍。电信号速率的增加需要显着前进才能使信号进入/退出，此外，根据应用程序，根据应用程序，还有一个伴随的挑战，可以进一步将电信号移至路由器或开关的前面板。为了解决这一挑战，该行业将通过共包装光引擎和主要
无线电力传输系统的全面回顾
尼古拉·特斯拉设想了一个未来，即电力（以及其他信号）将利用共振现象进行无线传输。随着特斯拉线圈的发明，这无疑是他最著名的创新，他几乎实现了这一抱负，因为这是第一个能够无线传输能量的系统。由于特斯拉线圈对人类健康和其他电气设备构成一些危害，该项目被迫停止。因此，特斯拉线圈几乎没有实际应用；然而，它的概念和原理已被融入到手机、智能手表和电动牙刷等小型设备中，以便在电源和负载之间没有物理连接的情况下进行充电。将电力从电源传输到负载而无需两者之间进行物理连接的概念很有趣，尤其是考虑到需要定期充电的便携式设备数量庞大。此外，这种非接触式充电解决方案更可靠，因为它避免了灰尘和湿气的侵入，并且是医疗器械更卫生的解决方案。1 因此，今天正在对 WPT 进行大量研究。 WPT 可分为两个子类别：远场传输和近场传输。远场传输也称为辐射型，可实现长达几米的传输距离，但效率较低。尽管传输距离有限，但近场传输方法（也称为非辐射型）由于效率更高而取得了显着进步。2 例如，变压器使用近场 WPT 技术，因为它利用磁感应原理将能量从初级线圈移动到次级线圈，而无需直接电连接。这些技术已应用于生物医学植入物、消费电子产品和电动汽车 (EV) 充电。3
超高密度 3D 集成电路的热支架
与传统的 2D 计算系统相比，超密集 3D 集成电路（3D IC），例如单片 3D IC（图 1），可以为数据密集型应用带来巨大的能量延迟积（EDP）优势 [1,2]。为了实现这些优势，需要将多层逻辑和存储器（例如，逻辑和/或存储器设备的薄层，以及相关的信号/全局金属布线）以 3D 形式集成，并使用有限长宽比的后端制程（BEOL）层间过孔（ILV）建立超密集（例如，间距 ≤ 100 纳米）垂直连接 [3]。现有的 BEOL 布线结构已经在使用这种纳米级 ILV。3D IC 变得至关重要，因为工艺技术小型化的根本限制使得传统的缩放路径更加困难。但是，必须克服重大的热挑战才能在多个 3D 层上实现高速和高功率计算引擎 [4-5]。如果没有新技术，未来 3D IC 的上层最高温度将大大超过可靠运行所需的上限（例如 [6] 中的 125°C）。我们使用图 1 中的单片 3D IC 来了解 3D 层中的温升和热耗散（详细分析见第 III 部分）。图 1 中的 N 层中的每一层都包含一层高速、高功率硅逻辑器件（例如，计算引擎）和由铜布线和超低κ 层间电介质 (ILD) 组成的 BEOL 层（例如，用于信号布线）。各层通过超密集 ILV 电连接。在某些设计中，每层还存在硅存储器、存储器访问设备和额外的 BEOL。3D IC 由附加的散热器进行外部冷却，散热器将产生的所有热量以散热器比传热系数 h（W/m 2 /K）散发到环境中。最高温度 T j 取决于散热器、环境温度和 N 层的热特性。散热器创新（如 [7]）只需散热器上 10°C 的温升（即 h= 10 6 W/m 2 /K）即可消除 1000 W/cm 2 的热量，尽管
通孔-中间 TSV 晶圆混合键合中 Cu 突起对连接电阻的影响
摘要 本研究研究了铜突起对连接电阻的影响，作为中通孔硅通孔 (TSV) 晶片混合键合的详细数据。在制备了多个具有不同铜突起量的 Cu TSV 晶片和 Cu 电极晶片并通过表面活化键合方法使用超薄 Si 膜进行键合后，通过四端测量评估了键合晶片的连接电阻（即 TSV、Cu 电极和界面电阻之和）。结果表明，Cu 突起量是中通孔 TSV 晶片与超薄 Si 膜混合键合的关键参数，通过调节 Cu 突起可以在不进行热处理的情况下实现 TSV 和 Cu 电极之间的电连接。关键词 中通孔 硅通孔(TSV) 直接Si/Cu研磨 混合键合I.引言 随着摩尔定律的放缓，带有硅通孔(TSV)[1-6]的三维集成电路(3D-IC)已经成为实现高速、超紧凑和高功能电子系统的可行解决方案。3D-IC在某些电子系统中的接受度越来越高。然而，要将3D-IC技术应用于许多电子系统，需要进一步降低TSV形成成本、实现TSV小型化和提高TSV产量。在各种TSV形成工艺中，中通孔Cu-TSV工艺可以有效减小TSV尺寸并提高TSV产量，因为该工艺易于形成(1)小TSV，并且(2)TSV与多层互连之间的电接触。然而，如果晶圆背面露出的TSV高度变化很大，则可能会发生TSV断裂或接触失效。在之前的研究中，我们提出了一种 Cu-TSV 揭示工艺，包括直接 Si/Cu 研磨和残留金属去除 [7-9]（图 1），以克服这一问题。首先，使用新型玻璃化砂轮进行直接 Si/Cu 研磨，并使用高压微射流 (HPMJ) 对砂轮进行原位清洁。由于非弹性