摘要:混合半导体 - 超导体纳米线构成了一个普遍存在的平台,用于研究栅极可调的超导性和拓扑行为的出现。其低维和晶体结构柔韧性有助于独特的异质结构生长和有效的材料优化,这是准确构建复杂的多组分量子材料的关键先决条件。在这里,我们对INSB,INASSB和INAS纳米线上的SN生长进行了广泛的研究,并演示了纳米线的晶体结构如何驱动半金属α -SN或超导β -SN的形成。对于INAS纳米线,我们观察到相纯超导β-SN壳。但是,对于INSB和INASSB纳米线,初始外延α -SN相变成共存α和β相的多晶壳,其中β /α的体积比随SN壳厚度而增加。这些纳米线是否表现出超导性,不批判性地依赖于β -SN含量。因此,这项工作为SN阶段提供了各种半导体的关键见解,这对适合生成拓扑系统的超导杂种产量产生了影响。关键字:纳米线,拓扑材料,半导体 - 螺旋体混合动力,SN,量子计算,界面,外交T
图S2:A,长INSB-SN部分的SEM图像。观察到NW远离SN沉积方向的小弯曲。这可以归因于材料的不同热膨胀系数,也可以归因于界面中的残余应变。6,7 B,鳗鱼elemental sn,sb和NWS的INSB/INAS部分。在INSB表面上可以理解连续的SN壳,而它作为INAS茎上的离散岛沉积。c,从(b)中标记为in,sn和sb边缘标记的(b)中标记的区域提取的鳗鱼光谱。d,INAS和INSB之间的交点区域的底部曲率。SN通常在该区域不存在。这可能是由于弯曲区域中的高表面能,或者当SN沉积时可能会被遮盖。比例尺为:(a)100 nm,(b)100 nm,(d)20 nm。