David J. Huggins*剑桥大学,TCM集团,Cavendish实验室,19 J J J Thomson Avenue,Cambridge CB3 CB3 0HE,英国联合王国联合国联合国联合国中心,剑桥大学,剑桥大学,剑桥大学,剑桥大学,英国CB2 CB2 CB2 1EW,英国djh210@cam.ac.uk C. bio divem c. of Oxford, South Parks Road, Oxford, OX1 3QU, United Kingdom philip.biggin@bioch.ox.ac.uk This author declares no conflict of interest Marc A. Dämgen Department of Biochemistry, University of Oxford, South Parks Road, Oxford, OX1 3QU, United Kingdom marc.daemgen@bioch.ox.ac.uk This author declares no conflict of interest Jonathan W. Essex School of南安普敦大学化学,南安普敦SO117 1BJ,英国救生科学研究所,南安普敦大学,南安普敦,SO17 1BJ,英国,英国J.W.essex@soton.acton.ac.ac.uk。 9JT,英国s.a.harris@leeds.ac.uk,该作者没有宣布的利益冲突Richard H. Henchman曼彻斯特生物技术学院,曼彻斯特曼彻斯特大学,曼彻斯特大学131号,曼彻斯特大学,M1 7dn,英国曼彻斯特化学学院M1 7dn,曼彻斯特,曼彻斯特,诺斯特郡,诺斯特,诺斯特郡,诺斯特。兴趣Syma Khalid化学学院,南安普敦大学,南安普敦SO17 1BJ,英国生命科学研究所,南安普敦大学,南安普敦SO17 SO17 1BJ,英国
将基于多甲基丙烯酸酯/多甲基丙烯酸酯(PS/ PMMA)块共聚物组成的自组装形成的纳米骨的最佳策略投资到硅底物中。作者表明,特定问题与通过自组装获得的PS面膜的等离子体蚀刻有关。的确,由于亚15 nm接触孔的纳米尺寸及其固有的高纵横比(> 5),因此必须重新审视微电子工业中通常用于蚀刻SIO 2和硅的等离子体蚀刻过程。特别是,蚀刻各向异性依赖于特征侧壁上钝化层的形成的过程不适合纳米尺寸,因为这些层倾向于填充导致蚀刻停止问题的孔。同时,与在高方面比率纳米骨中克服差分充电效应的典型过程相比,必须增加离子轰击能。然而,通过将适当的过程(例如同步的脉冲等离子体)进行开发,作者表明,通过使用块共聚物和硬面膜策略,可以将70nm深的孔深孔进入硅。这些实验产生的另一个有趣的观察结果是,对于亚15 nm孔,几个nm的临界维度(CD)缩合会导致强大比率依赖性蚀刻速率。此外,在每个等离子体步骤之后,对孔的CD的分散体进行了仔细的分析表明,CD控制远非令人满意的高级CMOS技术要求。v C 2014美国真空学会。[http://dx.doi.org/10.1116/1.4895334]关键问题来自从PS/PMMA矩阵中的未完成的PMMA在我们的自组装过程中的去除:可变量的PMMA保留在PS孔中,从而导致蚀刻步骤中的微功能效应,从而产生CD控制损失。也许可以通过将紫外线释放酸处理与乙酸处理相结合,以在等离子体蚀刻之前提供不含PMMA残基的PS膜,以解决此问题。
团队受益于多个工业合作伙伴的贡献 - 首先也是最重要的是,Bridgers&Paxton的Dwight Dorsey努力将不同的研究组件整合到液相系统的功能设计中。Dwight的实践经验和看似无限的耐心对于我们将这项技术的可行综合设计融合在一起的能力至关重要。如图2所示,该项目受益于多个合同合作伙伴。团队负责人和公司包括与JT Thorpe&Son,Gordon Bigham的Dwight,Joe Rigby,与Job Industrial Services一起,Dereje Shiferaw与Vacuum Process Engineering一起,Glen Bostick,Glen Bostick和David Wait与Nooter/Eriksen和Nathan Tedford一起使用Hatch。Dan Barth具有高温系统设计,汉克价格和Bruce Kelly的太阳能动力学为熔融盐提供了有关泵,阀门和油箱设计的重要细节。与ICL的Reinhard Effenberger博士是研究计划的早期且一致的支持者,领导了工业盐化学的努力。
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我们提出了一个48个元素的可编程相板,用于通过光刻和聚焦离子束的组合所产生的相干电子波。这将从光光学的波前塑造的非常成功的概念带入了电子光学的领域,并提供了准备电子量子状态的重要新自由度。相板芯片安装在放置在100-300 kV范围内的透射电子显微镜的C2平面上的孔杆上。相板的行为的特征是Gerchberg-Saxton算法,显示在300 kV时的相位灵敏度为0.075 rad / mV,相位分辨率约为3·10 - 3π。此外,我们简要概述了可能的用例,并通过模拟和实验结果进行支持。
在本文中,我们研究了 3D 打印聚合物复合材料在经历大变形时的失效行为。将实验结果与使用具有能量阈值和有效平面应力公式的相场断裂法的数值模拟进行了比较。将开发的框架应用于由嵌入软基质中的三个刚性圆形夹杂物组成的复合系统。特别是,我们研究了几何参数(例如夹杂物之间的距离和初始缺口的长度)如何影响软复合材料的失效模式。我们观察到复杂的失效序列,包括块体材料中的裂纹停止和二次裂纹萌生。值得注意的是,我们的数值模拟捕捉到了复合材料失效行为的这些基本特征,数值结果与实验结果高度一致。我们发现复合材料的性能(强度和韧性)可以通过选择夹杂物的位置来调整。然而,我们报告称,最佳夹杂物间距并不是唯一的,还取决于初始缺口长度。这些发现为设计性能增强的软复合材料提供了有用的见解。