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World File Search System硅中
在离子植入和NS脉冲激光退火时激活硅在硅中的发射器
光学主动电信发射器的最新演示表明，硅是固态量子光子平台的引人注目的候选者。尤其是，在常规的热退火后，已在富含碳的硅中显示了称为G中心的缺陷的制造。然而，这些发射器在晶圆尺度上的高收益受控制造仍然需要鉴定合适的热力学途径，从而在离子植入后激活其激活。在这里，我们证明了纳秒脉冲激光退火时高纯硅底物中G中心的激活。该提出的方法通过供应短的非平稳脉冲来实现G中心的非侵入性，局部激活，从而克服了与发射器的结构性亚元能力相关的常规快速热退火的局限性。有限元的分析突出了该技术的强大非平稳性，提供了与常规更长的热处理相对于常规的较长热处理的根本不同的缺陷工程能力，为嵌入在集成光子电路和波导的集成光子电路和波导中的发射器的直接和受控制造铺平了道路。
优化锡唑化合物二氧化硅中获得，结构阐明和药代动力学评估
药物化学在药物原型开发过程中起作用，在这种情况下，它起源于新分子的合成以及表征过程。从这个意义上讲，一组分子一直在对其突出的药理活性产生兴趣，这是Tiosmicarbazonas的类别，在这里强调了其由tiazols组成的核心衍生物。因此，本研究的目的是合成可以呈现药理活性的这类分子的新药理剂。此外，它旨在优化噻唑化合物的合成过程，以及通过二氧化硅分析中的药代动力学特性的确定。作为一种方法，选择了超声合成，具有1：1化学计量比例，用于溶剂，将使用乙醇的使用产生为产品两种编纂的tiazols，例如TZ-03和TZ-04。收入的结果，值分别为70％和98.3％。与二氧化硅分析有关，评估与口服生物利用度和药代动力学表征有关，以及用于吸收，分布，代谢和排泄的数据。除此之外，还由红外线进行，以识别有关化合物组的特定频带。
通过嵌段共聚物薄膜超低能量注入磷离子在硅中形成周期性掺杂阵列
完整作者列表：Kuschlan，Stefano； CNR 微电子与微系统研究所 Chiarcos，Riccardo；东皮埃蒙特大学阿梅代奥阿伏伽德罗 - 亚历山德里亚校区，DISIT Laus，Michele；东皮埃蒙特大学，DISIT Perez-Murano，Francesc；巴塞罗那微电子研究所 Llobet，Jordi； IMB CNM 费尔南德斯-雷古莱兹，玛尔塔；巴塞罗那微电子研究所，纳米制造 Bonafos，Caroline； CEMES Perego，米歇尔； CNR，微电子与微系统研究所 Seguini，Gabriele； CNR、IMM、玛瑙布里安扎德米奇利斯单位、马可； CNR 微电子与微系统研究所 Tallarida，Graziella；国家研究委员会微电子与微系统研究所，Agrate Brianza 单位
检测硅中的单W-中心
控制硅中各个荧光缺陷的量子特性是对高级量子光子设备容易伸缩的关键挑战。迄今为止，研究的重点是基于硅晶格中纳入的杂质的外部缺陷。在这里，我们证明了硅中单个固有缺陷的检测，该缺陷与称为W-Center的三个互化络合物相关，在1.218 µm处的零孔子线。研究其单光子发射特性揭示了有关该常见辐射损伤中心的新信息，例如其偶极取向及其光物理学。我们还确定了其显微镜结构，并表明，尽管此缺陷不具有带隙中的电子状态，但库仑相互作用导致硅带隙下方的激子辐射重组。这些结果可能会基于硅的固有发光缺陷（例如综合量子光子学和量子通信）的固有发光缺陷为多种量子观点树立阶段。
Binahong（Anredera Cordifolia（十。）叶提取物的潜力作为伤口愈合剂，使用硅中抑制基质金属蛋白酶（MMP），并通过体外测定
伤口愈合过程经历了复杂的机制，需要很长时间。基于经验经验，比纳洪离开（Anredera cordifolia（十）steenis）治愈新鲜的伤口。这项研究旨在确定Binahong提取物作为通过硅和体外测试中伤口愈合的活性成分的潜力。使用具有多种不同溶剂的超声化方法提取叶子：乙酸乙酯 - 乙醇和乙醇水性比例确定。基于UHPLC-HRMS分析，96％乙醇提取物鉴定出187种化合物，70％乙醇提取物153种化合物，50％乙醇提取物105种化合物和乙酸乙酸乙酯提取物110化合物。在计算机研究中表明，具有MMP1的反式3-吲哚丙烯酸化合物的结合能为-8.0 kcal/mol，而MMP1天然配体产生-9.5 kcal/mol。使用MMP12的葡萄糖酸化合物产生-4.3 kcal/mol的结合能，而对于天然配体，MMP12产生-3.4 kcal/mol。两种化合物均在Anredera Cordifolia（十）steenis提取物，具有70％的乙醇溶剂。使用MTT方法使用超过24、48和72小时的纤维爆炸细胞增殖测定法进行了体外测定。在24小时孵育期间以70％乙醇提取的提取物显着增加了细胞增殖，但在48小时和72小时的孵育期间，它往往稳定。Anredera Cordifolia的70％乙醇（十） 与其他溶剂提取物相比，在8μg/mL –200μg/ml浓度下以8μg/ml –200μg/ml的浓度以显着增加细胞增殖。Anredera Cordifolia的70％乙醇（十）与其他溶剂提取物相比，在8μg/mL –200μg/ml浓度下以8μg/ml –200μg/ml的浓度以显着增加细胞增殖。这些结果表明Anredera Cordifolia的70％乙醇提取物（十）Steenis具有加速增殖过程的最佳活动，这可能是修复伤口的第一步。这项研究表明，Anredera Cordifolia的70％乙醇（十）Steenis作为伤口治疗剂有效。
从硅中到体外：验证生物信息学发现的综合指南
索引术语 - 生物信息学，实验验证，基因表达，蛋白质 - 蛋白质相互作用，CRISPR，下一代测序，人工智能，多摩学，计算预测摘要 - 从了解生物学预测和实验验证在促进生物学的策略方面扮演生物信息信息预测和实验验证的作用。生物信息学工具和方法为预测基因功能，蛋白质相互作用和调节网络提供了有力的手段，但是必须通过实验方法来验证这些预测以确保其生物学相关性。本综述探讨了用于实验验证的各种方法和技术，包括基因表达分析，蛋白质 - 蛋白质相互作用验证和途径验证。我们还讨论了将计算预测转化为实验环境的挑战，并强调了生物启发性和实验研究之间协作的重要性。最后，新兴技术，例如CRISPR基因编辑，下一代测序和人工智能，正在塑造生物信息学验证的未来，并推动更准确，更加精确的生物学发现。
通过与碳和质子共注入制造的硅中单个 G 中心
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
硅中近红外单光子发射器的广泛多样性
硅在半导体技术中的蓬勃发展与控制其晶格缺陷密度的能力密切相关 [1]。在 20 世纪上半叶，点缺陷被视为对晶体质量的危害 [2]，如今它已成为调节这种半导体电学性质的重要工具，从而推动了硅工业的蓬勃发展 [1]。进入 21 世纪，硅制造和注入工艺的进步引发了根本性变革，使人们能够在单个层面上控制这些缺陷 [3]。这种范式转变将硅带入了量子时代，如今单个掺杂剂被用作可靠的量子比特来编码和处理量子信息 [4]。这些单个量子比特可以通过全电方式有效控制和检测 [4]，但其缺点是要么与光耦合较弱 [5]，要么发射中红外波段的辐射 [6]，不适合光纤传播。为了分离具有光学接口的物质量子比特，从而实现量子信息的长距离交换，同时又能从先进的硅集成光子学中获益 [7]，一种策略是研究在近红外电信波段具有光学活性的硅缺陷 [8, 9]。
可扩展的原子阵列用于硅中的基于自旋的量子计算机
半导体旋转量子尺将出色的量子性能与使用行业标准的金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化量（MOS）工艺相结合的量子性能。这也适用于离子植入的供体旋转，这些供体的旋转进一步提供了特殊的连贯性时间和核旋转中的较大希尔伯特空间尺寸。在这里，我们演示并整合了多种策略来制造基于规模的供体量子计算机。，我们使用31 pf 2分子植物将放置确定性三倍，而在检测植入物方面达到99.99％的情况。通过植入较重的原子（例如123 SB和209 BI）来保留类似的结合，这些原子代表用于量子信息处理的高维Qudits，而SB 2分子可以确定性地形成紧密间隔的Qudits。我们使用纳米孔径使用渐进式植入，证明了具有300 nm间距的供体原子的常规阵列的确定性形成。这些方法涵盖了在硅中基于供体的量子计算机构建的技术要求。
硅中不寻常的塑性应变诱发相变现象
Si 是最重要的电子材料，对其压力诱导相变 (PT) 已得到广泛研究，而应变诱导的 PT 从未进行过原位研究。本文，我们原位揭示了各种重要的塑性应变诱导 PT 现象。理论上预测了应变诱导 PT 中粒径与屈服强度和压力之间的正霍尔-Petch 效应和逆霍尔-Petch 效应之间的相关性，并通过实验证实了 Si-I → Si-II PT 的相关性。对于 100 nm 粒子，应变诱导的 PT Si-I → Si-II 在压缩和剪切下均在 0.3 GPa 开始，而在静水条件下则在 16.2 GPa 开始。Si-I → Si-III PT 始于 0.6 GPa，但不会在静水压力下发生。微米和 100 nm 粒子的小 Si-II 和 Si-III 区域内的压力比 Si-I 高 ∼ 5 – 7 GPa。对于 100 nm Si，观察到 Si-I → I + II → I + II + III PT 序列，并且在扭转下发现 Si-I、II、III 和 XI 四相共存。在环境压力下保留 Si-II 和单相 Si-III 并获得反向 Si-II → Si-I PT 证明了操纵不同合成路径的可能性。所获得的结果证实了精心设计的基于位错堆积的机制，并且在开发纳米结构材料的经济缺陷诱导合成、表面处理（抛光、车削等）和摩擦方面具有广泛的应用。