XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System硅碳
硅碳化物MOSFET中的短路鲁棒性和载体寿命
抽象注意力缺陷多动症（ADHD）是一种神经发育多基因疾病，影响了世界各地5％以上的儿童和青少年。遗传和环境因素在ADHD病因中起着重要作用，这导致了整个人群中广泛的临床结果和生物学表型。与同龄人的对照相比，患者通常发现了4年滞后的大脑成熟延迟。细胞生长率的可能差异可能反映了多动症患者的临床观察结果。但是，仍未阐明细胞机制。为了检验这一假设，我们分析了诱导多能干细胞（IPSC）和神经干细胞（NSC）的增殖，这些细胞（NSC）源自男性儿童和诊断为ADHD的男孩和青少年（使用多基因风险评分评估），以及其相应的对照组。在当前的试点研究中，值得注意的是，ADHD组的NSC繁殖小于对照，而在IPSC发育阶段没有发现差异。我们来自两种不同的增殖方法的结果表明，患者发现的功能和结构延迟可能与这些体外表型差异有关，但从明显的神经发育阶段开始。这些发现是多动症疾病建模领域的第一个发现，对于更好地了解该疾病的病理生理可能至关重要。
硅碳电池：推进绿色未来的技术
锂 - 硅电池是采用硅基阳极，锂离子作为电荷载体的锂离子电池。[1]基于硅的材料通常具有更大的特异性能力，例如原始硅的3600 mAh/g。[2]标准阳极材料石墨限制为完全纤维化状态LIC 6的最大理论能力为372 mAh/g。[3]当插入锂以及在带电状态下的高反应性时，硅的大容量变化（根据晶体密度约为400％）是商业化这种阳极的障碍。[4]商用电池阳极可能具有少量的硅，从而稍微提高了性能。这些金额密切关注的商业秘密，截至2018年，最多限于阳极的10％。[需要引用]锂 - 硅电池还包括细胞构型，其中硅处于化合物中，在低压下，可以通过位移反应储存锂，包括氧化碳酸硅，硅一氧化碳或氮化硅。[5]
创建二维硅碳化物
通过将碳和硅添加到碳化物表面上，我的论文揭示了一种创建二维碳化硅碳化物的新方法，这种材料可能导致更有效的电子设备。如大多数人所知道的那样，今天的电子产品严重依赖硅。为了改善我们的设备，这些硅电子设备已变得越来越小，但现在已经达到了极限。想象一下，如果不使用庞大的三维结构，我们可以使用堆叠在一起的超薄原子。这些床单被称为二维（2D）材料，自2010年获得诺贝尔奖获奖石墨烯以来就引发了一波研究。石墨烯是一层碳原子，向我们展示了2D材料可以彻底改变技术，但它有局限性。例如，石墨烯没有带隙，这对于控制计算机等设备中的电流至关重要，我们需要清除开/关状态（例如管理汽车流量的交通信号灯）。此频段间隙对于创建二进制二进制（电流）和零（无电流）是计算机逻辑的基础至关重要。带有带隙的材料称为半导体，具有直接带隙的材料对于LED，激光器和太阳能电池等设备特别有用。直接带隙就像是一条井井有条的道路，在交通信号灯处停止后，允许汽车平稳，高效地加速，而间接的频段隙就像是一条扭曲的道路，使汽车需要更长的时间才能达到全速。建立在这一发现的基础上，我的目标是直接在TAC水晶上创建2D SIC。在我的研究中，我专注于创建一种新的2D材料：碳化硅（SIC），将硅原子和碳原子组合成单层。科学家认为，2D SIC可能是一个改变游戏规则的人，因为它具有直接的乐队差距，但使其非常具有挑战性。最近，一个突破表明，在顶部加热用薄薄的碳化物（TAC）加热碳化硅晶体可以帮助形成2D SIC。通过将碳和硅添加到加热的TAC表面，我成功形成了2D SIC。这种方法使我可以更好地控制编队过程，并更深入地了解2D SIC的成长方式。另外，通过调整碳的量，我可以在2D SIC的顶部创建石墨烯层。石墨烯的稳定性提高了将其用作2D SIC上的保护层的令人兴奋的可能性。未来的研究可以探索这种可能性。最重要的是，我的作品展示了一种创建2D SIC的新方法，使其更接近被用于下一代电子和光学设备。这可能会导致更快，更高效的技术，继续我们用硅取得的进步，但将其提升到一个新的水平。
支持石墨烯和硅碳化物之间超导性的金属层
（2）H。Toyama，R。Akiyama，S。Ichinokura，M。Hashizume，T。Iimori，Y。Endo，R。Hobara， div>
硅碳化物schottky屏障二极管 - 应用注释
图3.1显示了Gen-3 SIC SBD的原理结构，这是Sanan半导体提供的最新一代SIC二极管。该设备结合了一个金属半导体连接，称为Schottky屏障，而不是表征标准SI二极管的传统P-N结。shottky屏障是在肖特基金属和轻微掺杂的N型外延之间形成的。基板的特征是高度掺杂的N型SIC晶圆，可提供机械稳定性。当应用正向电压时，电子是多数电载体，导致单极电流。此外，由于活动区域中存在几个P+岛，该设备在电涌操作过程中作为PN二极管行为，并产生额外的电流流动。此设计可防止高电压下降，这将带来二极管的破坏。
具有高温中子反射仪的硅碳化物碳化物的外延石墨烯生长：一项操作研究
如今，制造商必须同时处理大量信息，以高度准确的水平与工业革命的高发展速度保持同步。这一需求导致了机器人的发明 - 在发展的各个方面，几乎每个方面都是人类的宝贵助手。1在rst，创建机器人是为了支持集会线的人；但是，他们可以执行更复杂的任务，例如制造，娱乐，交付处理等。2 - 4，无论根据实际要求，各种形状和大小如何，机器人都用两个主要组成部分制造：机械细节和编程，因此请ware。5个信息通过这些零件收集的信息已处理并转移给董事。6
RSC Advances 具有高温中子反射仪的硅碳化物碳化物的外延石墨烯生长：一项操作研究
许多研究报告说，使用无机材料作为PSFLLER来改善分离性能。25 - 27然而，由于无机性问题导致表面缺陷并影响分离性能，因此采用无机ller的挑战。28多孔有机材料有可能用作膜ller，并可以解决兼容性问题。潜在的候选者之一是基础有机体。硫官能团可以通过极性间隔在膜中促进H 2和CO 2溶解度。29,30此外，芳香结构中的硫可以显着增加CO 2通过酸 - 基础相互作用。31基于sul的有机有机物是聚苯基sulde（pps）。它具有良好的机械性能，对高温的出色抵抗力，在各种环境条件下的惊人稳定性以及对由于其结构排列而具有强烈碱性和酸性的环境的韧性。32 - 34
超符合硅碳化物涂料通过前体脉冲化学蒸气沉积
在这项工作中，碳化硅（SIC）涂层通过脉冲化学蒸气沉积（CVD）成功生长。未在连续流中提供四氯化硅（SICL 4）和乙烯（C 2 H 4），而是以H 2作为载体和清除气体交替脉冲到生长室中。典型的脉冲CVD循环为SICL 4脉冲 - H 2净化 - C 2 H 4脉冲 - H 2吹扫。这导致了超符号SIC涂层的生长，在相似的过程条件下，使用恒定的流动CVD工艺无法获得。我们通过脉冲CVD提出了一个两步的SIC生长框架。在SICL 4脉冲期间，沉积了一层Si。在以下C 2 H 4脉冲中，该Si层被渗入，并形成SIC。据信SICL 4脉冲后，高氯表面覆盖范围可以通过生长抑制作用来实现超级生长。
太阳能中的下一级功率密度和硅碳化物MOSFET
致谢：这项工作由奥地利联邦气候，环境，能源，流动性，创新和技术以及奥地利联邦数字和经济事务部的资助，并由奥地利WirtschaftService（AWS）和奥地利研究促进机构（FFG）实施，在欧洲共同利益的框架中（iPcecei）（ipcei）框架（ipcei）（ipcei）的框架。IPCEI关于微电子的IPCEI还由来自德国，法国，意大利和英国的公共当局资助。