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绝缘体上硅锂上的集成掺杂的波导放大器
光学放大设备是光学通信系统中的关键组件。在1980年代，Erbium掺杂的纤维放大器（EDFAS）是一项开创性的成就，可以实现长途光学通信和革命性的信息传输[1，2]，因为EDFA一直为全球基于纤维的通信网络提供了低噪声的高收益，数十年来。erbium离子在覆盖高输出功率的电信带中表现出稳定和低噪声增益，使Erbium掺杂介质非常适合光学放大器和激光器。但是，EDFA通常需要一米至数十米的光纤长度，这使它们容易体现环境波动，并为整合工作带来挑战。半导体光放大器（SOA）具有高增益和集成，但它们具有极化敏感[3]，噪声图也相对较高。对比，与不同光子平台的稀土离子掺杂显示了可以有效解决问题的综合掺杂波导放大器（EDWAS）的巨大希望[4，5]。根据1990年代开始对EDWA进行的研究[6]。如今，Edwas引起了重大的兴趣，受益于不同集成光子平台的传播损失，包括氮化硅（SI 3 N 4）[1、7-9] [1、7-9]，氧化泰当不是（TEO 2）[10]和Niobate（Niobate（ln）[4、11-18）[4、11-18] [4、11-18] [4、11-18]>尤其是，由于其透明度较大，非线性和出色的电极（EO）特性，LN长期以来一直是光子学的有希望的材料。绝缘子（LNOI）平台上的Niobate锂结合了LN的优势与增强的模式限制，使其成为下一代光子集成电路
通过光子线粘结启用的薄膜锂硅锂上的高功率和窄线宽激光
薄膜硅锂（TFLN）已成为实现高性能芯片尺度光学系统的有前途的平台，涵盖了从光学通信到微波光子学的一系列应用。此类应用程序依赖于将多个组件集成到单个平台上。然而，尽管其中许多组件已经在TFLN平台上进行了证明，但迄今为止，该平台的主要瓶颈是存在可调，高功率和狭窄的芯片激光器的存在。在这里，我们使用光子线粘结解决了这个问题，将光学放大器与薄膜锂锂反馈电路集成在一起，并证明了扩展的腔二极管激光器，产生了78 MW的高芯片上功率，侧模式抑制较大，大于60 dB，大于43 nm的宽波长可调节性。在短时间内的激光频率稳定性显示了550 Hz的超鼻中固有线宽。长期记录表明，光子线键键激光器具有58小时的无模式操作的高无源稳定性，频率漂移仅为4.4 MHz/h。这项工作将光子线粘结验证为用于高性能在芯片激光器上的可行集成解决方案，为系统级别的升级和瓦特级输出功率打开了路径。
通过光子线粘结启用的薄膜锂硅锂上的高功率和窄线宽激光
薄膜硅锂（TFLN）已成为实现高性能芯片尺度光学系统的有前途的平台，涵盖了从光学通信到微波光子学的一系列应用。此类应用程序依赖于将多个组件集成到单个平台上。然而，尽管其中许多组件已经在TFLN平台上进行了证明，但迄今为止，该平台的主要瓶颈是存在可调，高功率和狭窄的芯片激光器的存在。在这里，我们使用光子线粘结解决了这个问题，将光学放大器与薄膜锂锂反馈电路集成在一起，并证明了扩展的腔二极管激光器，产生了78 MW的高芯片上功率，侧模式抑制较大，大于60 dB，大于43 nm的宽波长可调节性。在短时间内的激光频率稳定性显示了550 Hz的超鼻中固有线宽，而长期记录表明，光子线键合激光器的高无源稳定性具有46小时的无模式跳动操作。这项工作将光子线粘结验证为用于高性能在芯片激光器上的可行集成解决方案，为系统级别的升级和瓦特级输出功率打开了路径。
薄膜硅锂（TFLN）政策论文
最近，包括QCI在内的世界各地的Scien？sts已经证明了将大量信息编码到单个光子上的能力。能够密集地编码Informa？On上的光子并将其结合到很小的空间的能力，使其非常适合在Op？Cal Compu？Ng ng发动机上使用。此外，由于光子几乎不会产生热量，因此非常适合用于要求构成应用程序。例如，大规模组合使用的所有能量中，将近43％用于冷却。今天，这是一个惊人的110多瓦姆小时的电力，每年仅用于冷却数据中心。AC中的光子无热量。结果，基于光子的系统不能像电子系统那样过热。这不仅使基于光子的系统更便宜且易于操作，而且还会产生较少的“噪声”或“发行”，因为它们不是属的热量，因为它们不是属的热量。
薄膜硅锂
电磁充当电子和光子学之间的关键桥梁，解锁了从通信和计算到传感和量子信息的广泛应用。综合的电磁方法特别是对光子学的必需电子高速控制，同时为电子产品提供了实质性的光子并行性。在薄膜锂锂光子学中的最新进展已取得了革命性的革命性进步。这项技术不仅提供了必要的强电磁耦合，而且还具有超低光损失和高微波带宽。此外，它的紧密限制和与纳米化的兼容性允许前所未有的可重构性和可扩展性，从而促进了曾经在散装系统中几乎被认为几乎不可能的新颖和复杂的设备和系统的创建。在这个平台上建立了该领域，目睹了各种开创性的电磁设备的出现1-12超过了1-6,9-12的当前状态，并引入了以前不存在3,7,8的功能。这一技术飞跃向前提供了一个独特的框架，以探索各种物理领域，包括光子非热式合成维度13-15，主动拓扑物理学16,17和量子电动镜12,18-20。在这篇综述中，我们介绍了电探针的基本原理，即基本科学与技术前沿之间的联系。我们讨论了由薄膜Niobate平台启用的综合电视的成就和未来前景。
薄膜硅锂
电磁充当电子和光子学之间的关键桥梁，解锁了从通信和计算到传感和量子信息的广泛应用。综合的电磁方法特别是对光子学的必需电子高速控制，同时为电子产品提供了实质性的光子并行性。在薄膜锂锂光子学中的最新进展已取得了革命性的革命性进步。这项技术不仅提供了必要的强电磁耦合，而且还具有超低光损失和高微波带宽。此外，它的紧密限制和与纳米化的兼容性允许前所未有的可重构性和可扩展性，从而促进了曾经在散装系统中几乎被认为几乎不可能的新颖和复杂的设备和系统的创建。在这个平台上建立了该领域，目睹了各种开创性的电磁设备的出现1-12超过了1-6,9-12的当前状态，并引入了以前不存在3,7,8的功能。这一技术飞跃向前提供了一个独特的框架，以探索各种物理领域，包括光子非热式合成维度13-15，主动拓扑物理学16,17和量子电动镜12,18-20。在这篇综述中，我们介绍了电探针的基本原理，即基本科学与技术前沿之间的联系。我们讨论了由薄膜Niobate平台启用的综合电视的成就和未来前景。