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硅作为锂离子的阳极材料的配体影响...
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绝缘体上硅锂上的集成掺杂的波导放大器
光学放大设备是光学通信系统中的关键组件。在1980年代，Erbium掺杂的纤维放大器（EDFAS）是一项开创性的成就，可以实现长途光学通信和革命性的信息传输[1，2]，因为EDFA一直为全球基于纤维的通信网络提供了低噪声的高收益，数十年来。erbium离子在覆盖高输出功率的电信带中表现出稳定和低噪声增益，使Erbium掺杂介质非常适合光学放大器和激光器。但是，EDFA通常需要一米至数十米的光纤长度，这使它们容易体现环境波动，并为整合工作带来挑战。半导体光放大器（SOA）具有高增益和集成，但它们具有极化敏感[3]，噪声图也相对较高。对比，与不同光子平台的稀土离子掺杂显示了可以有效解决问题的综合掺杂波导放大器（EDWAS）的巨大希望[4，5]。根据1990年代开始对EDWA进行的研究[6]。如今，Edwas引起了重大的兴趣，受益于不同集成光子平台的传播损失，包括氮化硅（SI 3 N 4）[1、7-9] [1、7-9]，氧化泰当不是（TEO 2）[10]和Niobate（Niobate（ln）[4、11-18）[4、11-18] [4、11-18] [4、11-18]>尤其是，由于其透明度较大，非线性和出色的电极（EO）特性，LN长期以来一直是光子学的有希望的材料。绝缘子（LNOI）平台上的Niobate锂结合了LN的优势与增强的模式限制，使其成为下一代光子集成电路
平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究
[25] Shi K W，Yow K Y，LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议（EPTC），2014年12月3日至5日，2014年12月3日，新加坡。纽约：IEEE出版社，2015：752-759。
通过光子线粘结启用的薄膜锂硅锂上的高功率和窄线宽激光
薄膜硅锂（TFLN）已成为实现高性能芯片尺度光学系统的有前途的平台，涵盖了从光学通信到微波光子学的一系列应用。此类应用程序依赖于将多个组件集成到单个平台上。然而，尽管其中许多组件已经在TFLN平台上进行了证明，但迄今为止，该平台的主要瓶颈是存在可调，高功率和狭窄的芯片激光器的存在。在这里，我们使用光子线粘结解决了这个问题，将光学放大器与薄膜锂锂反馈电路集成在一起，并证明了扩展的腔二极管激光器，产生了78 MW的高芯片上功率，侧模式抑制较大，大于60 dB，大于43 nm的宽波长可调节性。在短时间内的激光频率稳定性显示了550 Hz的超鼻中固有线宽，而长期记录表明，光子线键合激光器的高无源稳定性具有46小时的无模式跳动操作。这项工作将光子线粘结验证为用于高性能在芯片激光器上的可行集成解决方案，为系统级别的升级和瓦特级输出功率打开了路径。
通过光子线粘结启用的薄膜锂硅锂上的高功率和窄线宽激光
薄膜硅锂（TFLN）已成为实现高性能芯片尺度光学系统的有前途的平台，涵盖了从光学通信到微波光子学的一系列应用。此类应用程序依赖于将多个组件集成到单个平台上。然而，尽管其中许多组件已经在TFLN平台上进行了证明，但迄今为止，该平台的主要瓶颈是存在可调，高功率和狭窄的芯片激光器的存在。在这里，我们使用光子线粘结解决了这个问题，将光学放大器与薄膜锂锂反馈电路集成在一起，并证明了扩展的腔二极管激光器，产生了78 MW的高芯片上功率，侧模式抑制较大，大于60 dB，大于43 nm的宽波长可调节性。在短时间内的激光频率稳定性显示了550 Hz的超鼻中固有线宽。长期记录表明，光子线键键激光器具有58小时的无模式操作的高无源稳定性，频率漂移仅为4.4 MHz/h。这项工作将光子线粘结验证为用于高性能在芯片激光器上的可行集成解决方案，为系统级别的升级和瓦特级输出功率打开了路径。
杂交硅和尼贝特锂薄膜中的电气可调节叶子
摘要：交叉是密集波长多路复用（DWDM）应用程序中的关键设备之一。在这项研究中，设计，制造和表征了具有不对称的马赫德干涉仪结构的交叉裂料，并在杂化硅和尼贝特薄膜（SI-LNOI）中进行了表征。可以通过SI光子的成熟加工技术来制造基于Si-Lnoi的交叉研究，并且它可以使用LN的E-O效应来实现电光（E-O）调谐功能。在1530–1620 nm的范围内，交叉裂料达到了55 GHz的通道间距，灭绝比为12-28 dB。由于Si的巨大折射率，基于Si-Lnoi的Si加载带状波导具有紧凑的光学模式区域，这允许一个小的电极间隙提高对手杆的E-O调制效率。对于1 mm的E-O相互作用长度，E-O调制效率为26 pm/v。Interleaver将在DWDM系统，光学开关和过滤器中具有潜在的应用。
硅碳电池：推进绿色未来的技术
锂 - 硅电池是采用硅基阳极，锂离子作为电荷载体的锂离子电池。[1]基于硅的材料通常具有更大的特异性能力，例如原始硅的3600 mAh/g。[2]标准阳极材料石墨限制为完全纤维化状态LIC 6的最大理论能力为372 mAh/g。[3]当插入锂以及在带电状态下的高反应性时，硅的大容量变化（根据晶体密度约为400％）是商业化这种阳极的障碍。[4]商用电池阳极可能具有少量的硅，从而稍微提高了性能。这些金额密切关注的商业秘密，截至2018年，最多限于阳极的10％。[需要引用]锂 - 硅电池还包括细胞构型，其中硅处于化合物中，在低压下，可以通过位移反应储存锂，包括氧化碳酸硅，硅一氧化碳或氮化硅。[5]
