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摘要：交叉是密集波长多路复用（DWDM）应用程序中的关键设备之一。在这项研究中，设计，制造和表征了具有不对称的马赫德干涉仪结构的交叉裂料，并在杂化硅和尼贝特薄膜（SI-LNOI）中进行了表征。可以通过SI光子的成熟加工技术来制造基于Si-Lnoi的交叉研究，并且它可以使用LN的E-O效应来实现电光（E-O）调谐功能。在1530–1620 nm的范围内，交叉裂料达到了55 GHz的通道间距，灭绝比为12-28 dB。由于Si的巨大折射率，基于Si-Lnoi的Si加载带状波导具有紧凑的光学模式区域，这允许一个小的电极间隙提高对手杆的E-O调制效率。对于1 mm的E-O相互作用长度，E-O调制效率为26 pm/v。Interleaver将在DWDM系统，光学开关和过滤器中具有潜在的应用。
杂交硅和尼贝特锂薄膜中的电气可调节叶子
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