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GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失 在碳化硅上集成石墨烯和MOS2 高级材料处理系统中的传输通道 Calpain活性调节剂：抑制剂和激活剂作为潜在药物LeventeEndreDókus，Mo'Ath Yousef＆ZoltánBánócziPharmaceutics 2020， 对自动化车辆的泳道控制，反馈延迟：非线性分析和实验室实验 在介孔Niwo 4 上支持的电催化剂的设计降低了PT含量 多分散性比（PDR）及其对... 的应用 有问题的社交网络使用中的隐式认知 焊接轮廓对绝缘栅极晶体管（IGBTS）的热参数的影响 多核算方法 polycomb蛋白RYBP在小鼠胚胎干细胞的体外心脏分化过程中激活转录因子plagl1 光控制生物杂交微型机器 量子信息的费米子系统 用TiO 2和Zno 抑制Snagcu焊料合金的Sn晶须生长
谷物宽度和重量2（GW2）是一种E3-泛素连接酶编码基因，对谷物物种中谷物的大小和重量负调节。因此，建议禁用GW2基因活性以提高作物生产率。我们在这里表明，大麦GW2.1同源物的CRISPR/CAS介导的诱变会导致细长谷物的发展和蛋白质含量增加。同时，GW2.1功能的损失引起了由于尖峰数量减少和谷物设置低而引起的明显晶粒屈服不足。我们还表明，GW2.1缺乏作物产量和蛋白质含量引起的相反作用在很大程度上与培养条件无关。这些发现表明大麦GW2.1基因对于产量和晶粒性状之间的优化是必需的。总的来说，我们的数据表明，大麦中GW2.1基因活性的丧失与多效性效应相关，对生成器官的发展以及因此谷物产生产生了负面影响。我们的发现有助于更好地理解谷物的发育以及GW2.1控制大麦的定量和定性遗传改善中控制的UTI。
通过铁掺杂的碳化硅石墨烯单层吸附布洛芬：DFT探索药物输送见解
通过执行密度功能理论（DFT）计算来研究非甾体类抗炎药的吸附，提供了抽象的药物输送见解。布洛芬（IBU），由铁掺杂的碳化硅（FSIC）石墨烯单层。在这方面，优化了IBU，SIC和FSIC的单个模型以获得其稳定的几何形状和特征，其中为增强的FSIC石墨烯单层发现了出色的成就，可用于原始的SIC石墨烯单层，以与IBU物质相互作用。随后，通过重新调整Bimolecular模型来获得IBU@SIC和IBU@FSIC复合物，并以-1.44 kcal/kcal/kcal/kcal/kcal/mol和-43.14 kcal/mol/mol/mol，相应地，对IBU的相互作用和SIC和SIC和FSIC的单层相互作用的形成进行了研究。此外，还发现了铁掺杂区域在管理FSIC和IBU对应物之间的相互作用方面的显着作用。o…fe相互作用在IBU@FSIC复合物中的存在得到了分子（QTAIM）分析中原子量子理论的结果肯定。电子分子轨道结果表明，与SIC石墨烯单层相比，FSIC石墨烯单层较软，可以更好地参与与IBU物质的相互作用。比较了态度（DOS）图（DOS）图和能量差距（GAP）距离的距离（GAP）的距离（GAP）的距离（GAP）距离与单一石墨烯单层与复杂状态的边界分子水平的距离相比，FSIC比SIC更容易IBU检测IBU检测。作为最后的说明，在该领域进一步研究后，发现了IBU@FSIC复合物的适用性，可作为拟议的药物输送平台工作。
促进水热碳化技术的研究需求和途径
1莱布尼兹农业工程与生物经济研究所（ATB），Max-eyth-Allee 100，14469 Potsdam，德国2废物管理与循环经济研究所，环境科学学院，TechniSchethecteriTätector，Dresten，Pratzschschschschwitzh的159.17991.07991.07991.07991,, 环境工程与建筑（DICAAR），Cagliari大学，Marengo，Marengo，09123 Cagliari，意大利； gcappai@unica.it 4意大利国家研究委员会 - 环境地质与地球工程（CNR-IGAG），通过Marengo 2，09123 Cagliari，意大利5号Red River Research Station，Louisiana State University University University University University Cermutultural Centornal Center，Bossier shoutjx@gmail.com（J.-W.C.）; cjeong@agcenter.lsu.edu（c.j.） 6苏黎世应用科学大学（Zhaw）的自然资源科学研究所，瑞士CH-8820Wädenswil； beatrice.kulli@zhaw.CH 7，特伦托大学民用，环境和机械工程系，通过Mesiano 77，38123意大利特伦托； filippo.marchelli@unitn.it 8 USDA-ARS沿海平原土壤，水与植物研究中心，美国佛罗伦萨西部卢卡斯街2611号，美国南卡罗来纳州29501，美国； kyoung.ro@usda.gov 9 Departamento defísicaaplicada，Escuela de Ingenierí，avd extremadura大学。 de elvas s/n，06006 Badajoz，西班牙 *通信：hdang@atb-potsdam.de（C.H.D. ）; sroman@unex.es（s.r。）环境工程与建筑（DICAAR），Cagliari大学，Marengo，Marengo，09123 Cagliari，意大利； gcappai@unica.it 4意大利国家研究委员会 - 环境地质与地球工程（CNR-IGAG），通过Marengo 2，09123 Cagliari，意大利5号Red River Research Station，Louisiana State University University University University University Cermutultural Centornal Center，Bossier shoutjx@gmail.com（J.-W.C.）; cjeong@agcenter.lsu.edu（c.j.）6苏黎世应用科学大学（Zhaw）的自然资源科学研究所，瑞士CH-8820Wädenswil； beatrice.kulli@zhaw.CH 7，特伦托大学民用，环境和机械工程系，通过Mesiano 77，38123意大利特伦托； filippo.marchelli@unitn.it 8 USDA-ARS沿海平原土壤，水与植物研究中心，美国佛罗伦萨西部卢卡斯街2611号，美国南卡罗来纳州29501，美国； kyoung.ro@usda.gov 9 Departamento defísicaaplicada，Escuela de Ingenierí，avd extremadura大学。 de elvas s/n，06006 Badajoz，西班牙 *通信：hdang@atb-potsdam.de（C.H.D. ）; sroman@unex.es（s.r。）6苏黎世应用科学大学（Zhaw）的自然资源科学研究所，瑞士CH-8820Wädenswil； beatrice.kulli@zhaw.CH 7，特伦托大学民用，环境和机械工程系，通过Mesiano 77，38123意大利特伦托； filippo.marchelli@unitn.it 8 USDA-ARS沿海平原土壤，水与植物研究中心，美国佛罗伦萨西部卢卡斯街2611号，美国南卡罗来纳州29501，美国； kyoung.ro@usda.gov 9 Departamento defísicaaplicada，Escuela de Ingenierí，avd extremadura大学。de elvas s/n，06006 Badajoz，西班牙 *通信：hdang@atb-potsdam.de（C.H.D.）; sroman@unex.es（s.r。）
NASA GODDARD热技术路线图2024 燃料电池和氢气活动概述 NASA的加法制造 天文学TRN年度计划评论 高度非排效纠缠的双光纤光谱仪 2023高级信息系统技术（AIST）新颖的观察策略（NOS）分组年度评论 标题：分层微观结构作者的硼碳化物复合材料的加固：jingyao dai 1 evan pineda 2 brett bednarcyk 2 jogender AL6061-RAM2开发和使用添加剂进行热火测试 与无损的电化学测试耦合... 开发铝/空气BA3ery作为高容量的主要BA3ery Energy 3D打印TiO2负电极，用于钠离子和... 电动飞机的电池单元格缩放定律 IWS 2025 OSCE for AI CDSS.pdf NTP示范工具和任务概念... 问题复杂性和LLM：在具有挑战性的环境中的H-M团队可靠性 2025 AIAA Scitech Vidis演示R2ek.pdf 独立领空监视的最佳通信拓扑结构和传感器选择 亚马逊河对青蛙生物多样性和人口的影响 ianik plante
技术产品能力：开发RFC储能系统技术，该技术可以为月面和近表面任务提供持续可靠的电力，在这些传输中，光伏/电池或核选项可能是不可行的；对于月球表面应用，将RFC从TRL3提高到至少TRL5。
碳化硅如何帮助最大程度提高可再生能源系统的效率
与 IGBT 相比，SiC 电源开关易受短路影响，短路可能会严重损坏电力电子系统。通常，IGBT 的短路耐受时间约为 10 µs，而 SiC 的短路耐受时间约为 2 µs。因此，在使用 SiC 电源开关进行设计时，务必考虑添加去饱和或过流保护等保护元件。某些栅极驱动器（例如 UCC21710 栅极驱动器）具有内置短路保护功能，可检测和响应短路事件。要了解有关 SiC FET 短路保护的更多信息，请参阅应用说明“了解 SiC MOSFET 的短路保护”。
RSC Advances 具有高温中子反射仪的硅碳化物碳化物的外延石墨烯生长：一项操作研究
许多研究报告说，使用无机材料作为PSFLLER来改善分离性能。25 - 27然而，由于无机性问题导致表面缺陷并影响分离性能，因此采用无机ller的挑战。28多孔有机材料有可能用作膜ller，并可以解决兼容性问题。潜在的候选者之一是基础有机体。硫官能团可以通过极性间隔在膜中促进H 2和CO 2溶解度。29,30此外，芳香结构中的硫可以显着增加CO 2通过酸 - 基础相互作用。31基于sul的有机有机物是聚苯基sulde（pps）。它具有良好的机械性能，对高温的出色抵抗力，在各种环境条件下的惊人稳定性以及对由于其结构排列而具有强烈碱性和酸性的环境的韧性。32 - 34
Davinci风研究 Recalde等人植被对WTSA Final.pdf 的影响 未来未来航空的人为因素 建议提高空间可信自主权 ... 的常见栖息地深空勘探工具 NASA GODDARD热技术路线图2024 燃料电池和氢气活动概述 NASA的加法制造 天文学TRN年度计划评论 高度非排效纠缠的双光纤光谱仪 2023高级信息系统技术（AIST）新颖的观察策略（NOS）分组年度评论 标题：分层微观结构作者的硼碳化物复合材料的加固：jingyao dai 1 evan pineda 2 brett bednarcyk 2 jogender AL6061-RAM2开发和使用添加剂进行热火测试 与无损的电化学测试耦合... 开发铝/空气BA3ery作为高容量的主要BA3ery Energy 3D打印TiO2负电极，用于钠离子和... 电动飞机的电池单元格缩放定律 IWS 2025 OSCE for AI CDSS.pdf NTP示范工具和任务概念... 问题复杂性和LLM：在具有挑战性的环境中的H-M团队可靠性 2025 AIAA Scitech Vidis演示R2ek.pdf 独立领空监视的最佳通信拓扑结构和传感器选择 亚马逊河对青蛙生物多样性和人口的影响 ianik plante
•数据库组成的96 x 97均等水平网格和90个垂直级别•数据库存储一个金星日数据以说明昼夜行为•考虑多个太阳能和云反照率方案
钼 - 曲苯 - 碳固醇纳米颗粒：它们可以是伪造的碳化物吗？
1京都大学理学研究生院，京都 - oiwakecho，京都 - 库，京都606-8502，日本。2日本京都北北京谷大学的Hakubi高级研究中心，日本京都-KU，日本京都606-8502。3日本福库卡（Nishi-ku）九州大学744号九州大学的超级镜研究中心819-0395，日本。4九州大学应用量子物理与核工程系，诺西斯库，744，福库卡819-0395，日本。5日本同步辐射研究所（Jasri），春季8，1-1-1 Kouto，Sayo-Cho，Sayo-gun，Sayo-Gun，Hyogo 679-5198，日本。6大阪大都会大学理学研究生院，1-1 Gakuen-Cho，Naka-Ku，Sakai，Osaka，Osaka，日本599-8531。 7 Supra-Materials的研究计划，Shinshu University，4-17-1 Wakasato，Nagano 380-8553，日本。6大阪大都会大学理学研究生院，1-1 Gakuen-Cho，Naka-Ku，Sakai，Osaka，Osaka，日本599-8531。7 Supra-Materials的研究计划，Shinshu University，4-17-1 Wakasato，Nagano 380-8553，日本。
在碳化硅上集成石墨烯和MOS2
péterTelek1摘要：为了满足社会和经济环境的不断增长的要求，必须开发物质处理过程中使用的设备。几十年前，这些机器完全适用于某些制造程序，在高级版本中找不到，它们的角色由其他较早使用的计算机控制设备发挥作用。本文概述了有关特殊的材料处理机 - 传输渠道的概述，并介绍了其操作特征和应用可能性，以涵盖其在高级处理系统中的可用性。在本文中提出的陈述是研究这些机器的特殊参数和应用优势的研究结果，可以显示它们的开发方向。
超符合硅碳化物涂料通过前体脉冲化学蒸气沉积
在这项工作中，碳化硅（SIC）涂层通过脉冲化学蒸气沉积（CVD）成功生长。未在连续流中提供四氯化硅（SICL 4）和乙烯（C 2 H 4），而是以H 2作为载体和清除气体交替脉冲到生长室中。典型的脉冲CVD循环为SICL 4脉冲 - H 2净化 - C 2 H 4脉冲 - H 2吹扫。这导致了超符号SIC涂层的生长，在相似的过程条件下，使用恒定的流动CVD工艺无法获得。我们通过脉冲CVD提出了一个两步的SIC生长框架。在SICL 4脉冲期间，沉积了一层Si。在以下C 2 H 4脉冲中，该Si层被渗入，并形成SIC。据信SICL 4脉冲后，高氯表面覆盖范围可以通过生长抑制作用来实现超级生长。