b'composites,[14 \ xe2 \ x80 \ x9316]聚合物粘合剂,[17 \ xe2 \ x80 \ x9319]和添加剂[19,20],以改善Li-Cells中的Si-Electrode性能。涉及硅阳极中的金属碳化物是尚未探讨增加容量和循环寿命的另一种策略。首先,据报道,具有特定微观结构的复合硅/wolfram碳化物@石墨烯可维持较高的初始库仑效率和长期循环寿命,从而减轻了结构变化。[21]相反,金属碳化物(mo 2 C,Cr 2 C 3等)以Si Cr 3 C 2的形式 @几层石墨烯和Si Mo 2 C @几层石墨烯电极的据报道,具有良好的电化学性能。[22]此外,碳化物通常还可以提供出色的导电骨架,以提高Si的电子电导率,这要归功于纳米导电通道的存在,从而降低了电子转移电阻。[23,24]'
碳化硅因其色心缺陷的长自旋相干性和单光子发射特性而成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射有效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺,以保留发射器特性并产生三角形设备。然而,人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成,这可以作为开发碳化硅中高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外,我们提出了三个领域的应用:TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜,可用于高效收集和传播光发射模式选择。
碳通过晶格逐渐溶解,最初形成亚表面,最终形成块状碳化物相。[12,29] 对于炔烃半加氢反应,PdC x 相通过抑制烷烃的过度加氢,提高了烯烃的选择性。[12,13,18,22,29] 这种对选择性的影响是多方面的。首先,最上层阻止氢气在亚表面聚集。[13] 此外,现有溶解氢通过碳化物相到表面的流动性降低。[22,12] 最后,碳化物相增加了从进料中吸附更多碳氢化合物的能垒。[29] 在低转化率下,炔烃的表面毒化作用也是高选择性的原因。[18] 选择性提高的一些实例包括乙炔、炔丙和 1-戊炔的半加氢。 [12,22,28,29]
美国化学和炼油部门是主要的经济驱动力,雇主和出口商品。美国化学品的生产和石油精炼对GDP贡献约8%,对能源安全至关重要。2这些部门生产用于运输,动力和热量的主要燃料;向广泛使用的下游产品提供必需的投入,包括塑料,肥料和药品;代表美国主要的出口商品。在2022年,美国既是世界顶级的石油生产商,又是炼油厂,负责全球约20%的精制产品。i美国负责约11%的全球化学物质生产。ii的上下文,化学物质是美国最大的出口部门,占所有出口的9%,到2030年,增长的潜力为12%。III,IV,V持续访问安全,负担得起的和可靠的油,化学品和衍生产品对美国公众,清洁能源过渡以及美国国家安全至关重要。
抽象心力衰竭(HF)和慢性肾脏疾病(CKD)是两种病理状况,普通人群患病率很高。当他们在同一患者中共存时,观察到他们之间的严格相互作用,以便受影响的患者需要临床多学科和个性化管理。HF和CKD的诊断依赖于患者的体征和症状,但是需要几种其他工具,例如基于血液的生物标志物和成像技术,以阐明和区分这些疾病的主要特征。由于HF中新推荐的药物而导致的生存率提高了,越来越挑战医生管理多种疾病的患者,尤其是在CKD的情况下。但是,这些药物在HF和CKD患者中的安全给药通常具有挑战性。知道每种药物可以使用哪种肌酐或肾脏清除值是基本的。在这篇评论中,我们试图对这个相当复杂的主题进行深入了解,以便获得更清晰的想法,并更加精确地参考HF和CKD的诊断评估和治疗管理。
•内部电阻随循环数量增加线性增加•SEI耐药性随循环的数量而稳定增加,生命末期急剧增加•r CT与阳极和阴极的循环数没有明显的关系。
执行总结本报告介绍了一个合作研究项目的结果,该项目涉及能源公司,基金会行业以及是基金会行业材料主要用户的代表。该项目的主要目的是研究需求主导的创新如何通过创造对低碳技术的市场需求来支持英国的工业脱碳。主要的重点是铁,钢,水泥和玻璃。基金会行业对英国经济至关重要,支持地方经济和生产基础设施和下游行业的材料。但是,他们的生产过程占英国年度二氧化碳(CO 2)排放量的近15%(HM政府,2021A)。这些部门的脱碳对于避免碳泄漏和进口依赖至关重要,因为英国经济在2050年到达其气候中立性目标,到2050年(Beis,2019年)。这不是一件容易的事,因为高过程排放,实验技术的风险概况和高资本的生产资产成本。需求主导的创新是创新,它在市场上的差距激励了消费者或买家想要访问并为此愿意支付的产品或服务的服务。脱碳基金会所需的许多技术尚未以商业规模提供,处于试点过程的早期阶段,或者尚未发明。在这方面,英国落后于其主要竞争对手。对下游公司对低碳产品和材料的需求的确定性将降低新产品和服务的研发(R&D)投资的风险,从而改善了新产品和生产过程的经济可行性或创新和商业化。目前,低碳材料和产品的市场需求(或市场吸引力)不足以激励对新的低碳创新进行大量投资,或扩大对现有低碳技术的需求。但是,由于净零目标涵盖了超过90%的全球国内生产总值(GDP),因此,清洁技术和产品的市场预计将在未来几十年中迅速增长,从而创造新的就业机会并带来经济增长。在这种情况下,公司适应新的竞争可持续性范式的能力将决定其生存和在全球市场中成长的能力。大型经济体(例如美国和欧盟)都承认,巨大的经济利益和竞争优势是,早期对低碳创新和采用的投资可以实现,并正在投资在此过渡中支持私营部门。这些承诺反映在《美国通货膨胀降低法》(IRA)(EPA,2023年)和欧盟的绿色交易工业计划(GDIP)(欧洲委员会,2023A)和零零工业法案(欧洲委员会,2023B)中,旨在支持这些辖区的清洁技术制造规模。缺乏支持英国工业脱碳化的明确政策框架,这对未来市场对低碳材料和产品的需求的速度将如何增长,这会导致不确定性。这种不确定性增加了创新投资,实验性低碳技术和新的低碳技术的投资风险,这些技术可用,但需要高资本投资或产生更高的运营成本。尽管2021净零策略,工业脱碳战略和所谓的2023绿日策略套餐设定了部门和整个经济范围的排放量减少目标,并指出可以部署哪种类型的技术来实现这些目标 - 他们未能解决技术采用过程如何实践中的重要问题。对基金会产生的低碳材料的需求是在各种脱碳策略文件中假定的目标和技术采用率的关键。通过响应消费者和公司的需求,进一步降低了价值链的需求(例如汽车制造商,房地产开发商及其组件供应商)对具有碳含量低的材料的材料,Foundation Industries构成了对可持续开采和运输的原材料的需求,绿色氢以及诸如绿色氢以及可再生电力的清洁能源以及诸如电气库库和碳库和存储解决方案等技术的需求。我们的研究确定了在英国基金会行业价值链中实现净零排放减少的四个关键脱碳途径:(1)电气化,(2)循环经济解决方案,(3)新技术和
参考:Sun S.R.,Wang H.X.,Bogaerts Annemie.-化学降低化学co₂化学动力学:应用于滑动弧等离子体等离子体的等离子体来源科学技术 /物理研究所[Londen] - ISSN 0963-0252-29-29:29:2(2020),0220),0250) https://doi.org/10.1088/1361-6595/ab540f引用此参考:https://hdl.handle.net/10067/10067/1671350151166216621665141
马克西米利安 W. Feil1,2,Maximilian W. Feil1,2,Maximilian W. Feil1,2,Maximilian W. Feil1,2,Maximilian W. Feil1,2,A ∗,Katja Waschneck1,B,B,B,Hans Reisinger1,C,C. ER1,C,Paul Salmen1,D,Gerald Rescher3,E,Thomas Aichinger3,F,∗,Katja Waschneck1,B,Hans Reisinger1,C,Paul Salmen1,D,Gerald Rescher3 3,F,∗,Katja Waschneck1,B,Hans Reisinger1,C,Paul Salmen1,D,Gerald Rescher3,E,Thomas Aichinger3,F,F,∗,Ka tja Waschneck1,B,B,Hans Reisinger1,C,C,C,D,D,Gerald,Gerald,Gerald,aiching b.1 Salmen1,D,Gerald Rescher3,E,Thomas Aichinger3,F,∗,Katja Waschneck1,B,Hans Reisinger1,C,Paul Salmen1,D,Gerald Rescher3,E,E,E,Thomas Aichinger3,F,F,F,Thomas aichinger3,F,F,f,katja reisinger,salmen,salmen,salmen,thom thom thom 3, A Waschneck1,B,Hans Reisinger1,C,Paul Salmen1,D,Gerald Rescher3,E,Thomas Aichinger3,F,
摘要 与硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 具有更高的工作温度、开关速度和开关频率的特点,被认为是未来电驱动的下一个进化步骤。SiC MOSFET 在电动汽车领域的应用带来了许多好处,例如更高的效率、更高的功率密度和简化的冷却系统,并且可以看作是大功率快速电池充电的推动者。本文回顾了 SiC MOSFET 在不同电动汽车 (EV) 应用场景中的优势,包括牵引逆变器、车载转换器和非车载充电应用。然而,用 SiC MOSFET 取代 Si-IGBT 带来了一些新的技术挑战,例如更强的电磁干扰 (EMI)、可靠性问题、由于高瞬态电压导致的潜在电机绝缘故障以及冷却困难。与成熟的硅基半导体技术相比,这些挑战迄今为止阻碍了 SiC MOSFET 在汽车应用中的广泛采用。为了充分利用 SiC MOSFET 在汽车应用中的优势并提高其可靠性,本文探讨了 SiC MOSFET 模块封装和驱动器设计的未来技术发展,以及具有更高开关频率的新型电机驱动策略和优化的高频机器设计。