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摘要 与硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 具有更高的工作温度、开关速度和开关频率的特点，被认为是未来电驱动的下一个进化步骤。SiC MOSFET 在电动汽车领域的应用带来了许多好处，例如更高的效率、更高的功率密度和简化的冷却系统，并且可以看作是大功率快速电池充电的推动者。本文回顾了 SiC MOSFET 在不同电动汽车 (EV) 应用场景中的优势，包括牵引逆变器、车载转换器和非车载充电应用。然而，用 SiC MOSFET 取代 Si-IGBT 带来了一些新的技术挑战，例如更强的电磁干扰 (EMI)、可靠性问题、由于高瞬态电压导致的潜在电机绝缘故障以及冷却困难。与成熟的硅基半导体技术相比，这些挑战迄今为止阻碍了 SiC MOSFET 在汽车应用中的广泛采用。为了充分利用 SiC MOSFET 在汽车应用中的优势并提高其可靠性，本文探讨了 SiC MOSFET 模块封装和驱动器设计的未来技术发展，以及具有更高开关频率的新型电机驱动策略和优化的高频机器设计。
电动汽车中碳化硅 MOSFET 的回顾
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