机构名称：
¥ 2.0
• [1] JH Stathis 和 S. Zafar，“MOS 器件中的负偏压温度不稳定性：综述”，《微电子可靠性》第 46 卷（2006 年），第 270-286 页。 • [2] DK Schroder，“负偏压温度不稳定性：我们了解什么？”《微电子可靠性》第 44 卷（2007 年），第 841-852 页。
电动汽车传动系统的 SiC MOSFET 可靠性
主要关键词
相关文件推荐
