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太阳能中的下一级功率密度和硅碳化物MOSFET
致谢：这项工作由奥地利联邦气候，环境，能源，流动性，创新和技术以及奥地利联邦数字和经济事务部的资助，并由奥地利WirtschaftService（AWS）和奥地利研究促进机构（FFG）实施，在欧洲共同利益的框架中（iPcecei）（ipcei）框架（ipcei）（ipcei）的框架。IPCEI关于微电子的IPCEI还由来自德国，法国，意大利和英国的公共当局资助。
致密碳化硼基陶瓷的强韧化机理研究进展
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中，发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ，复合陶瓷的硬度降低，断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外，两相间位错的产生， 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因，其在陶瓷断 裂前吸收能量，造成局部强化 [37–38] 。研究发现， 添加 20 mol% TiB 2 时，复合陶瓷的相对密度为 97.91% ，维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ，断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比，在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中，研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染，获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时，烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应，因此，原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度，同时，液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面， 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能，并加速了沿晶界
使用植入大鼠运动皮层植入的无定形碳化物微电极阵列的局部田间电势的慢性稳定性
摘要：可植入的微电极阵列（MEA）可以记录皮质神经元的电活动，从而允许脑机界面的发展。然而，MES显示在慢性条件下的记录功能降低，促使新型MEA的发展可以改善长期性能。传统的平面，基于硅的装置和超薄的无定形碳化硅（A-SIC）测量植入雌性Sprague-Dawley大鼠的运动皮层中，并在植入后进行每周的麻醉记录。在两种设备类型的植入周期中，比较了1至500 Hz记录的光谱密度和频道。最初，A-SIC设备和标准测量值的带有可比性。然而，在植入后整个16周内，标准测量值显示出体力和功率频谱密度均持续下降，而A-SIC的测量表现出更加稳定的性能。从植入后第6周到研究结束时，标准和A-SIC MEA之间的带能量和光谱密度之间的差异在统计学上是显着的。这些结果支持使用超薄的A-SIC测量来发展慢性，可靠的脑机界面。
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
由于其色心缺陷具有长自旋相干性和单光子发射特性，碳化硅成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射高效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射极特性并产生三角形器件。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为在碳化硅中开发高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，它们可用于高效收集和传播光发射模式选择。
使用langmuir等温模型和铁碳化物对持久性的影响的CO 2腐蚀抑制剂持久性
一种新的实验设置成功模拟了连续处理中的中断条件，并通过连续稀释确保最小残留腐蚀抑制剂。BDA-C14模型化合物抑制剂在所有抑制剂残留物从整体中除去所有抑制剂时都没有持久性。由于接触时间较长或预腐蚀影响抑制剂解吸行为，因此在表面上的铁层形成增加。这表明碳化铁层通过减少抑制剂解吸动力学来影响抑制剂的持久性。Langmuir等温模型被证明是对抑制剂的吸附和解吸建模的有用技术。建模结果表明，持续的治疗抑制作用是根据吸附/解吸机制强烈取决于大体中CI浓度的。
Wolfspeed计划德国的新硅碳化物设备fab
市场新闻6季度季度智能手机发货率达到18.3％，同比达到30030万，在第4季度/2022 Q4/2022 Microelectronics News 8 Macom以3850万欧元的价格收购Ommic，Skyworks的季度收入•Android相关库存中的季度季度的季度销量下降到Qorvo的第三季度，Quret intern inter-Meating tew teel triff tew where defter-Quorvo的季度越来越多，Qorvo的季度越来越多。 electronics News 14 Wolfspeed chooses Germany for site of largest SiC device fab, with investment from ZF • onsemi and VW collaborate on SiC for EVs • Microchip investing $880m to expand SiC and silicon capacity • Gallium Semi opens Philippines manufacturing facility • European project PowerizeD kicked off, targeting intelligent power electronics Materials and processing equipment News 30 Veeco buys Epiluvac • Veeco grows 2022年的收入为11％，尽管与智能手机相关的5G RF弱点驱动的第四季度下降了10.5％，但AXT的收入在第四季度缩小，INP受到中国冷却数据中心市场和5G电信的INP的打击，•AIXTRON•AIXTRON•AIXTRON在G10-ASP MOCVD System News News News News News leds Lavels with Mic with news patters patters pattry sic pattry pattry pattry patrround y Mic wardlipt• Ultra-COCTACT显示器光电新闻44 Photonis获取Xenics•Trumpf投资于INP PIC的量子技术启动Quside•Bluglass启动首先激光；确保首次购买订单•Nuburu和Tailwind最终确定业务组合光学通信新闻52 Lumentum的季度收入同比增长13.3％•IMEC合作将SIN WaveGuide Technology与Active Silicon Photonics Platform
基于碳化聚酰亚胺薄膜的三维微结构频率选择表面用于太赫兹应用
频率选择表面 (FSS) 由周期性排列的一维或二维金属结构组成，由于其频率谐振特性而备受关注。FSS 可以根据其尺寸、形状、厚度和其他参数在特定频率范围内选择性地反射 (带阻) 或透射 (带通) 入射电磁波，这是 FSS 的识别特征。[1] 金属和介电材料结构被广泛用于设计太赫兹 FSS 或滤波器，因为它们具有高机械强度，有助于产生功能化设计。金属 FSS 可以通过反射或吸收电磁干扰来屏蔽，但是，制造所需结构的成本很高，并且正在被碳基材料取代，以获得高频电磁特性，具有合适的成本、重量轻、无腐蚀等特点。[2] 通常，碳基材料以 sp、sp 2 和 sp 3 键合，形成相互连接的碳-碳键的长链，从而产生不同的物理和电性能。 [3] 因此，这类材料可归类为半金属或非电介质材料（如石墨烯、石墨、碳纳米管、碳纳米纤维）[4,5]，因此通过在磁场和电场中应用飞秒激光脉冲产生 THz 脉冲，其纳米复合材料可表现出 THz 光跃迁、光电特性和介电特性。[6–11] 由于存在非局域 π 键电子，这些碳基材料表现出优异的 EMI 屏蔽性能。自由移动的电子与电磁波相互作用，导致反射，在共振频率下具有最大回波损耗值。[12] 过多的电磁能量会损坏周围的电路并引起不必要的噪声脉冲。Liang 等人。报道了竹状短碳纤维@Fe3O4@酚醛树脂和蜂窝状短碳纤维@Fe3O4@FeO复合材料作为高性能电磁波吸收材料，在4-18 GHz范围内成功实现了反射损耗-10 dB。[13]然而，在文献中对碳基材料在THz范围内的表征仍然没有很好的解释，关于碳基材料FSS特性的报道很少。最近，一种利用3D打印制造的碳基FSS吸收器
Wolfspeed 和 ZF 宣布合作开发未来碳化硅半导体器件
北卡罗来纳州达勒姆和德国恩斯多夫——2023 年 2 月 1 日——碳化硅技术的全球领导者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 和推动下一代移动出行的全球技术公司 ZF 今天宣布建立战略合作伙伴关系，其中包括建立联合创新实验室，以推动用于移动出行、工业和能源应用的碳化硅系统和设备的进步。此次合作还包括 ZF 的一项重大投资，以支持在德国恩斯多夫建设全球最先进、最大的 200 毫米碳化硅设备工厂的计划。联合创新实验室和 Wolfspeed 设备工厂均作为欧洲共同利益重要项目 (IPCEI) 微电子和通信技术框架的一部分进行规划，并取决于欧盟委员会的国家援助批准。“这些举措是朝着成功的工业转型迈出的重要一步。 “它们增强了欧洲的供应弹性，同时支持了欧洲绿色协议和欧洲数字十年的战略目标，”ZF 首席执行官 Holger Klein 博士说。 Wolfspeed 和 ZF 合作建立碳化硅研发中心 该战略合作伙伴关系包括在德国设立一个联合研究机构，该机构将专注于现实世界的电动汽车和可再生能源系统级挑战。 合作的目标是为碳化硅系统、产品和应用开发突破性创新，涵盖从芯片到完整价值链的整个价值链
碳化物碳化物电源设备的采用加速...
Markets News 6 Mini-LEDs to challenge OLEDs in high-end display market • GaN device market grows at 12.13% CAGR to $7bn in 2022 Microelectronics News 8 CML buys Microwave Technology • Micross buys KCB Solutions • NEC achieves record output power in 150GHz band using mass- producible GaAs technology Wide-bandgap electronics News 11 Wolfspeed to supply SiC devices for梅赛德斯 - 奔驰EV•CEA和雷诺开发基于WBG的双向板载充电器•Infineon符合与Resonac的SIC材料材料多年供应与合作协议•Finwave加入了美国半导体创新联盟•Navitas•Navitas在塞里卡尼（IC JV）的材料和加工设备中剩余的股份•Meterogation 28 k-Space启动•X. XR XR X.XRFFIR•xrfffir• Epi appoints Neil Gerrard as director of epitaxy LED News 34 Nichia and Infineon launch first fully integrated micro-LED light engine for HD adaptive driving beams • MICLEDI demos red AlInGaP micro-LEDs at CES Optoelectronics News 48 NIST and AIM Photonics collaborating to boost photonic chip designs to 110GHz •Ganvix and BluGlass to co-develop green GaN VCSELS•荷兰联盟投资350万欧元的Lionix•OpenLight任命CEO Optical Communications News 48生产诗人的光学发动机，以100G，200G和400G PHOTOVOLTAICS NEWS 52 FRAUNHOFER ISE ISE ISE ADVANCE ADVANCTION PEROVSKITE PEROVSKITE -SILICON TANDEM Cell and Module to Industrial Maturility Maturility Maturility
薄膜碳化硅光子学中的双发射多模腔量子电动力学
色心是晶体中的点缺陷，可为分布式量子信息处理应用提供通向长寿命自旋态的光学接口。色心量子技术面临的一个突出挑战是将光学相干发射器集成到可扩展的薄膜光子学中，这是在商业代工工艺内进行色心大规模光子学集成的先决条件。本文，我们报告了将近变换限制的硅空位 (V Si ) 缺陷集成到在 CMOS 兼容的 4 H -绝缘体上碳化硅平台中制造的微盘谐振器中。我们展示了高达 0.8 的单发射器协同性以及来自耦合到同一腔模的一对色心的光学超辐射。我们研究了多模干涉对该多发射器腔量子电动力学系统的光子散射动力学的影响。这些结果对于碳化硅量子网络的发展至关重要，并通过将光学相干自旋缺陷与晶圆可扩展的、最先进的光子学相结合，弥合了经典量子光子学之间的差距。