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World File Search System磁传感器
用于脑源定位的头皮电磁传感器阵列的优化设计
图 4 全头部 OPM 和混合 OPM/EEG 设计。（a – d）OPM 和混合 OPM/EEG 系统的误差指标与所考虑的头皮磁力仪数量的关系。两个系统的 r 95 的中值和最大值均与市售阵列（不同颜色）相对应的指标一起显示，这些指标是恒定的并且与 OPM 的数量无关。（e – g）仅 OPM（e）、混合 OPM/EEG（f）和完整 OPM ABC 160（g）阵列的等效不确定半径的空间分布，前两个阵列采用 100 个头皮磁力仪。（h – i）所有源的等效不确定半径的归一化直方图，采用线性（h）和半对数（i）尺度。（j）三个系统的 r 95 平均值与源深度的关系（每 5 毫米分箱一次）。 （k – l）最佳混合 OPM/EEG 阵列传感器位置（k）和布局（l）。EEG 电极和 OPM 分别用蓝点和红点表示
用于脑源定位的头皮电磁传感器阵列的优化设计
图 4 全头部 OPM 和混合 OPM/EEG 设计。（a – d）OPM 和混合 OPM/EEG 系统的误差指标与所考虑的头皮磁力仪数量的关系。两个系统的 r 95 的中值和最大值均与市售阵列（不同颜色）相对应的指标一起显示，这些指标是恒定的并且与 OPM 的数量无关。（e – g）仅 OPM（e）、混合 OPM/EEG（f）和完整 OPM ABC 160（g）阵列的等效不确定半径的空间分布，前两个阵列采用 100 个头皮磁力仪。（h – i）所有源的等效不确定半径的归一化直方图，采用线性（h）和半对数（i）尺度。（j）三个系统的 r 95 平均值与源深度的关系（每 5 毫米分箱一次）。 （k – l）最佳混合 OPM/EEG 阵列传感器位置（k）和布局（l）。EEG 电极和 OPM 分别用蓝点和红点表示
XENSIV™ – 3D 磁传感器系列 - 英飞凌科技
请注意！本文件仅供参考，本文提供的任何信息在任何情况下均不应视为对我们产品的任何功能、条件和/或质量或任何特定用途适用性的保证、担保或描述。关于我们产品的技术规格，请您参考我们提供的相关产品数据表。我们的客户及其技术部门需要评估我们的产品是否适合预期用途。
XENSIV™ – 3D 磁传感器系列
请注意！本文件仅供参考，本文提供的任何信息在任何情况下均不应视为对我们产品的任何功能、条件和/或质量或任何特定用途适用性的保证、担保或描述。关于我们产品的技术规格，请您参考我们提供的相关产品数据表。我们的客户及其技术部门需要评估我们的产品是否适合预期用途。
用于植入式磁共振成像的微型磁传感器
1972 年。 [1] Cohen 和 Gilver 将肌磁图信号定义为磁场矢量一个分量随时间变化的记录，其中测量点的磁场由骨骼肌产生的电流引起。MMG 方法与其电对应方法，即肌电图 (EMG) 技术之间的对应关系。 [2] 两者都直接源于麦克斯韦-安培定律，如图 1a 所示。然而，EMG 信号记录的简易性以及 MMG 与 EMG 信号的时间和频谱特性的相似性，促使学术界和临床界几乎只使用 EMG 方法。因此，MMG 方法的进展相当缓慢。生物磁信号通常很弱。它们很容易受到环境磁噪声的污染。因此，大多数生物磁传感研究都在磁屏蔽室中进行。在过去的四十年里，生物磁信号的宏观和非侵入性检测的保真度、时间和空间分辨率取得了显着进步。例子包括心磁图 (MCG) 和脑磁图 (MEG) 方法，与 MMG 研究相比，自 1970 年代以来出版物数量存在显著差异。我们将调查这种显著差异的原因，并探讨测量骨骼肌磁场的技术限制是否导致了如此明显的差异。MMG 方法发展的两个关键驱动因素：1) 在皮肤上非侵入性记录时 EMG 信号的空间分辨率较差，最先进的 EMG 测量甚至使用针记录探头，这可以准确评估肌肉活动，但会产生疼痛并且仅限于微小区域，空间采样点较差；2) 由于金属-组织界面，可植入 EMG 传感器的生物相容性较差。MMG 传感器有可能同时解决这两个缺点，因为：1) 磁场的大小随着原点和传感器之间的距离而显着减小，从而提高 MMG 的空间分辨率； 2）MMG 传感器不需要电接触即可记录，因此如果用生物相容性材料或聚合物完全封装，它们可以提高长期生物相容性。MMG 信号可以成为医疗诊断、康复、健康监测和机器人控制的重要指标（图 1b）。[3] 最近的技术进步为远程和连续记录和诊断铺平了道路
摘要 - 磁传感器报告 - 2017
IHS Markit (Nasdaq: INFO) 是全球领先的关键信息、分析和解决方案提供商，服务于推动全球经济发展的主要行业和市场。该公司为商业、金融和政府客户提供下一代信息、分析和解决方案，提高他们的运营效率，并提供深刻见解，帮助他们做出明智、自信的决策。IHS Markit 拥有超过 50,000 个关键商业和政府客户，其中包括 85% 的财富全球 500 强企业和世界领先的金融机构。IHS Markit 总部位于伦敦，致力于实现可持续的盈利增长。
磁传感器和测量 - Senis AG
磁传感器和测量 Dragana Popovic Renella、Sasa Spasic 和 Radivoje S Popovic，SENIS AG，瑞士，www.senis.ch，info@senis.ch 摘要 — 预计到 2022 年，全球磁传感器市场规模将达到约 40 亿美元。汽车行业的技术进步和对车辆安全的认识不断提高，以及对导航智能手机和其他可穿戴设备的需求不断增长，推动了这一市场的发展。本文概述了磁传感器技术，并比较了传感器在工业应用中的关键特性。展示了使用磁传感器的测量应用。最后，本文介绍了未来趋势并对磁传感器进行了展望。关键词 — 磁传感器、磁场测量
微型原子磁传感器在军事系统中的应用
新一代微型超高灵敏度原子磁强计正在开发中，并被集成到军事系统中。这些新系统汇集了微机电系统、原子物理学、光学、电磁学和数据采集方法方面的进步，在总磁场灵敏度方面实现了创纪录级别的性能，同时实现了尺寸、重量和功率的大幅降低。非常小规模的传感器（大约几立方厘米）已经在标量和矢量模式下进行了演示，并集成到各种国防应用的设计中。我们的工作重点是将这些传感器实际集成到操作平台中。在工作环境中使用这些传感器有许多意义，例如优化信噪比、检测概率和误报缓解。开发在地球磁场中有效运行的工作传感器模块和平台以用于各种军事目标检测、定位和特性描述任务的挑战是巨大的。我们研究了平台和环境噪声的缓解以及传感器阵列和相关数据采集系统的开发。除了建模和模拟之外，我们还通过初步实验数据研究了传统低频磁力测量的变化和增强。特别是，我们讨论了传感器控制、目标地理定位和数据处理的独特部署概念。重点放在针对平台子集（小型无人地面、无人水下和无人驾驶飞行器）和感兴趣的目标定制的具有特定带宽灵敏度的原型上。应用包括用于海底和地下威胁检测的配置 - 特别是与固定或移动爆炸物和紧凑金属目标（如弹药、简易威胁装置、潜艇和其他危险物体）相关的配置。我们展示了微型磁传感器的当前和未来功能的潜力，包括非常高的磁场灵敏度、带宽选择性、源场控制和阵列处理。
1 轴和 2 轴磁传感器 - Farnell
OFFSET- (A) 1 OUT+ (A) 2 VBRIDGE (A) 3 OUT- (A) 4 OUT- (B) 5 VBRIDGE (B) 6 GND (A) 7 S/R+ (B) 8 5 S1 9.82 Tw�[(423.6.6.4 -1S)353B28.26R388 re�213[(423.6.6.4+M213.865 423.94-423.678 668Tj�Tj�01A213.13[(423.6.6.277194 l�4 43461.475 0 823 w 3465.4313- (13.174 -8 r313- 4213.174 7�0.475 0436.4b7 0.353 98. 0.6.6.465 70.384 -6947.696 1411.840558848 -4.60423 w0 01007 -6.73213.10 01007 -3.135.84 l�44�9.28.2.353�9.20.318 -3226 0 038e�B57 437.4918 479.5 A013 Tm�0.0001 0 98.2 S/R+ 0 9C�21 0.49480.86.4774914 429.2 419.6¥2.24 1845 1.694 43461.434 75323 w 3465.431e�f�113.174 -8 r31e�68613.174 7�0.434 7480.4b7 0.353 98.84 -1.4310.6.953B28.2684 - 1411.8484 8428.16.35 3 w0 492.431 -0(13.194 0.6.41 -0(13.f2 m�57�0 Tw�(�9.28.2.353�9.20.318 -3226 T�8030(157 437.4918 4 偏移+)Tj9.5 B2.24HMC1021S)Tj�/F6 1 �[(.656179 0 2 -3914 429.22 -1.4 TD�-0.16)-5f�98.0001 T�1.5825 �[(OUT- �)-5f�98.�0 T1.5825 �[(OUT-88 -1.4 TD�0.14)-5f�98.�0 �1.5825 �[(OUT-]TJ�-0.2217 13)-5f�97.0001 TB25 �[(OUT-]]TJ�-0.0288 -1.4 12)-5f�98.0TJ�1.5B25 �[(OUT- �)-5f�98.0001 T-1.5B25 �[(OUT-2 -1.4 TD�-0.10)-5f�98.0001 T�1.5B25 �[(OUT- 9)-11TJ�S)0(0 T1.5B25 �[(O/F3OUT+S)Tj�/97e�440�9.47493.6.94344712 81.2309 490TD�-0.000101 Tw�[(OFFSUT- (+)-643.9(1)]TJ�-1.806 -1.4 TD�0 Tc�[(VBR48.4)-643.9(6)]TJ�2.274 TD�01.4 TD7(VBRIDG (A))-643.8(7)]TJ�2)]TJ�2.2784BRIDG •2A))-644(1)�0 Tc0002 TwT*�[(OUT-5283ND)-644(3)]TJ�-0.2217 - OFFSE2 Tw�[(VBRIDG ©A))-644(1)]1 Tc�-02.2787(OFFSET- �A))-644(1)]TJ�.0002 Tw�[(S/R+ &.42.430 0 8.24.807�213.5-469. 0 058.430 0 8.20.423.13.5-469. 45 12.430 0 8.20.423.13.5-469.f&.42.4292010724.807�213.5-469. 0 058.4292010720.423.13.5-469. 45 12.4292010720.423.13.5-469.f&.42.420 023.4.807�213.5-469. 0 058.420 023.0.423.13.5-469. 45 12.420 023.0.423.13.5-469.f&.42.42 6611.24.807�213.5-469. 0 058.42 6611.20.423.13.5-469. 45 12.42 6611.20.423.13.5-469.f&.42.425 05A214.807�213.5-469. 0 058.425 05A210.423.13.5-469. 45 12.425 05A210.423.13.5-469.f&.42.424T- 414.807�213.5-469. 0 058.424T- 410.423.13.5-469. 45 12.424T- 410.423.13.5-469.f&.42.422�199.24.807�213.5-469. 0 058.422�199.20.423.13.5-469. 45 12.422�199.20.423.13.5-469.f&.42.42 Tc96214.807�213.5-469. 45 12.42 Tc96210.423.13.5-469. 0 058.42 Tc96210.423.13.5-469..845 1.694 -.449sc�05 -18�0.31e�6436m05 -1241820 0 8613.464 0.7820 069813.46-125.431e.6670.4b7 0.353 98496- 49431e.36353B24.4)-0 0 2-469。 96- 49420 013353B24.4) –469。 96- 49431e�59153B24.4) –469..845 1.694 9 0 36442 4 -926m09 0 38424T-8.23.468.288 24T-81423.463.68612 4 -A213.b7 0.353 98473.8634255 039 14 -1147.694-469.f�f�978425 081M2139C�.14252.901.519C�.10142560 8.23.f2 m�8.282T+S