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为目标的材料合成实验并寻找新材料。显示了每个项目获得的直接结果的摘要。 [1] AT 4 我们根据结果研究了合成新物质的可能性。在此过程中，我们关注的是 A 3 T 4 Al 12，它是一种外围材料，尽管它与方钴矿结构不同。例如，在Gd 3 Ru 4 Al 12 中，电子自旋表现出螺旋磁序，有人指出它可能与传导电子结合而表现出拓扑量子磁性[1-2]。以此报告为参考进行进一步研究后，我们预计Os取代产物可能会表现出更明显的拓扑量子磁性，因此我们继续反复试验以确定是否可以合成它。 2002年报道了这种材料的合成[3]，但尚未获得单晶，预期的拓扑量子磁性也是未知的。 通常，提拉法和浮区法等提取方法用于生长金属间化合物晶体，但由于使用剧毒原料（本实验中使用Os），因此无法使用这些方法。 。替代助焊剂和化学品运输方法已尝试了一年多，但没有成功。最终，我们设计了独特的高压反应容器，并利用高压自熔法成功生长了Gd 3 Os 4 Al 12 晶体（图1）。 使用Ta胶囊(外径5.9mm×高7.0mm×厚度0.2mm，Sunric制造)作为高压容器，并且使用BN内胆以避免与样品粉末直接接触。 BN内层是通过切割BN成型品(圆棒、直径5.4mm×长度100mm、Denka N-1)而制作的。 BN内衣预先在真空中1500℃和氮气中1900℃下进行热处理以去除杂质。将原料粉末填充Ta胶囊并密封的工作均在手套箱中进行，以防止Os粉末氧化。
研究报告 增强拓扑磁传感器灵敏度的新方法......
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