简介。在非中心对称超导体[1]中的磁性电源最近引起了极大的关注,尤其是在其在非核心超导反应中的实验应用中[2],例如,如最近的综述[3-6]。特别是,Edelstein磁电效应是由应用超电流引起的自旋极化的产生,而其反场景是二极管效应,即,在两个相反的方向上,临界电流是不同的,在存在外部磁性的情况下会产生的两个相反的方向。这些现象的根本原因之一是违反了由旋转轨道相互作用或不均匀的磁性交换场引起的空间反演象征,该磁性磁性交换场是对能量依赖的动量旋转分裂的作用[7-9],所有这些[7-9]都引起了电子旋转旋转极化之间的耦合和电荷之间的耦合[7]。在本文中,我们考虑了一个具有d-波对称性的共线抗磁性(AFM)订购参数的中心对称金属[11-14]。这种AFM阶诱导了传导费米子的费米表面的特定D波动量依赖性旋转分裂[7-9]。最近在参考文献中审查了各向异性磁顺序的扩展对称分类。[15 - 17]。显示此功能的代表性材料包括,例如,类型AFMS:金属RUO 2,Mn 5 Si 3,VNB 3 S 6,半导体MNTE等[15-20]。此外,最近在thinfms ruo 2中观察到了应变稳定的超导性,tc≈1。[31]。8 K取决于纤维厚度[21-23]。受到最近的实验进展的促进,对超导性的D-波AFM交换耦合的理论研究成为了一个密集的研究领域,包括对Andreev反射的研究和Josephson Current [24-28],在D -Wave Superconcontos in D -Wave Superconcontos ft d -Wave af -Wave afm [29]中的无综合状态[29],或者是30岁的MAD [29],或者有关最近的精彩文章,请参见参考文献。在这种情况下,超导性和磁性的问题自然出现。清楚地,在肌脱肌对称超导体中,与极性超导体中的Edelstein效应相反,诱导的载体的自旋极化与超循环的均匀功能成正比,并表现出D -Wave对称性。
影响变压器选择的其他条件可能会影响设计的进一步的操作条件,包括环境方面,例如高度,特定的污染程度,污垢和污垢或湿度,或所选变压器必须在其中运行的湿度。重要的是要考虑可能还需要满足的其他特定测试要求,例如部分排放测试或满足特定标准所需的长期可靠性测试。对于变压器的距离主题,这是指爬行和清除。爬行是沿着这两个点的表面测量的两个点之间的距离。间隙是两个点之间的距离,它们之间只有一个气隙(见图1)。
轨道省的领域已经出现了通过启用环保电子设备来影响信息技术的巨大潜力。主要的电子自由度是轨道角动量,它可以产生无数现象,例如轨道霍尔效应(OHE),扭矩和轨道磁电效应。在这里,我们通过逼真的时间依赖电子结构仿真探索非磁性材料的磁反应,即超薄PT纤维,以对不同极化和螺旋性的超快激光脉冲。我们证明了显着的轨道和自旋磁化的产生,并确定了由OHE相互作用,反向法拉第效应和自旋轨道相互作用组成的潜在机制。我们的发现主张使用光在不是固有磁性的材料中编码磁性信息的前景。
背景。以剪切流为特征的磁化等离子体存在于许多自然环境中,例如地球磁层顶和太阳风。所涉及等离子体的无碰撞性质需要动力学描述。当剪切层的宽度为离子尺度数量级时,可以采用混合 Vlasov-Maxwell 方法。目的。这项工作的目的是在混合 Vlasov-Maxwell 描述中推导出具有平面剪切流的磁化等离子体稳态配置的显式形式。考虑两种配置:第一种是相对于体积速度倾斜的均匀磁场,第二种是均匀幅度可变方向的磁场。方法。我们通过结合单粒子运动常数获得了稳态离子分布函数,这是通过研究粒子动力学得出的。考虑背景电磁场的局部近似,通过分析推导出关于分布函数形式的初步信息。然后建立了数值方法来获得一般分布的解。结果。我们确定了显式分布函数,使我们能够获得密度、体积速度、温度和热通量的分布。还评估了分布函数中的各向异性和无磁性。在均匀斜磁场情况下检查了数值模拟过程中解的平稳性。结论。这里考虑的配置可以用作开尔文-亥姆霍兹不稳定性模拟中地球磁层顶的模型。
背景。中子星被超强电磁场有效加速的超相对论粒子所包围。这些粒子通过曲率、同步加速器和逆康普顿辐射大量发射高能光子。然而,到目前为止,还没有任何数值模拟能够处理这种极端情况,即非常高的洛伦兹因子和接近甚至超过量子临界极限 4.4 × 109T 的磁场强度。目的。本文旨在研究旋转磁偶极子中的粒子加速和辐射反应衰减,其实际场强为 105 T 至 1010 T,这是毫秒和年轻脉冲星以及磁星的典型场强。方法。为此,我们在简化的 Landau-Lifshitz 近似中实现了一个精确的分析粒子推动器,包括辐射反应,其中假设电磁场在一个时间步长积分期间在时间上恒定而在空间上均匀。使用速度 Verlet 方法执行位置更新。我们针对时间独立的背景电磁场(如交叉电场和磁场中的电漂移以及偶极子中的磁漂移和镜像运动)对我们的算法进行了广泛的测试。最后,我们将其应用于真实的中子星环境。结果。我们研究了粒子加速以及辐射反应对插入毫秒脉冲星、年轻脉冲星和磁星周围的电子、质子和铁核的影响,并与没有辐射反应的情况进行了比较。我们发现最大洛伦兹因子取决于粒子种类,但与中子星类型的影响很小。电子的能量高达 γ e ≈ 10 8 − 10 9 ,而质子的能量高达 γ p ≈ 10 5 − 10 6 ,铁的能量高达 γ ≈ 10 4 − 10 5 。虽然质子和铁不受辐射反应的影响,但电子的速度却急剧下降,使其最大洛伦兹因子降低了四个数量级。我们还发现,在几乎所有情况下,辐射反应极限轨迹都与简化的朗道-利夫希茨近似非常吻合。
机器,磁共振成像(MRI)和核磁共振(NMR)。我们报告了由两个矩形Y-BA-CU-O(YBCO)散装单晶粒组成的大容量组件的脉冲场磁化(PFM)的系统研究,并在各种温度下紧邻。由数值分析支持的磁通量密度的动态变化的测量结果表明,脉冲场兴起的诱导筛选电流可能会大大增强连接处的区域的磁通密度,从而导致不均匀的通量渗透,并增加了该区域磁通量的增加。场和电流之间的这种耦合可促进磁通量穿透,并将峰值捕获的场从3.01 t提高到散装单晶粒的3.01 t到30 K时的大容量组件的3.11 t,从而将磁化效率从80%提高到90%。通过使用两步的多脉冲PFM工艺,单个散装单粒和散装组件的峰值捕获场分别为单个散装单粒和散装组件进一步增强至3.39 t和3.31 t。关键字:通量跳跃,高温超导体,磁通量繁殖,捕获的场磁铁1。简介
磁性接近效应提供了一种有希望的方法,可以将欧洲一氧化碳(EUO)的低居里温度(T c)降低到室温,同时保持其化学计量和绝缘性能。这项工作使用静态和时间分辨的磁光kerr效应测量来研究EUO/CO Bilayers,并探讨了磁接近对T C和EUO的自旋动力学的影响。激发会导致EUO磁化的超快增强,然后在纳米秒内进行脱氧化。在放置在平面外磁场中的EUO/CO BiLayer中选择性激发CO时也可以看到这种行为,这归因于从CO进入EUO的SuperDi效率旋转电流的传播。由于CO的自旋动力学显示了瞬时热电器化,因此双层提供了一个系统,可以通过改变样品温度或泵液等外部参数(例如样品温度或泵)来调整瞬态磁光信号并符号。此外,在强烈的激发方案中,可以测量基础EUO的磁性磁滞,该磁性磁滞至今,该磁滞至今已呈现到室温到室温 - 提供了实验性证据,证明了CO和EUO之间存在可调的磁性接近性耦合。
1 等离子体基础和建模 14 1.1 概述. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 1.2.2 碰撞. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . ... ...
1 波尔多大学-CNRS-CEA,激光强度与应用中心 (CELIA),UMR 5107,F-33405 Talence,法国 2 等离子体物理与激光研究所,大学研究与创新中心,希腊地中海大学,74100 Rethymno,克里特岛,希腊 3 希腊地中海大学工程学院电子工程系,73133 Chania,克里特岛,希腊 4 CEA、DAM、DIF,F-91297 Arpajon,法国 5 萨拉曼卡大学基础物理系,37008 Salamanca,西班牙 6 巴黎萨克雷大学,CEA、LMCE,91690 Bruyères-le-Châtel,法国 7 约克大学物理、工程与技术学院约克等离子体研究所,YO10 5DD,英国 8 巴利亚多利德大学理论、原子和光学物理系,47011 巴利亚多利德,西班牙 9 脉冲激光中心,M5 号楼,科学园,37185 Villamayor,萨拉曼卡,西班牙 10 LULI - CNRS、CEA、索邦大学、巴黎综合理工学院、巴黎综合理工学院,F-91120 Palaiseau Cedex,法国 11 普林斯顿等离子体物理实验室,普林斯顿,新泽西州 08543,美国 12 阿尔伯塔大学电气与计算机工程系,埃德蒙顿,T6G1R1 阿尔伯塔,加拿大 13 加州大学圣地亚哥分校能源研究中心,拉霍亚,CA 92093,美国 14 劳伦斯利弗莫尔国家实验室,利弗莫尔,加利福尼亚州94550,美国 15 iUNAT–拉斯帕尔马斯大学物理系,35017 拉斯帕尔马斯,西班牙 16 伦敦帝国理工学院布莱克特实验室等离子体物理组,伦敦,SW7 2AZ,英国 17 通用原子公司,加利福尼亚州圣地亚哥 92121,美国。 18 等离子体物理与激光微聚变研究所,01-497,华沙,波兰 19 等离子体物理研究所,捷克科学院,182 00,布拉格,捷克共和国 20 艾克斯马赛大学,CNRS,PIIM,F-13013 马赛,法国 21 极端光基础设施 ERIC,ELI-Beamlines 设施,25241 Dolní Brezany,捷克共和国(日期:2024 年 2 月 6 日)
光学显微镜显示蚀刻后表面清晰无特征。总之,我们描述了一种制造可靠、易于去除的高能高剂量离子注入掩模的新工艺。要注入的样品以额外的 AIGaAs 金属剥离层作为表面层,在其上通过常规光刻胶剥离技术对金属掩模进行图案化。注入后,通过使用 HCl 选择性蚀刻 AIGaAs 来去除 AIGaAs 金属剥离层和金属掩模。由于 HCl 的选择性,在去除金属掩模期间底层外延结构不会受损。这项工作得到了国家科学基金会化合物半导体微电子工程研究中心 (CDR-85-22666)、材料研究实验室 (DMR-86-12860) 和海军研究实验室 (NOOO14-88-K-2oo5) 的支持。