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World File Search System磁化
2D抗铁磁半导体CRP的垂直连接中的磁化振荡4
1 MOE的关键实验室，用于凝结物质的非平衡合成和调节，Shaanxi省级高级材料和介质物理学的主要实验室，XI'AN JIAOTONG大学，XI'AN，XI'AN，710049，710049，中国2个国家主要的实验室，是纳尼型纳米型材料和量化量的纳米级材料和量子量的国家主要实验室， 200433，中国3个州制造系统工程钥匙实验室，西安·贾东大学，西安，710049，中国4号材料材料纳米结构研究中心，国家材料科学研究所，1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-15-0044，日本305-0044，日本5日本6东南大学物理学院量子材料和设备的主要实验室，211189，中国南京7 Zhangjiang Fudan International Innovation Center，Fudan University，上海2011年
奇数对称平面大厅效应：一种检测电流诱导的面内磁化切换
1 N. H. D. Khang，T。Shirokura，T。Fan，M。Tahahashi，N。Nakatani，D。Kato，Y。Miyamoto，2 H. Wu，D。Turan，Q。Pan，C.-Y. Yang，G。Wu。 下巴，H.-J。 Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1092 H. Wu，D。Turan，Q。Pan，C.-Y.Yang，G。Wu。 下巴，H.-J。 Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用109Yang，G。Wu。下巴，H.-J。 Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用109下巴，H.-J。Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用109Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi，3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1093 K. Gary，C。4 Y. J.A. b。 Huai，18（6），33（2008）。5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1095 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L.6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1096 T. Kawahara，K。Ito，R。Take，7 A. 7 A.8 A.J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。10 10 J. E. E.11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用10911 K. Gary，I。M。Miron，C。12 C. O. Avci。A. Katine，应用109A. Katine，应用10913 N. H. D. Khang和P. N. Hai，应用物理信函117（25），252402（2020）。14 Y. Takahashi，Y。Takeuchi，C。Zhang，B。Jinnai，S。Fukami和H. Ohno，应用物理信函114（1），012410（2019）。15G.Mihajlović，O。Mosendz，L。Wan，N。Smith，Y。Choi，Y。Wang和J.16 S. Fukami，T。Anekawa，C。Zhang和H. Ohno，自然纳米技术11（7），621（2016）。17 Y.-T。 Liu，C.-C。黄，K.-H。 Chen，Y.-H。黄，C.-C。 Tsai，T.-Y. Chang和C.-F。 PAI，物理审查应用了16（2），024021（2021）。17 Y.-T。 Liu，C.-C。黄，K.-H。 Chen，Y.-H。黄，C.-C。 Tsai，T.-Y.Chang和C.-F。 PAI，物理审查应用了16（2），024021（2021）。Chang和C.-F。 PAI，物理审查应用了16（2），024021（2021）。
磁性螺母-KOPS
近90年来，人们认为进动和放松过程占据了磁化动力学。直到最近才认为，在短时间内，惯性驱动的磁化动力学应变得相关，从而导致磁化载体的额外营养。在这里，我们通过突然激发了具有超短光脉冲的薄ni 80 fe 20（Permalloy）膜，从而导致有效轨道作用于磁矩，将磁化强度的动力学分开，从而使磁力的动力学与它的角动力分开。我们通过时间分辨的磁光kerr效应在实验上研究了惯性方向的磁化动力学。我们发现，Kerr信号中的特征振荡范围为〜0.1 THz的范围为0.1 THz，其在pressional振荡上以GHz频率叠加。通过与原子自旋动力学模拟进行比较，我们证明了该观察结果不能用众所周知的Landau-Lifshitz-Gilbert运动方程来解释，但可以归因于惯性贡献，从而导致磁化载体围绕其角度动量的营养。因此，惯性磁化动力学的光学和非谐振激发可以触发和控制不同的磁过程，从通过活动器的消极作用到单个设备中的进动。这些发现将对对超快自旋动力学和磁化切换的理解具有深远的影响。
超高压力氢化物作为超导性的证据
摘要：Minkov等人报道了在超高压力下H 3 s的通量捕获磁化研究。是该氢化物系统中超导性的确切证据。这对已经引起争议的领域非常有帮助。然而，该结论是基于在低场处的明显零视场冷却（ZFC）线性磁化的质疑。标准BEAN模型将需要大约二次依赖性。在支持方面，我们注意到，所报告的ZFC磁化确实是超线性的，并且与薄盘的模型计算以及报告的ZFC磁化有关YBA 2 Cu 3 o薄膜的计算是一致的。我们得出的结论是，所报告的高压磁化数据与超导性完全一致，并且在此特定数据集中，没有理由拒绝氢化物超导性的原始推断。
通过反向法拉第效应
磁化和光之间的关系一直是过去一个世纪的密集研究的主题。在此，磁化对光极化的影响已得到充分了解。相反，正在研究用极化光的磁性操纵，以实现杂志的全光控制，这是由潜在的Spintronics中潜在的技术实施驱动的。据报道，诸如薄膜和亚微米结构中杂志的单脉冲全光切换之类的发现。 然而，纳米尺度上磁性的局部光学控制的证明仍然难以捉摸。 在这里，证明具有圆形极化飞秒激光脉冲的令人兴奋的金纳米盘可导致超快，局部和确定性控制磁化磁化强度的磁化。 通过利用逆法拉第效应在等离子纳米散发中产生的磁矩来实现此控制。 结果为在纳米级旋转设备中进行轻驱动的控制铺平了道路，并为等离激元纳米结构中磁场的产生提供了重要的见解。诸如薄膜和亚微米结构中杂志的单脉冲全光切换之类的发现。然而，纳米尺度上磁性的局部光学控制的证明仍然难以捉摸。在这里，证明具有圆形极化飞秒激光脉冲的令人兴奋的金纳米盘可导致超快，局部和确定性控制磁化磁化强度的磁化。通过利用逆法拉第效应在等离子纳米散发中产生的磁矩来实现此控制。结果为在纳米级旋转设备中进行轻驱动的控制铺平了道路，并为等离激元纳米结构中磁场的产生提供了重要的见解。
![arxiv：2404.11115v1 [cond-mat.supr-con] 2024年4月17日](/simg/d\dfdae2b346d5b0896c4cd5850f229538ef3494ec.webp)
arxiv：2404.11115v1 [cond-mat.supr-con] 2024年4月17日
通过测量原始和掺杂的CSV 3 SB 5单晶的磁化，我们已经对较低的临界场，临界电流密度和该kagome系统的平衡磁化进行了系统研究。已经在两个典型样本中研究了较低的临界场，并且可以通过使用两个S -Wave超导间隙的模型来对其进行较低的临界域临界场，从而得出2ΔS1 /K 1 /K b b t c = 7的较大间隙。9（±1。8）。这表明基于V的超导体的强耦合功能。测得的磁化磁滞回路使我们能够计算临界电流密度，该密度显示出非常弱的散装涡流固定。在这两种样品中测得的磁化磁滞回路可以通过最近提出的广义现象学模型来很好地描述，这导致确定这些超导体的许多基本参数。我们的系统结果和详细的分析得出结论，基于V的Kagome系统具有强耦合超导性，相对较大的Ginzburg-Landau参数和弱涡流耦合的特征。
SOT -MRAM动力学的微磁建模-IUE
我们提出了一种灵活，有效的方法，可以通过在三维框架中耦合电荷，自旋和磁化动力学来建模现代SOT-MRAM细胞中的磁化动力学。我们扩展了现有文献，以获得为Rashba-Edelstein效应建模的旋转电流边界条件。我们计算起源于自旋大厅和Rashba-Edelstein效应的自旋 - 轨道扭矩，并表明我们的模型可以重现IR/COFEB双层结构中自旋扭矩的厚度依赖性的实验结果。此外，我们通过模拟无野外SOT-MRAM细胞中的磁化逆转来验证我们的方法，并表明，随着界面dzyaloshinskii – Moriya相互作用，我们获得了与先前报道的实验结果相似的域壁运动。
双参考层STT-MRAM结构提高了性能
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机记忆（STT-MRAM）是一项新兴技术，该技术旨在取代其不易作用，并且由于其不易作用，并且越来越改善功耗，高存储密度，快速的写作速度，强大的耐力和长期数据退休，因此可能会替代其不易启动性的闪光，DRAM和慢速SRAM。如图1A，STT-MRAM设备由铁电磁（FM）参考层（RL）组成，具有固定磁化方向，绝缘体隧道屏障（TB）和铁磁自由层（FL），具有可变的磁化方向。这三层的连接形成了磁性隧道连接（MTJ），由于这是单元的中心分量，因此整个结构被称为单个MTJ（SMTJ）。信息是基于出现的不同电阻水平存储的，当将FL磁化设置为平行（P）或反平行（AP）与RL磁化方向时。这些磁化状态之间的变化是通过通过与层堆栈平行的结构进行足够大的电流来实现的[1]。目前，STT-MRAM设备面临的挑战之一是它们的小型化是为了达到增加的存储密度，这将使它们用于更广泛的应用，从而扩大了对常规波动记忆的竞争力。该目标的主要途径是减小位单元大小，该大小主要由提供开关电流所需的接触尺寸确定。因此，降低电流和同样的电压，