摘要。四苯基卟啉 (TPP) 是一类有趣的有机分子,其特征是环状结构,中心有金属离子。通过适当修改反应界面,即使在金属基底上也可以获得此类分子的有序生长,正如我们对与氧钝化的 Fe(001) 偶联的 ZnTPP 分子所展示的那样 [G. Bussetti 等人。Appl. Surf. Sci. 390, 856 (2016)]。最近,我们专注于 CoTPP 分子,其特征是磁矩不为零,因此对磁性应用具有潜在意义。与 ZnTPP 的情况一样,我们对一个单层覆盖的结果报告了平躺分子的有序组装的形成。然而,在堆积方案和与基底的电子相互作用程度方面,观察到两种分子物种之间存在一些差异。为了对 CoTPP 也获得对 Fe 上分子组织的全面了解,我们在此补充了我们之前的研究,通过跟踪 CoTPP 薄膜的生长以增加覆盖率,表明确实实现了此类分子的有序堆叠,至少最多四个分子层。
摘要。EU 2-X CE X CUO 4(ECCO)是基于丘脑的掺杂电子的超导体之一。ECCO材料在研究和研究中很有趣,因为欧盟是形成ECCO材料的主要材料,在基本状态下没有磁矩,因此它使研究ECCO超导体的整体磁性特性变得更加容易。本研究的目的是研究具有CE(X)浓度的ECCO材料的结构和磁性= 0.20; 0.21; 0.22; 0.23; 0.24和0.25。所有ECCO材料的特征是使用X射线衍射(XRD)来确定晶体和晶格参数的结构,并通过使用超导量量子干扰装置(Squid)来确定材料的磁性特性。XRD表征的结果表明,晶相与电子掺杂的超导相一致,其中形成的结构是T',这是由D HKL(013)和(110)上典型峰出现的标记。对于鱿鱼结果,在某些氧气还原值的范围内观察到ce(x)= 0.20-0.25的ECCO材料中的顺磁性的性质。
BaTiO 3 化合物:DFT 研究 A. Sohail a、SA Aldaghfag b、MKButt a、M. Zahid c、M.Yaseen a,*、J. Iqbal c、Misbah c、M. Ishfaq a、A. Dahshan d、ea 自旋光电子学和铁热电 (SOFT) 材料与器件实验室,巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学物理系 b 沙特阿拉伯利雅得 11671 诺拉公主大学 (PNU) 科学学院物理系 c 巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学化学系 d 沙特阿拉伯艾卜哈国王大学科学学院物理系 e 埃及塞得港大学科学学院物理系 钒 (V) 掺杂对采用自旋极化理论研究了不同浓度(x = 12.50%、25%、50%、75%)对BaTiO 3 钙钛矿物理性能的影响。两种状态的电子能带结构(BS)表明,Ba 0.875 V 0.125 TiO 3、Ba 0.75 V 0.25 TiO 3、Ba 0.5 V 0.5 TiO 3 和Ba 0.25 V 0.75 TiO 3 化合物均为半金属铁磁(HMF)材料。结果表明,V 对Ba 1-x V x TiO 3 化合物的HMF行为起着重要作用。此外,磁特性证实了所有所述化合物的磁矩的整数值。在光学性能方面,还计算了反射率R(ω)、光吸收α(ω)、介电函数ε(ω)、消光系数k(ω)和折射率n(ω)。完整的光学参数集表明上述材料可用于可见-紫外光电子器件。基于半金属 (HM) 的结果,V 掺杂的 BaTiO 3 可用于自旋电子学应用。 (2021 年 6 月 20 日收到;2021 年 10 月 5 日接受) 关键词:半金属铁磁体、态密度、磁矩、光学参数 1. 简介在过去的十年中,HMF 材料因其在隧道结、光电子学和磁性器件中的应用而引起了人们的广泛关注。此外,HMF 材料在自旋电子学中起着重要作用,因为这些材料包含两种自旋态,一种自旋版本表现出金属行为,而另一种自旋态表现得像半导体或绝缘体。HMFM 化合物,例如 PtMnSb 和 NiMnSb Heusler 合金,最初由 Groot 等人 [1- 4] 报道。
具有长寿命相干性的量子态对于量子计算、模拟和计量学至关重要。在单重态振转基态中制备的超冷分子的核自旋态是编码和存储量子信息的绝佳候选。然而,重要的是要了解这些量子比特的所有退相干源,然后消除它们,以达到尽可能长的相干时间。在这里,我们使用高分辨率拉姆齐光谱法全面表征了光学捕获的 RbCs 分子超冷气体中存储量子比特退相干的主要机制。在详细了解分子超精细结构的指导下,我们将磁场调整到一对超精细状态具有相同磁矩的位置。这些状态形成一个量子比特,它对磁场的变化不敏感。我们的实验揭示了状态之间微妙的微分张量光移,这是由旋转状态的弱混合引起的。我们演示了如何通过将线性偏振陷阱光和施加的磁场之间的角度设置为魔角反余弦(1 / √
范德华 (vdW) 磁体的发现为凝聚态物理和自旋电子技术开辟了新范式。然而,具有 vdW 铁磁体的有源自旋电子器件的操作仅限于低温,从而限制了它们更广泛的实际应用。本文展示了使用石墨烯异质结构中的 vdW 流动铁磁体 Fe 5 GeTe 2 的横向自旋阀器件在室温下的稳健操作。在具有负自旋极化的石墨烯界面处测量了 Fe 5 GeTe 2 的室温自旋电子特性。横向自旋阀和自旋进动测量通过自旋动力学测量探测 Fe 5 GeTe 2 /石墨烯界面自旋电子特性,揭示了多向自旋极化,从而提供了独特的见解。密度泛函理论计算与蒙特卡罗模拟相结合,揭示了 Fe 5 GeTe 2 中显著倾斜的 Fe 磁矩以及 Fe 5 GeTe 2 /石墨烯界面处存在负自旋极化。这些发现为范德华界面设计和基于范德华磁体的自旋电子器件在室温下的应用提供了机会。
这意味着载流子在费米能级上完全 (100%) 自旋极化,使磁性 HM 在先进自旋电子器件中具有极好的实际应用前景。[1–6] 然而,开发适用于接近室温 (RT) 温度的实用自旋电子器件需要同时考虑 HM 材料的某些合成性能。首先,FM 或 FiM 居里温度 ( TC ) 应明显高于 RT。其次,绝缘自旋通道的能隙 ( E g ) 应足够宽以抑制由载流子热激发引起的自旋翻转转变,确保在工作温度区域内 100% 自旋极化。[7,8] 此外,与磁矩成正比的电子自旋极化必须足够高才能有效地注入极化自旋。[4,9–12] 钙钛矿氧化物是半金属研究的最重要系统之一。迄今为止,钙钛矿中实验实现的最高 TC 约为 635 K。[13] 尽管实验中已经报道了各种各样的磁性 HM,但开发同时满足上述三个要求的单相材料仍然是一个关键挑战。例如,尽管在 NiMnSb、[3] Co 2 FeSi、[14] 中观察到较高的居里温度
最近,Kostelecký 和 Samuel [1] 证明,在弦场论的背景下,当扰动弦真空不稳定时,由张量场控制的洛伦兹对称性 (LS) 破坏是自然的。Carroll 等人 [2] 在电动力学的背景下,研究了在修正的陈-西蒙斯拉格朗日空间中,即在 (3 + 1) 维中,存在背景矢量场的理论和观察结果,这种空间保持了规范对称性,但破坏了洛伦兹对称性。这些研究的目的之一是扩展可能涉及 LS 破坏的理论和模型,以寻找可以回答通常物理学无法回答的问题的基础物理理论。从这个意义上讲,标准模型 (SM) 已成为这些扩展的目标,这些扩展以 LS 破坏为特征,最终形成了我们今天所知道的扩展标准模型 (ESM) [3, 4]。近年来,LS 破坏已在物理学的各个分支领域得到广泛研究,例如磁矩产生 [5]、Rashba 自旋轨道相互作用 [6]、Maxwell-Chern-Simons 涡旋 [7]、涡旋状结构 [8]、卡西米尔效应 [9, 10]、宇宙学
发现Van der Waals(VDW)磁铁为冷凝物理物理和自旋技术打开了新的范式。但是,使用VDW铁磁磁铁的主动自旋设备的操作仅限于低温温度,从而抑制了其更广泛的实际应用。在这里,展示了使用石墨烯的异质结构中使用VDW行程的Ferromagnet Fe 5 Gete 2的侧向自旋阀设备的稳健室温操作。Fe 5 Gete 2的室温自旋特性在用石墨烯的界面上测量,具有负自旋偏振。横向自旋阀和自旋细分测量通过通过自旋动力学测量探测Fe 5 Gete 2 /Geate 2 /石墨烯界面旋转特性,从而提供了独特的见解,从而揭示了多方向自旋偏振。密度功能理论与蒙特卡洛模拟结合使用,在Fe 5 Gete 2中显示出明显的Fe磁矩,以及在Fe 5 Gete 2 / Graphene界面上存在负自旋极化。这些发现在环境温度下基于VDW界面设计和基于VDW-MAGNET的Spintronic设备的应用开放机会。
在本文中,对复合双钙钛矿BA 2 GDREO 6进行了详尽的研究,包括其结构,电子,磁性和热电特性。这项研究基于密度功能理论,并更明确地基于在不同近似值和相关电位等不同近似值的背景下的全部潜在线性化的增强平面波(FP-LAPW),例如:广义梯度近似(GGA)及其becke-becke-becke-Johnson方法通过Trans-blahaa(TB-MBJ)(tb-mbj)进行了更好的方法,以 + ablaha(tb-mbj)(tb-mbj)(tb-mbj)的距(其中u是哈伯德校正项)。在分析获得的结果后,事实证明,双钙钛矿材料BA 2 GDREO 6是一种铁磁材料,具有半金属特征,此外,该化合物的积分磁矩为9 µ b,符合Slater-papauling的规则。来自对绘制不同参数的曲线的研究,例如:seebeck系数,每次放松时间σ/τ,每个放松时间的电导率,每次放松时间ke/τ的电子导热率,以及根据GGA+U近似的效果,该效果是e+u a的功能。鉴于Seebeck系数的高值以及电导率的高值以及接近unity的值,GDREO 6在中等温度范围内呈现热电性能,因此,该化合物可用于温度范围(中等至高)的热电应用。
具有 Kagome 晶格的量子材料中独特的电子行为 [5] 和磁性行为 [6,7] 使得 Kagome 材料成为一个极其有趣的平台。这些有趣的量子态是由于电子能带结构和磁序的非平凡拓扑、强电子关联和受挫而出现的。探索这些材料中电子能带结构和相应磁性之间的相互作用,发现了大块狄拉克半金属 Fe 3 Sn 2 、[5] 外尔半金属 Mn 3 X(X = Sn,Ge)[8] 和 Co 3 Sn 2 S 2 、[9],它们表现出本征陈量子相、较大的异常霍尔效应和手性异常。[5,10,11] 一个特别有趣的例子是磁体 RMn 6 Sn 6(R = 稀土元素),它根据特定 R 元素和受挫 Mn Kagome 晶格之间的相互作用而具有几种磁序。 [12–14] 在室温下,Tb 和 Mn 磁矩位于不同的 Kagome 子晶格上,且呈非平面反平行排列的亚铁磁结构已被证明能有效实现具有拓扑