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BaTiO 3 化合物：DFT 研究 A. Sohail a、SA Aldaghfag b、MKButt a、M. Zahid c、M.Yaseen a,*、J. Iqbal c、Misbah c、M. Ishfaq a、A. Dahshan d、ea 自旋光电子学和铁热电 (SOFT) 材料与器件实验室，巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学物理系 b 沙特阿拉伯利雅得 11671 诺拉公主大学 (PNU) 科学学院物理系 c 巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学化学系 d 沙特阿拉伯艾卜哈国王大学科学学院物理系 e 埃及塞得港大学科学学院物理系 钒 (V) 掺杂对采用自旋极化理论研究了不同浓度（x = 12.50%、25%、50%、75%）对BaTiO 3 钙钛矿物理性能的影响。两种状态的电子能带结构（BS）表明，Ba 0.875 V 0.125 TiO 3、Ba 0.75 V 0.25 TiO 3、Ba 0.5 V 0.5 TiO 3 和Ba 0.25 V 0.75 TiO 3 化合物均为半金属铁磁（HMF）材料。结果表明，V 对Ba 1-x V x TiO 3 化合物的HMF行为起着重要作用。此外，磁特性证实了所有所述化合物的磁矩的整数值。在光学性能方面，还计算了反射率R（ω）、光吸收α（ω）、介电函数ε（ω）、消光系数k（ω）和折射率n（ω）。完整的光学参数集表明上述材料可用于可见-紫外光电子器件。基于半金属 (HM) 的结果，V 掺杂的 BaTiO 3 可用于自旋电子学应用。 (2021 年 6 月 20 日收到；2021 年 10 月 5 日接受) 关键词：半金属铁磁体、态密度、磁矩、光学参数 1. 简介在过去的十年中，HMF 材料因其在隧道结、光电子学和磁性器件中的应用而引起了人们的广泛关注。此外，HMF 材料在自旋电子学中起着重要作用，因为这些材料包含两种自旋态，一种自旋版本表现出金属行为，而另一种自旋态表现得像半导体或绝缘体。HMFM 化合物，例如 PtMnSb 和 NiMnSb Heusler 合金，最初由 Groot 等人 [1- 4] 报道。
V掺杂的半金属铁磁性及光电特性
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