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摘要 本研究研究了单晶碲化镉半导体与气体放电等离子体接触时的物理特性。结果表明，等离子体中的载流子与入射红外辐射一起有助于增强气体放电室中的光电流。在气体放电室中电压足够高（超过 2.5 kV）时，可以观察到与等离子体对半导体表面的影响相关的正反馈。理论计算结果和实验经验的结果非常吻合，由此确定了比例系数的物理意义，同时考虑了等离子体对光电探测器光电导的影响。双等离子体接触的使用有助于抑制气体放电室中光电流的空间不稳定性，从而允许在器件输入端使用低电阻光电探测器。首次在单晶碲化镉的基础上在室温下获得了类似的结果。关键词：气体放电电池、碲镉、气体放电等离子体、光电导率、光电滞后、红外摄影。 PACS 编号：95.85.Bh、72.20.-i 收到： 修订： 接受： 发布：2024 年 9 月 16 日 2024 年 10 月 18 日 2024 年 10 月 22 日 2024 年 12 月 26 日 1. 简介
碲化镉光电探测器等离子体接触特性
主要关键词
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