机构名称：
¥ 1.0
能耗是任何电子设备最重要的方面之一，为了实现更好的可持续未来，需要进一步改进。这同样适用于商用光电探测器，它们使用巨大的外部偏置电压消耗大量能量。到目前为止，薄膜已广泛用于各种电磁辐射波段的光电探测。与基于纳米结构的设备相比，唯一阻碍它们发展的特性是性能较慢、响应度较低。然而，基于纳米结构的光电探测器的缺点是，由于设备制造步骤复杂且昂贵，它们缺乏大规模生产或商业化的可扩展性。解决这一限制的一个可行解决方案可能是使用混合结构，即 ZnO、(Al、Ga、In)N 和 GaAs 等高质量晶体材料与 MoS 2、石墨烯、WSe 2 和 SnS 2 组成的二维材料的组合。这将提供对带隙工程的广泛控制，可用于可扩展的模块化设备制造。这些方法有望开发出具有相对较高响应度和自供电光电探测器的光电探测器。当前的观点侧重于 III 族氮化物基光电探测器的进展及其使用混合 III 族氮化物/2D 界面的自供电、宽带和超快光电探测器的广阔前景。
基于 III 族氮化物混合结构的下一代自供电超快光电探测器
主要关键词
相关文件推荐
